１９５

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

概要タンタルコンデンサは高純度金属タンタルパウダーから製造さ

れます。酸化ニオブコンデンサ「OxiCap」は酸化ニオブ（NbO）

パウダーから製造されます。パウダーの平均粒度は０．３

μm〜１０μmです。

図１は典型的なパウダーのSEM写真を示しています。粒子の大

きさによりパウダーのCV値が大きく異なります。

4000μFV 50000μFV20000μFV

この概念を説明するために２２０μF・６．３Vのコンデンサを例

に取り上げます。まず、静電容量は次式により計算します。

C =�o�r A

dただし

ε: Ta2O5またはNb2O5の比誘電率（Ta：27、NbO：41）

ε0: 真空の誘電率（8.855E-12 F/m）

A: 電極の表面積(m2)

d: 誘電体の厚み(m)

この式を並べ替えると電極の表面積Aは

A = C d�o�r

になります。２２０μF・６．３V品の典型的な誘電体厚みを代入

し計算しますと、表面積が３４６cm２となり、A５紙程度の大きさ

に相当します。

次に、ペレットを酸性の水溶液に浸し電圧を印加して陽極酸

化処理によりタンタルまたは酸化ニオブの表面に誘電体とな

る酸化皮膜を形成します。

誘電体皮膜の厚みは印加電圧により制御されます。誘電体が

所定の厚みに成長するまで一定の電流を流し、印加電圧が化

成電圧まで上昇した後化成電圧を一定に保って、電流を絞っ

ていきます。

図２. 焼成後のアノード

図１b. 酸化ニオブパウダー

タンタルまたは酸化ニオブコンデンサを製造するにはまず、パ

ウダーを高圧プレスしてペレットを形成します。

次に、ペレットを１２００℃〜１８００℃で焼結します。このとき、機

械的強度を持たせると同時にパウダー中の不純物が除去され

ます。焼結中に粒子同士が焼結し多孔性を持つ、スポンジのよ

うな構造になるため大きな内部表面積を得ることができます

（図２参照）。

コンデンサの静電容量は表面積に比例します。このため、大容

量・低電圧のコンデンサには平均粒度が小さい高CV値パウ

ダーが使用されます。各定格電圧／容量毎にはパウダーの種

類および焼結温度を選定することにより表面積をコントロール

します。

図１a. タンタルパウダー

１９６

陽極酸化処理の化学反応は次式で表します。

タンタル：

酸化ニオブ：

陰極側：

タンタル：

誘電体酸化皮膜は３分の２がパウダーの外部へ成長し、 ３分の１がパウダーの内部へ成長します（図3参照）。このため、タンタルコンデンサおよび酸化ニオブコンデンサの最大定格電圧はそれぞれ５０Ｖおよび１０Ｖに限られます。

