Post on 28-Sep-2020
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Diagramas de Fase
Permiten un prediseño de la experiencia
Permiten una explicación inicial de los resultados y/o indican los caminos para modificarlos
Los diagramas de fases pueden ser :
Temperatura - Composición ( en general a p.atm.)Temperatura - PresiónPresión - Composición
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
The Ni-Cu binary phase diagram
T
% Cu 100
Liquid (L)
L + S
Solid (S)
0
Simple Binary Phase Diagrams
The simplest binary phase diagram is that in which there is perfect solid solubility
Nickel and copper are mutually soluble according to the Hume-Rothery rules for the formation of intermetallics
Since copper and nickel are FCC with almost the same lattice parameter a two phase mixture is not expected
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
AComposition
B
T
α + β
α + L β + L
L
α β
More Complex Phase Diagrams
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Algunos casos significativos. Aplicaciones y consideraciones generales
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Algunos casos significativos. Aplicaciones y consideraciones generales
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Algunos casos significativos. Aplicaciones y consideraciones generales
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Algunos casos significativos. Aplicaciones y consideraciones generales
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Algunos casos significativos. Aplicaciones y consideraciones generales
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
.
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Método de Bridgman
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Diagrama de fases del In-Se
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
InSe Método Bridgman
Intensity (%)
2 θ (°)
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 500
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(10.63,23.2)0,0,3
(21.35,71.7)0,0,6
(25.93,100.0)1,0,1
(26.67,68.2)1,0,-2
(29.46,50.1)1,0,4
(31.40,30.0)1,0,-5
(32.27,3.6)0,0,9
(36.12,32.4)1,0,7
(38.82,64.8)1,0,-8
(43.50,3.6)0,0,12
(44.72,53.6)1,0,10
(45.28,77.9)2,-1,0
(46.65,2.5)2,-1,3
(47.90,22.5)1,0,-11
InSe
Semiconductores laminares III-VI
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
InSe Método Bridgman
Intensity (%)
2 θ (°)
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 500
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(10.63,23.2)0,0,3
(21.35,71.7)0,0,6
(25.93,100.0)1,0,1
(26.67,68.2)1,0,-2
(29.46,50.1)1,0,4
(31.40,30.0)1,0,-5
(32.27,3.6)0,0,9
(36.12,32.4)1,0,7
(38.82,64.8)1,0,-8
(43.50,3.6)0,0,12
(44.72,53.6)1,0,10
(45.28,77.9)2,-1,0
(46.65,2.5)2,-1,3
(47.90,22.5)1,0,-11
InSe
Semiconductores laminares III-VI
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Método Bridgman
Semiconductores laminares III-VI
GaSe
Ga
γ -Ga 2 S
β -G a 2 S
α -Ga 2 S
L 1 L 2
L 1 + L 2
β -Ga 4 S
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0SA t o mic P e r c en t G a
0
1 0 0
2 0 0
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
1 3 0 0
1 4 0 00 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0
GaS GaTe
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Diagrama de fases Zn-P
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Zn3P2 PVT
Crecimiento cristalino y caracterizaciónde materiales semiconductores
Bridgmanno
estequiométrico
Intensity (%)
2 θ (°)
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(37.44,26.7)1,0,1
(42.58,0.2)1,1,0(45.30,0.9)
0,0,2
(55.15,29.7)1,0,2
(61.80,1.1)2,0,0
(63.92,0.1)1,1,2
(66.52,36.3)2,0,1
(74.54,51.6)2,1,1
(78.43,18.6)1,0,3
(79.87,70.0)2,0,2
(87.47,60.9)2,1,2
(93.14,100.0)2,2,0
(100.76,34.7)0,0,4
(101.24,73.1)2,0,3
(105.12,18.2)3,0,1
(108.57,2.4)1,0,43,1,0
(109.07,30.6)2,1,3
(110.58,0.0)2,2,2
(113.12,0.2)3,1,1
(118.90,39.7)3,0,2
1 1 7 3
1 0 4 0
5 59 8 0
8 5 0
4 1 6
9 9 0
3 . 7
0 . 6 6
L
Z n
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0
PA t o m ic P e r c e n t Z n
3 0 0
4 0 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
8 0 0
9 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0
1 2 0 0
0 1 0 2 0 3 0 4 0 5 0 6 0 7 0
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Diagrama de fases Cd-Te
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Diagrama de fases Cd-Te
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Diagrama de fases Cd-Te
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Diagrama de fases Cd-Te
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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
CdTeMétodo
Bridgman
Materiales II-VI