Download - Technische Information / Technical Information IGBT ... · VGES +/-20 V Charakteristische Werte / Characteristic Values min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules

preparedby:CMapprovedby:RS

dateofpublication:2013-11-11revision:3.0 ULapproved(E83335)

EconoPIM™3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTCEconoPIM™3modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

VCES = 1200VIC nom = 50A / ICRM = 100A

TypischeAnwendungen TypicalApplications• •Hilfsumrichter AuxiliaryInverters• •Motorantriebe MotorDrives• •Servoumrichter ServoDrives

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat

• •TrenchIGBT4 TrenchIGBT4• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischenWiderstand

Al2O3SubstratewithLowThermalResistance

• •HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit HighPowerandThermalCyclingCapability• •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor• •Kupferbodenplatte CopperBasePlate• •Lötverbindungstechnik SolderContactTechnology• •RoHSkonform RoHScompliant• •Standardgehäuse StandardHousing

ModuleLabelCodeBarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23

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dateofpublication:2013-11-11revision:3.0

IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A

Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 280 W

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 50 A, VGE = 15 VIC = 50 A, VGE = 15 VIC = 50 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,852,152,25

2,15

VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,70 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V

GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,38 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 15 Ω

td on

0,060,070,07

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload


tr

0,0320,0340,037

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 15 Ω

td off

0,280,350,38

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload


tf

0,110,230,25

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nHVGE = ±15 V, di/dt = 1400 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 15 Ω

Eon 3,505,205,70

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 15 Ω

Eoff 2,804,505,10

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC

180 A

Tvj = 125°C

tP ≤ 10 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,54 K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,135 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

3





Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 50 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 100 A

GrenzlastintegralI²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 560 A²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 50 A, VGE = 0 VIF = 50 A, VGE = 0 VIF = 50 A, VGE = 0 V

VF

1,701,651,65

2,15

VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 50 A, - diF/dt = 1400 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V

IRM 39,044,046,5

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge


Qr 5,307,809,00

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy


Erec 1,302,703,10

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,81 K/W


proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,20 K/W


Diode,Gleichrichter/Diode,RectifierHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChipMaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 70 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstromMaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 80 A

StoßstromGrenzwertSurgeforwardcurrent

tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 450

370 AA

GrenzlastintegralI²t-value

tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1000

685 A²sA²s


DurchlassspannungForwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 50 A VF 1,05 V

SperrstromReversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA





4





IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 25 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 50 A

Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 160 W

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V


Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 25 A, VGE = 15 VIC = 25 A, VGE = 15 VIC = 25 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,852,152,25

2,15

VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,85 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V

GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,20 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,45 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,05 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload


td on

0,050,060,06

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload


tr

0,0520,0550,055

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload


td off

0,210,320,36

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload


tf

0,120,190,22

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 30 nHVGE = ±15 V, di/dt = 250 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 37 Ω

Eon 2,203,503,60

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 30 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 37 Ω

Eoff 1,402,302,50

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC

90 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 10 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,95 K/W


proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,235 K/W


5





Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 15 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 30 A

GrenzlastintegralI²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 48,0 A²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 15 A, VGE = 0 VIF = 15 A, VGE = 0 VIF = 15 A, VGE = 0 V

VF

1,751,751,75

2,15

VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 15 A, - diF/dt = 250 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V IRM

11,013,514,0

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge

IF = 15 A, - diF/dt = 250 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Qr

1,202,202,50

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy

IF = 15 A, - diF/dt = 250 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Erec

0,500,901,00

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C





NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

NennwiderstandRatedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

VerlustleistungPowerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K



AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

6





Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

MaterialModulgrundplatteMaterialofmodulebaseplate Cu

InnereIsolationInternalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3

KriechstreckeCreepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0

mm

LuftstreckeClearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5

mm

VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200

min. typ. max.


proModul/permoduleλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,009 K/W

ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 40 nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip

TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'

RAA'+CC' 4,00

3,00 mΩ

HöchstzulässigeSperrschichttemperaturMaximumjunctiontemperature

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopperGleichrichter/rectifier Tvj max 175

150°C°C

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopperGleichrichter/rectifier Tvj op

-40-40 150

150°C°C

LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C

Anzugsdrehmomentf.ModulmontageMountingtorqueformodulmounting

SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschriftScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm

GewichtWeight G 300 g

7





AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

5 6 7 8 9 10 11 12 130

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=600V

IC [A]

E [m

J]

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 1000

2

4

6

8

10

12

14

16

18Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C

8





SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V

RG [Ω]

E [m

J]

0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 1500

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJC=f(t)

t [s]

Zth

JC [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1ZthJC : IGBT

i: ri[K/W]: τi[s]:

1 0,0324 0,01

2 0,1782 0,02

3 0,1728 0,05

4 0,1566 0,1

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0 200 400 600 800 1000 1200 14000

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120IC, ModulIC, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

9





SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=15Ω,VCE=600V

IF [A]

E [m

J]

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 1000,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=50A,VCE=600V

RG [Ω]

E [m

J]

0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 1500,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJC=f(t)

t [s]

Zth

JC [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJC : Diode

i: ri[K/W]: τi[s]:

1 0,0486 0,01

2 0,2673 0,02

3 0,2592 0,05

4 0,2349 0,1

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,40

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100Tvj = 25°CTvj = 150°C

10





AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40

3

6

9

12

15

18

21

24

27Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)

TC [°C]

R[Ω

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160100

1000

10000

100000Rtyp

11





Schaltplan/circuit_diagram_headline

J

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

12





NutzungsbedingungenDieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungderEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.EinesolcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.GarantienjeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-undMontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeinespezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenindiesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltendenAnwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenundgegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

Terms&ConditionsofusageThedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswillhavetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuchapplication.

Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgrantedexclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductanditscharacteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.

Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationofourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecificallyinterestedwemayprovideapplicationnotes.

Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou.

ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Pleasenote,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend-toperformjointRiskandQualityAssessments;-theconclusionofQualityAgreements;-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedontherealizationofanysuchmeasures.

Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.

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