通常、誘電体には高い電気的ストレスがかかる為、誘電体酸化皮膜は以下のように形成します。例えば２２０μＦ／６．３Ｖ品では

化成電圧

タンタル：

Ｔａ２Ｏ５は１．７×１０－９ｍ／Ｖで成長します。従って

誘電体皮膜厚みｄ

電界強度

＝ ２２．１×１．７×１０－９

＝ ０．０３８μｍ

＝ 定格電圧÷ｄ

＝ １６６ｋＶ／ｍｍ

酸化ニオブ：

Ｎｂ２Ｏ５は２．４×１０－９ｍ／Ｖで成長します。従って

誘電体皮膜厚みｄ

電界強度

図３. 誘電体皮膜

図５. 陰極側の電極端子

タンタル

二酸化

マンガン

酸化皮膜

誘電体

タンタル

誘電体

酸化皮膜

アノード 二酸化マンガン

グラファイト 外部銀層 リードフレーム

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

2 Ta → 2 Ta5+ + 10 e-

2 Ta5+ + 10 OH-→ Ta2O5 + 5 H2O

2 NbO → 2 NbO3+ + 6 e-

2 NbO3+ + 6 OH-→ Nb2O5 + 3 H2O

10 H2O – 10 e → 5H2 + 10 OH-

6 H2O – 6 e- → 3H2 + 6 OH-

＝ 化成倍率×定格電圧

＝ ３．５×６．３V

＝ ２２．１V

＝ ２２．１×２．４×１０－９

＝ ０．０５３μｍ

＝ 定格電圧÷ｄ

＝ １１９ｋＶ／ｍｍ

次に陰極層を形成します。ペレットを硝酸マンガン溶液に浸した後、約２５０℃で焼き付けし硝酸マンガンを二酸化マンガンに変化させます。化学方程式は次の通りです。

Mn (NO3)2 → MnO2 + 2NO2-

この工程を十数回繰り返しペレットの内部および外部の全ての表面に分厚い二酸化マンガン層を形成します（図４）。

図４. 二酸化マンガン層

次に、ペレット表面にグラファイト層を形成した後に銀層を形成し

ます（図５）。

樹脂モールドと包装は、個別の仕様およびユーザーの要求に

合わせます。上記の製造方法は全てのAVXタンタルコンデンサ

（チップ、樹脂ディップ形、ボックス、アキシャル）に適用されます。

タンタルコンデンサの製造方法の詳細についてAVXの技術ライ

ブラリ（AVXのウェブサイト内）のBasic Tantalum Technology

を参照してください。

陽極側：

１９７

１．２．３サージ電圧（VS）

直列抵抗が３３Ω※以上の回路において短時間印加できる最大

電圧です。サージ電圧は１時間に最大１０回、一回当たり最大３０

秒印加できます。コンデンサが通常動作で定期的充電・放電さ

れるような動作はサージではありません。

※CECCでは１kΩ

100 1000 100000 100000010000

250

静電

容量

（μF）

200

150

100

50

0

静電

容量

の変

化率

（％） 15

10

5

0

-5

-10

-15

-20-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

静電容量の温度特性（代表例）

温度（℃）

THJ Series

NOS Series

175

Tantalum

OxiCap®

100

120

80

60

40

20

075 85 95 105 115 125 150 175

１．２　電圧

１．２．１直流定格電圧（VR）

コンデンサが８５℃まで連続動作できる直流電圧です。

（TLJ、TLN、NLJシリーズは４０℃まで）。

動作電圧とは直流バイアス電圧と最大リップル電圧の和です。

最大印加電圧はカテゴリ電圧を超えてはなりません。推奨電

圧ディレーティングについてセクション３の図２cを参照してくだ

さい。

１．２．２カテゴリ電圧（VC）

コンデンサが連続動作できる最大電圧で、８５℃※までは定格

電圧と等しく、８５℃※を超えると直線的に減少し、１２５℃では

定格電圧の３分の２になります。

※TLJ、TLN、NLJシリーズは４０℃まで※※OxiCapは１０５℃まで

カテ

ゴリ

電圧

／定

格電

圧（％

）

THJ Series

温度（℃）

NOS Series

Tantalum

OxiCap®

セクション１電気的特性および用語の説明

１．１　静電容量

１．１．１　定格静電容量（CR）

これは公称静電容量です。タンタルコンデンサおよび酸化ニ

オブコンデンサの静電容量は、２５℃で測定ブリッジにて２．２

Vdc（JIS：１．５V）バイアス／１２０Hz／０．５Vrmsを印加して測

定します。

１．１．２　静電容量の公差

公称静電容量に対して許容される実測静電容量の範囲で、

パーセント（％）で表します。詳しくはAVXの技術ライブラリ

（AVXのウェブサイト内）のCapacitance Tolerances for Solid

Tantalum Capacitorsを参照してください。

１．１．３　静電容量の温度依存性

タンタルコンデンサの静電容量は温度により変化します。また、変

化量はコンデンサの定格電圧およびケースサイズにより異なり

ます。

１．１．４静電容量の周波数特性

コンデンサの実効容量は、周波数が高くなるに連れて減少

していきます。１００kHzを超えると静電容量が減少し、

５００kHz〜５MHzで共振点に至ります。共振点以上の周

波数ではコンデンサがインダクタンスになります。

85°C Tantalum 125°C Tantalum※

定格電圧 サージ電圧 カテゴリ電圧 サージ電圧VR VS VC VS

2 2.7 1.3 1.72.5 3.3 1.7 2.23 3.9 2 2.64 5.2 2.7 3.45 6.5 3.3 4

