Vishay Diodes Group

ICT Days

Semiconduttori di potenza

Vishay Semiconductor Italiana

S.P.A. Claudio Damilano

Market Development Sr.Manager

Diodes Group Claudio.Damilano@vishay.com

2

Sommario

Cos’è l’elettronica di potenza

Sorgenti e Domanda di energia

Rete elettrica + Convertitori Elettronici = Smart Grid

La produzione dei dispositivi a semiconduttore (in breve)

La Vishay Semiconductor Italiana S.P.A.

Progetti di Ricerca e Collaborazioni universitarie attivi

Un esempio di attività del Marketing Tecnico

Elettronica di Potenza

Elettronica di Potenza

Desktop Power Supply ( 300 ~ 500W)

Domanda di energia

CO2 emessa per produrre energia

Capacità WW produzione energia

La rete elettrica in origine

La rete elettrica con produzione rinnovabile centralizzata

La rete elettrica con produzione rinnovabile centralizzata

Rete elettrica adattata all produzione local di energia SITUAZIONE ATTUALE

MOLTI PASSAGGI DI CONVERSIONE AC/DC/AC

INUTILI (PV to LED lighting,

PV to PHEV charging station) TROPPE RICONVERSIONI = TROPPA ENERGIA PERSA

Rete elettrica adattata all produzione local di energia SITUAZIONE ATTUALE

Nuovo Concetto di Smart Grid

15

Produzione di dispositivi a semiconduttore

SOLDERING, BONDING, MOLDING

ASSEMBLY SITE

FRONT END PROCESSING

WAFER FAB

RAW MATERIAL PROCESSING

SILICON FOUNDRY & SLICING

16

Produzione di dispositivi a semiconduttore

SOLDERING, BONDING, MOLDING

ASSEMBLY SITE

FRONT END PROCESSING

WAFER FAB

RAW MATERIAL PROCESSING

SILICON FOUNDRY & SLICING

17

VSI Borgaro Site

18

VSI Borgaro Site

Wafer FABs

Schottky

Dies

Ultrafast

Dies

Module Lines

Diode Modules

IGBT & Mosfet

Modules

19

VSI Borgaro Site

Wafer FABs

Schottky

Dies

Ultrafast

Dies

Module Lines

Diode Modules

IGBT & Mosfet

Modules

20

VSI Borgaro Site

Wafer FABs

Schottky

Dies

Ultrafast

Dies

Module Lines

Diode Modules

IGBT & Mosfet

Modules

VSI Borgaro Site : Fab8 e 8A

21

2 Wafer Fabs class 1000 class 100

wafer dimension 4-5-6 inch

Die production Schottky, Fred, Hexfred

Fab8 e 8A: Products

22

“RAW” Silicon Wafer

Schottky

HexFred

Processed Silicon Wafer

VSI Borgaro Site: Modules Line

23

New Modules Assy Line

New Modules Assy Line

Module Line: Products

24

MOSFET / IGBT / DIODE Power Modules

Progetti di Ricerca & Sviluppo Attivi

SILICON ORIENTED (PRINCIPALI)

Diodo Ultrafast Gen4 600 – 1200V

Diodo rapido supersoft per IGBT

Aumento dell’efficienza e semplificazione di progetto per il cliente

Nuova Piattaforma Trench IGBT PT & FieldStop

Nuovi transistor ad alta tensione (600V)

Conversione dell’energia efficiente ed economica

Migliore utilizzo dell’area del wafer

25 -100

0

100

200

300

400

500

600

700

1 201 401 601 801 1001 1201 1401 1601 1801 2001 2201

FFP08H60

IKB10N60

8ETHgolden V

Gen4 wf 34

Voltage across diode during switching

Progetti di Ricerca & Sviluppo Attivi

PACKAGE ORIENTED (PRINCIPALI)

Moduli con connessione Pressfit

Semplificazione dei processi di assemblaggio cliente (inserimento a pressione)

Miglioramento ambientale (no saldature)

Processo di sinterizzazione delle die

Eliminazione totale e definitiva del Piombo (anche in deroga ROHS)

Miglioramento dell’affidabilità di un fattore 10 x

26

Collaborazioni universitarie attive

Nel corso dell’ultimo anno si sono realizzate mediamente circa 6

collaborazioni con Università(Dottorandi, Ricercatori, Stage) tipicamente

nelle seguenti aree:

Ricerca e Sviluppo & Technical Mktg

Produzione: Controllo di Processo e Rilascio Nuovi Prodotti

Aree di supporto alla produzione

Per l’anno 2013 sono previste in budget le seguenti collaborazioni:

4 Dottorati

4 Borse per assegni di ricerca

Stage da definire nel corso dell’anno per progetti attivi

Aree principali di provenienza dei neolaureati in azienda:

Ingegneria delle Nanotecnologie (Processi)

Ingegneria Fisica (Processi)

Ingegneria Elettronica (Device e Applicazioni)

Ingegneria dei Materiali (Processi)

Università di Fisica (Processi)

27

Key Customers

28

Diodes Power Supply Solution DEMO

COMPETITON Diodes Power Supply Solution

VISHAY Diodes Power Supply Solution

80.00%

80.50%

81.00%

81.50%

82.00%

82.50%

83.00%

200 300 400 500 600 700 800

Effi

cie

ncy

OUTPUT POWER (W)

MEANWELL RSP-1000-12 - 110Vac

ORG_110

TND_LVB_3L6_110

Confronto di Efficienza

80.00%

80.50%

81.00%

81.50%

82.00%

82.50%

83.00%

200 300 400 500 600 700 800

Effi

cie

ncy

OUTPUT POWER (W)

MEANWELL RSP-1000-12 - 110Vac

ORG_110

TND_LVB_3L6_110

Diodes Power Supply Solution

BRIDGE PFC OUTPUT

ORIGINAL GBJ2510 C3D06060A ESAD83-006

VISHAY LVB2506 8S2TH06I-M V30L60C

80.00%

80.50%

81.00%

81.50%

82.00%

82.50%

83.00%

200 300 400 500 600 700 800

Effi

cie

ncy

OUTPUT POWER (W)

MEANWELL RSP-1000-12 - 110Vac

ORG_110

TND_LVB_3L6_110

Diodes Power Supply Solution

BRIDGE PFC OUTPUT

ORIGINAL GBJ2510 C3D06060A ESAD83-006

VISHAY LVB2506 8S2TH06I-M V30L60C