6.3 8 4 510 13 7 816 20 10 1320 26 13 1625 32 17 2035 46 23 2850 65 33 40

85°C OxiCap® 105°C OxiCap®

VR VS VC VS1.8 2.3 1.2 1.62.5 3.3 1.7 2.24 5.2 2.7 3.4

6.3 8 4 510 13 7 8

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

※THJシリーズのカテゴリ電圧およびサージ電圧についてTHJシリーズの技術仕様を参照してください。

20

TAJE227K010の周波数特性

個別製品の周波数特性・温度特性についてAVXオリジナルソフトウェアSpiTan

をご参照ください。AVXのウェブサイトで閲覧可能です。

周波数（Hz）

定格電圧 サージ電圧 カテゴリ電圧 サージ電圧

最大逆電圧は以下のとおり定められています。

２５℃：定格電圧の１０％／最大１V

８５℃：定格電圧の３％／最大０．５V

１２５℃※：定格電圧の１％／最大０．５V

※THJシリーズは１５０℃

注意：酸化ニオブコンデンサについてはこの条件で静電容量

がTanδは規格値を超えることがあります。

１．２．６　印加交流電圧（VRMS）リップル電圧

コンデンサに印加される直流電圧上の最大許容交流電圧です。

また、直流電圧＋交流電圧のピークはカテゴリ電圧を超えては

いけません。詳細についてセクション２を参照してください。

１．２．７　化成電圧

誘電体となる酸化皮膜を形成する電圧です。酸化皮膜の厚みは

化成電圧に比例し、定格電圧を決める条件の一つです。

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

TAJD336M006TAJD476M010

TAJD336M016TAJC685M020

8

6

4

2

0

-2

-4

-6

-8

漏れ

電流

（A）

-10-20 0 20 40 60 80 100

印加電圧（V）

漏れ電流対バイアス電圧

１．２．４サージがもたらす影響

固体電解タンタルコンデンサおよび酸化ニオブコンデンサの耐サー

ジ性（電圧および電流）に限界があります。これは、電解コンデンサ

の誘電体に非常に高い電気的ストレスが加わるためであり、全ての

電解コンデンサに共通です。例えば、６．３Vのタンタルコンデンサに

定格電圧の６．３Vを印加する場合の誘電体皮膜の電界は１６６kV

／mmです。

コンデンサの電極端子に印加される電圧が規定サージ電圧を超え

てはいけません。

固体電解タンタルコンデンサおよび酸化ニオブコンデンサは、陰極

の材質として二酸化マンガンを用いるため自己修復機能を有しま

す。ただし、コンデンサと電源間のインピーダンスが低い回路（低イ

ンピーダンス回路）ではこの機能は制限されます。低インピーダン

ス回路の場合には、電流サージによりコンデンサにストレスがかか

る可能性があります。

電圧ディレーティングを行うことでコンデンサの故障率を低減できま

す（セクション３．１の図２b参照）。タンタルコンデンサおよび酸化ニ

オブコンデンサを低インピーダンス回路で使用する場合の推奨ディ

レーティングをセクション３．２に示します。

急激な充電または放電がある回路に関しては１Ω／Vの直列抵抗を

挿入することを推奨します。直列抵抗の使用が不可能な回路では、

タンタルコンデンサの場合には最大３０％の電圧ディレーティングを

推奨します。酸化ニオブコンデンサの場合には少なくとも８０％の電

圧ディレーティングを推奨します。

注意：インサーキット・テストや機能試験など回路試験を行う際に通

常動作時以上の電圧・電流が印加される可能性があります。コンデ

ンサの定格電圧を選定する際には試験条件に配慮してください。な

お、試験回路に適切な抵抗を使用することにより電圧および電流を

抑制することができます。

１．２．５逆電圧および無極性動作

記載値は、スイッチングなどによる瞬間的な逆電圧に関するもので

す。逆電圧を継続的に印加してはいけません。逆電圧が継続的に

印加されると漏れ電流が増大しコンデンサが劣化します。逆電圧を

継続的に印加される可能性のある場合には、２個の同種類のコンデ

ンサを陰極端子で接続し、片方の陽極端子を電源ラインの（＋）側

に、もう片方の陽極端子を電源ラインの（－）側に接続し無極性のコ

ンデンサを形成することができます。この場合、通常動作条件では

静電容量が半減します。

１９８

10

１９９

１．４　インピーダンス（Z）および等価直列抵抗（ESR）

１．４．１　インピーダンス（Z）

インピーダンスは特定周波数における電圧と電流の比率で

す。タンタルコンデンサのインピーダンスは３つの要素１）陰極

層の抵抗値、２）静電容量、３）電極およびリード端子のインダ

クタンスで決まります。

高周波帯域においてはリード端子のインダクタンスが支配的な

要素になります。なお、これら３要素の温度特性・周波数特性

が製品のインピーダンスの周波数特性を決定します。インピー

ダンスは２５℃／１００kHzで測定します。

１．４．２　等価直列抵抗（ESR）

全ての種類のコンデンサで抵抗成分に起因する損失が生じま

す。これは等価直列抵抗（Equivalent Series Resistance, ESR）

と呼ばれ、各部材の抵抗およびそれらの接続抵抗、誘電吸収

因子、絶縁抵抗から構成されます。ESRは次式で求めます。

ESR = tan δ

5

4.5

4

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.500.1 1 10

ESR （

100kHz値

比）

周波数（kHz）

Tantalum

OxiCap®

100 1000

1.8

1.7

1.61.5

1.4

1.31.2

1.11

0.90.8

-55 -5 45

Tantalum

OxiCap®

DF （

２５℃

値比

）

5

1

0.10.1 1 10 100

TantalumOxiCap®

DF （

１２０Hz値

比）

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

温度（℃）

10

１．３　誘電正接およびTanδ

１．３．１　誘電正接（DF）

誘電正接は下記Tanδをパーセント（％）で表した測定値で

す。DFはブリッジ回路を用いて高周波成分を含まない１．５V〜

２．２Vdcバイアス／１２０Hz／０．５Vrmsの正弦波にて測定しま

す。なお、DFは温度と周波数に依存性があります。

注意：表面実装部品の規格表に記載されている最大許容DF

は、基板実装後に満足しなければならない値です。

１．３．２　Tan∂

コンデンサ内部で消費されるエネルギーを表す測定値の一つ

です。所定周波数の正弦波電圧で生じる電力損失を無効電力

で割り計算されます。誘電損失とも呼ばれます。力率はcos(90-

δ)です。

１．３．３　誘電正接の周波数依存性

誘電正接は周波数につれて増大します。以下のグラフはタンタ

ルコンデンサおよび酸化ニオブコンデンサの典型的な誘電正

接の周波数依存性を示しています。

DF vs 周波数

周波数（kHz）

１．３．４　誘電正接の温度依存性

タンタルコンデンサおよび酸化ニオブコンデンサの典型的な

誘電正接は以下のグラフに示すとおり温度により変化します。

最大値について規格表を参照してください。

誘電正接対温度

2πfC

ここで「f」は周波数（Hz）、「C」は静電容量（F）です。ESRは２５℃

／１００kHzで測定します。なお、ESRはコンデンサのインピーダ

ンスに影響する要素の一つであり、１００kHz以上で支配的とな

りインピーダンスはESRと同等（わずかに高い）レベルとなります。

１．４．３　インピーダンスおよびESRの周波数依存性

ESRとインピーダンスは周波数が低くなるにつれて増大しま

す。また、低周波帯域においては容量性リアクタンスが支配的

になるため、インピーダンス値の増大はより大きくなりま

す。一方、１MHz以上（コンデンサの共振点以上）の高周波帯

域ではコンデンサのインダクタンスによりインピーダンスが増

大します。典型的なESRおよびインピーダンス周波数特性の曲

線はタンタルコンデンサと酸化ニオブコンデンサとでほぼ一致します。

ESR vs 周波数

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

インピーダンス vs 周波数 １．５．２　漏れ電流の温度依存性

漏れ電流は下図に示したように温度が高くなるにつれて増大し

ます。８５℃〜１２５℃の使用に関しては電圧ディレーティングを

次式に従って行う必要があります。

Vmax = �1- (T - 85) � x VR 125

ここでTは使用温度（℃）です。

１．５．３　漏れ電流の印加電圧依存性

印加電圧が定格電圧を下回ると漏れ電流は急激に減少しま

す。電圧ディレーティングによる漏れ電流への影響を下図に示

しています。また電圧ディレーティングにより信頼性が向上し

ます。詳細についてセクション３．１を参照してください。

100

10

1

0.10.1 1 10

周波数（kHz）

１．４．４　ESRとインピーダンスの温度依存性

１００kHzではESRとインピーダンスは共に、下図に示すよう

に温度上昇につれて減少します。

Tantalum

OxiCap®

イン

ピー

ダン

ス（100kHzの

値基

準）

100 1000

0

Tantalum

OxiCap®

ESRの

変化

率

20 40 60 80 100 125 150-20-55 -40

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1

0.9

0.8

10

100

1

0.1

温度（℃）

漏れ

電流

の倍

率　

I/IR

2020 40 60 80 1000-20-40 175150125

1

0.1

0.010 100

電圧を一定に保ち上図の平均線をプロットすると次のグラフになります。

漏れ電流の比率I/IVR Typical

Range

漏れ電流 vs 定格電圧１．５　直流漏れ電流

１．５．１　漏れ電流

漏れ電流は印加電圧と印加時間、部品の温度に依存します。

漏れ電流の測定は２０℃で１kΩの保護抵抗を直列に挿入し定

格電圧を印加して行います。定格電圧印加後、１〜５分経過し

た時点での漏れ電流は定格表に示す規格値を超えてはなりま

せん。漏れ電流はDCL（Direct Current Leakage）とも呼ばれま

す。DCLの最大許容値は一般的に０．０１CVに設定されます。こ

こで「DCL」の単位はμAで、「C」は定格静電容量で単位は

μF、「V」は定格電圧で単位はVです。タンタルコンデンサの場

合は０．０１〜０．１CVまたは０．５μAのどちらか大きい値に設

定されます。酸化ニオブコンデンサの場合は０．０２〜０．１CV

または１μAのどちらか大きい値に設定されます。

タンタルコンデンサ、OxiCapの場合長期間保管後、使用前に

エージング等の処理は不要ですが、吸湿や電極表面状態の変

化による実装時の影響への注意が必要です。

ESR vs 周波数（代表例）

温度（℃）

２００

漏れ電流 vs 温度

20 40 60 80

印加電圧（VR比）％

２０１

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

ケースサイズ

自己インダクタナス（典型値）

（nH）

A 1.8 H 1.8 U 2.4B 1.8 K 1.8 V 2.4C 2.2 N 1.4 W 2.2D 2.4 P 1.4 X 2.4E 2.5 R 1.4 Y 2.4F 2.2 S 1.8G 1.8 T 1.8

A 1.5B 1.6D 1.4E 1.0H 1.4J 1.2K 1.1L 1.2M 1.3R 1.4T 1.6U 1.3V 1.5Z 1.1

K 1.0L 1.0M 1.3N 1.3S 1.0T 1.04 2.26 2.5

D 1.0E 2.5V 2.4Y 1.0

TCM/TPMTRM/NOM

TAC/TLC/TPC TLN/TCN

漏れ電流の乗数 vs 電圧ディレーティング

グラフを見てもわかるように、コンデンサを定格電圧の２５〜４

０％（つまり定格電圧が使用電圧の２．５〜４倍）で使用すれば

DCLは最低限に抑制されます。

漏れ電流の詳細についてAnalysis of Solid Tantalum

Capacitor Leakage Currentを参照してください。

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

0 01 20 03 04 05 06 70 08 90 100

用途電圧VA ／　定格電圧 VR （％）

最低レンジ漏

れ電

流乗

数

１．５．４　リップル電流

最大許容リップル電流は、周囲温度からの製品の温度上昇に

よって決まる最大許容電力から導き出されます。

１．６　自己インダクタンス(ESL)

ESLは共振点を決めるのに重要なパラメータです。ケースサイズ

ごとの典型的なESLを次の表に示します。

TAJ/TMJ/TPS/TRJ/THJ/TLJ/TCJ/TCR/NLJ/NOJ/NOS

ケースサイズ

ケースサイズ

ケースサイズ ケース

サイズ

ケースサイズ

自己インダクタナス（典型値）

（nH）

自己インダクタナス（典型値）

（nH）

自己インダクタナス（典型値）

（nH）自己インダクタナス

（典型値）（nH）

自己インダクタナス（典型値）

（nH）

２０２

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

ここで I：実効電流、AR：ESR、ΩU：実効電圧、VP：発熱量、WZ：周波数におけるインピーダンス、Ω

オームの法則から最大許容リップル電流でのリップル電圧を次式で求めます。

Umax = IR Eq. 2

ここでのPは定格表に記載されている最大許容電力です。　

なお、回路設計の際以下の２点を守ってください。

１）印加電圧の直流成分と交流成分の和は、コンデンサの定格

電圧を超えてはなりません。

２）印加電圧の直流成分と交流成分の和は、マイナスになって

はいけません（逆電圧印加がないこと）。

リップル電流・電圧の算出法

リップル電流・リップル電圧の許容値は、コンデンサの表面温

度を周囲温度から一定温度上昇させるのに必要な電力損失に

基づき算出したものです。各シリーズおよびケースサイズの定

格電力損失を表１に示します。表１の電力損失から、Eq. 1を

使って許容リップル電流を、Eq. 2を使って許容リップル電圧を

計算します。ただしコンデンサの実装条件により伝熱性が大き

く異なります。

セクション２交流電圧使用、リップル電圧、リップル電流

２．１　リップルの定格

交流の用途ではコンデンサの内部の交流電流と漏れ電流に

より発熱します。交流電流による発熱量は波形およびその振

幅と周波数に依存します。実際の用途では漏れ電流による発

熱は無視できます。したがって、コンデンサ内部の発熱量は次

式により求められます。

P = I 2 R

変換すると最大許容リップル電流が得られます。

Tantalum OxiCap®TAJ/TMJ/TPS TPM TCJ NLJ

TRJ/THJ TLN TRM TCN TCM NOJ NOMTLJ TCR NOS

A 0.075 — — 0.100 – 0.090 —B 0.085 — — 0.125 – 0.102 —C 0.110 — — 0.175 – 0.132 —D 0.150 — 0.255 0.225 0.355 0.180 —E 0.165 — 0.270 0.250 0.410 0.198 0.324F 0.100 — — 0.150 – 0.120 —G 0.070 0.060 — 0.100 – 0.084 —H 0.080 0.070 — 0.100 – 0.096 —K 0.065 0.055 — 0.090 – 0.078 —L 0.070 0.060 — 0.095 – 0.084 —M — 0.040 — 0.080 – — —N 0.050 0.040 — 0.080 – — —P 0.060 — — 0.090 – 0.072 —R 0.055 – — 0.085 – 0.066 —S 0.065 0.055 — 0.095 – 0.078 —T 0.080 0.070 — 0.100 – 0.096 —U 0.165 — — 0.380 – — —V 0.250 — 0.285 0.360 0.420 0.300 —W 0.090 — — 0.130 – 0.108 —X 0.100 — — 0.175 – 0.120 —Y 0.125 0.115 0.210 0.185 0.310 0.150 —4 — 0.165 — 0.190 – — —6 — 0.230 — – – — —

ケースサイズ 許容電力損失値（W）

A 0.040B 0.040D 0.035E 0.010H 0.040J 0.020K 0.015L 0.025M 0.030Q 0.040R 0.045T 0.040U 0.035V 0.035X 0.040Z 0.020

温度（℃） リップル電流補正係数 最大温度上昇

+25 1.00 1.00 10+55 0.95 0.90 9+85 0.90 0.81 8.1

+105 0.65 0.42 4.2+115 0.49 0.24 2.4+125 0.40 0.16 1.6

+175 (THJ) 0.20 0.04 0.4+200 (THJ) 0.10 0.01 0.1

リップル電流の温度補正係数

Temp. °C Factor+25 1.00+55 0.95+85 0.90+105 0.40+125

0.40(NOS,NOM)

TACmicrochip® Series NLJ/NOJ/NOS/NOMTAJ/TMJ/TPS/TPM/TRJ/TRM/THJ/TLJ/TLN/TCJ/TCMTCN/NLJ/NOJ/NOS/NOM Series Molded Chip

TAJ/TPS/TPM/TRJ/TRM/THJ/TLJ/TLN

表１　許容電力損失値

+25 1.00 1.00 30+85 0.70 0.49 15

+105 0.45 0.20 6+125 0.25 0.06 1.8

TCJ/TCM/TCN/TCR

I = (P/R)1/2 Eq. 1

許容電力損失値（W）

ケースサイズ

電力損失補正係数

温度（℃） リップル電流補正係数 最大温度上昇電力損失補正係数

２０３

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

AVXでは、コンデンサに対して任意の周波数・振幅の正弦波

または矩形波の電流を流す装置を作り、実験を行いました。

放熱を防ぐためにコンデンサの温度上昇を赤外線カメラにて

測定しました。下図にC、D、Eケースの結果を示します。

次にI2Rをグラフに示すと、上図の２曲線は実際は一致します。

例

タンタルコンデンサをフィルタコンデンサとして使用します。

リップル電流を２Ap-pの２００kHz矩形波とします。矩形波は次

式に示すように基本波と奇数の高調波の無限級数から構成さ

れます。

ISquare = Ipksin (2πƒ) + Ipksin (6πƒ) + Ipksin (10πƒ) + Ipksin (14πƒ) +...

最初の４成分を次の表に示します。

例えば、TAJD686M006の場合の電力損失を下表に示します。

つまり全体の電力損失は０．０６９Wです。これを前列の上の図

中のDケースの曲線に当てはめると、コンデンサの表面温度が

５℃上昇することがわかります。詳しくはAVXの技術ライブラリ

（AVXのウェブサイト内）Ripple Rating for Tantalum

Capacitorsを参照してください。

70.00

60.00

50.00

40.00

30.00

20.00

10.00

0.00

0.00 0.05 0.450.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.50

FR

100KHz

1 MHz

70

60

50

40

30

20

10

0

0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20

実効電流（A）

温度

上昇

（℃）

100KHz

1 MHz

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

00 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

電力損失（W）

温度

（℃） Cケース

Dケース

Eケース

周波数 典型的ESR（Ω） 電力損失（W）Irms2 x ESR

200 KHz 0.120 0.060600 KHz 0.115 0.0061 MHz 0.090 0.002

1.4 MHz 0.100 0.001

周波数 実効電流（A）電流（Ap-p)

200 KHz 2.000 0.707600 KHz 0.667 0.2361 MHz 0.400 0.141

1.4 MHz 0.286 0.101

ESR（Ω

）

1

0.1

0.01100 1000 10000 100000 1000000

周波数（Hz）

コンデンサをFR４の基板に実装しました(放熱器は未使用)。

リップルの周波数は１kHz〜１MHzでした。上図を見てもわかる

ように、Cケースの平均PMAXは０．１１Wで、表１の値に一致し

ます。

Dケースの平均PMAXは０．１２５Wです。これは表１の値より０．

０２５W低いです。Eケースの平均PMAXは０．２００Wで、表１の

値より０．１６５W大幅に上回ります。

下図に示す典型的なコンデンサのESR周波数特性を見てもわ

かるように、ESRの値は周波数に依存性があります。よって、

リップル電流により発生する電力損失は周波数により異なりま

す。このことは次の図に明確に示されています。１MHzのリップ

ル電流による温度上昇は、１００kHzのリップル電流と比べて低

くなります。ESR vs 周波数

(TPSE107M016R0100)

温度

上昇

（℃）

F38/F72/F75/F91/F92/F93/F95/F97/F98

許容電力損失値

２０４

高密度実装で熱対策がされていない基板では部品温度を１０℃

上げるに必要な熱は定格の１０分の１となる場合があります。こ

のような用途の場合には部品温度を熱電対もしくは赤外線カメ

ラで確認することを推奨します。表面温度が１０℃以上上がる場

合は低ESRの部品もしくは定格電圧が高い部品を選定すること

を推奨します。

詳しくはThermal Management of Surface Mounted Capacitors

を参照してください。

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

リードフレーム

はんだ

樹脂

銅

TANTALUMアノード

121℃／W

73 ℃／W

236℃／W

X - リップル電流試験結果（樹脂モールド品）

XX

X

温度

（℃）

140

120

100

80

60

40

20

00 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4

PCB MIN Cu AIR GAP CAP IN FREE AIR

表面実装されているコンデンサの放熱

２．２　酸化ニオブコンデンサのリップル

酸化ニオブはタンタルに比べて２倍の比熱容量を有するため、

酸化ニオブコンデンサの許容電力損失はタンタルコンデンサに

比べて１．２倍大きくなります。（比熱容量とは、単位質量の物質

を単位温度上げるのに必要な熱量です。）

２．３　熱管理

交流電流によりコンデンサの内部で熱が発生します。なお、発熱

量はP = I2R（発熱量＝実効電流2×等価直列抵抗）から計算しま

す。この熱は、熱伝導によりコンデンサの表面から基板へ移動し

ます。移動の効率は基板の放熱設計に依存します。

セクション２．１に示す電力損失の定格は部品を基板に実装しな

いで、細いワイヤで繋いだ状態で実験を行って算出したもので

す。効率の良い放熱器または強制空冷を使用すればこれらの定

格を満足することができます。

基板

熱抵抗とリップル電流（Cケース）

PCB MAX Cu THERMAL　　

電力損失（W）

２０５

技術サマリーおよびアプリケーションガイドラインセクション３信頼性および故障率の計算方法

３．１　定常状態

タンタルコンデンサと酸化ニオブコンデンサは磨耗故障のメカ

ニズムがなく、ある条件では自己修復機能が働きます。動作

中に故障が発生することがありますが、アルミ電解など他種

類コンデンサとは異なりタンタルコンデンサの故障率は時間

経過につれて減少していきます。

タンタルコンデンサと酸化ニオブコンデンサの耐用寿命期間の

故障率は主に３つの要因に影響されます。故障率を次式によ

り求めます。

基本故障率

標準タンタルコンデンサはレベルM信頼性（１％／１０００時間、

８５℃、０．１Ω／V）に対応します。

１％／１０００時間：TAJ, TPS, TPM, TCJ, TCM , TCN, TAC

０．５％／１０００時間：TCR, TMJ, TRJ, TRM, THJ, NOJ

０．２％／１０００時間：NOS, NOM

TLJ, TLN, TLC, NLJはその温度ディレーティングの関係で０．５×定

格電圧／８５℃／０．１Ω/Vで規定します：

FB：０．２％／１０００時間、信頼水準＝６０％

動作温度と電圧ディレーティング

信頼性を向上するために最大印加電圧よりも高い定格電圧の

コンデンサを選定することを電圧ディレーティングと呼んでい

ます。

図２aのグラフは電圧ディレーティングと信頼性の関係を示して

おり、各動作電圧に対する補正係数FUを示しています。

図２b　推奨電圧ディレーティング

図２c　回路インピーダンスに対する推奨電圧ディレーティング

耐用寿命期

使用期間の信頼性は、電圧ディレーティングや使用温度、直列抵抗により異なります。

初期故障期

タンタルの推奨レンジ

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

00.01 0.1

動作

電圧

／定

格電

圧

1.0 10 100 1000 10000

OxiCap®, Tantalum Polymer TCJ, TCN

低インピーダンス回路

一般回路

40

30

20

10

010 16 20 25

定格電圧（V）

動作

電圧

（V）

35 50

10.0

1.0

0.1

0.01

0.001

0.00010 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

印加電圧／定格電圧の比率FV補

正係

数

0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2

Tantalu

m/Ox

iCap

®

図１　タンタルおよび酸化ニオブの信頼性

F = FV x FT x FR x FB

ここで F：故障率FV：使用電圧の補正係数FT：温度の補正係数FR：直列抵抗の補正係数FB：基本故障率

FB：

4 6.3

回路抵抗（Ω／V）

図２a　補正係数 vs 電圧ディレーティング（信頼水準＝６０％）

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン動作温度

動作温度がコンデンサの定格温度以内であれば、信頼性は図

３に示すように向上します。このグラフは各動作温度に対する

FTを示しています。

回路インピーダンス

全ての固体電解タンタルコンデンサおよび酸化ニオブコンデン

サは、その誘電体皮膜をサージから保護するために電流を制限

する抵抗を必要とします。このため直列保護抵抗を挿入すること

を推奨します。回路インピーダンスが低い場合、特に周囲温度が

２０℃以上の場合に故障率が増大する可能性があります。インダ

クタンスが大きい低インピーダンス回路の場合にはサージ電圧、

インダクタンスが小さい回路の場合にはサージ電流が印加され

る可能性があり、故障に至る局所的な発熱の原因となります。

推奨インピーダンスは１Ω／Vです。これが不可能な場合、これ

に相当する電圧ディレーティングを適用することを推奨します

（MIL Handbook 217Eも参照してください）。図４の表は回路抵抗

の抵抗補正係数FRへの影響を示します。

インピーダンスが０．１Ω／V以下の回路、もしくは重要用途の

場合にはヒューズなどの保護素子の使用を検討してください。

計算の例

例として１２Vラインを取り上げます。ビデオ帯域アンプの電源ラ

インのデカプリングコンデンサとして１０μFが必要です。回路イ

ンピーダンスは基板の電源ユニットの出力インピーダンスと配

線抵抗から構成されます。合計で２Ω（０．１６７Ω／V）としま

す。使用温度を−２５℃〜８５℃とします。１０μF／１６Vのコンデ

ンサを選定すると、故障率は次のように計算します。

FT ＝ １．０　（８５℃）

FR ＝ ０．８５　（０．１６７Ω／V）

FV ＝ ０．０８　（印加電圧÷定格電圧＝７５％）

FB ＝ １．０％／１０００時間

従って

F＝１．０×０．８５×０．０８×１＝０．０６８％／１０００時間

２０Vのコンデンサを選定すれば、FVは０．０１８まで下がるため

F＝１．０×０．８５×０．０１８×１＝０．０１５３％／１０００時間

になります。

３．２　動的状態

セクション１．２．４でも述べたように、固体電解コンデンサは耐

サージ性に限界があり、サージにより故障する場合があります。

動的状態の故障率は、定常状態の故障率とは違い簡単に計算

することはできません。故障を抑えるために設計者としてコント

ロールできることは直列抵抗とディレーティングです。

下表は、AVXで行った低インピーダンスサージ試験の結果で

す。なお、表はタンタルコンデンサの結果を示していますが、酸

化ニオブコンデンサも同様な結果となると思われます。

この実験結果を見てもわかるように、ディレーティングが大きけ

れば大きいほど故障率が低下します。なお、この実験を加速

条件で行ったため故障率が高くなっています。実際の用途に

おける故障率は０．１PPM未満になります。

タンタルコンデンサの故障率はコンデンサの漏れ電流から予

測できません。下表は、漏れ電流を３ランクに分けた４７μF／

１０Vのタンタルコンデンサのサージ試験結果です。

静電容量・ 試験数量 ５０％ディレーティング

ディレーティングなじ定格電圧

47μF 16V 1,547,587 0.03% 1.1%100μF 10V 632,876 0.01% 0.5%22μF 25V 2,256,258 0.05% 0.3%

0

100.0

1000.0

10.0

1.0

0.1

0.014020 60 80 100 120 140 160 180 200

10000.0

温度（℃）

TantalumNOJ

NOS

補正

係数

FT

回路抵抗FR

Ω／V3.0 0.072.0 0.11.0 0.20.8 0.30.6 0.40.4 0.60.2 0.80.1 1.0

図３　温度の補正係数FT

２０６

２０７

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

この試験も加速条件で行いましたが、実際の用途の故障率は数

PPM未満になると思われます。

酸化ニオブコンデンサはタンタルと比べて耐サージ性が高いた

め８０％ディレーティングを推奨します。ただし、超低インピーダ

ンス回路の場合にさらにディレーティングを見てください。

下表は、タンタルコンデンサおよび酸化ニオブコンデンサに関

するAVX推奨ディレーティングを示しています。

タンタルコンデンサの耐サージ性の詳細についてAVXの技術

ライブラリのSurge in Solid Tantalum Capacitorsを参照してく

ださい。

電圧ディレーティングを適用することにより、コンデンサの耐

サージ性だけでなく定常状態の信頼性も向上されます。たとえ

ば、５Vライン／４０℃／０．１Ω／Vで６．３Vのコンデンサを使

用する場合の故障率は

F ＝ FU×FT×FR×１．０％／１０００時間

＝ ０．１５×０．１×１×１．０％／１０００時間

＝ ０．０１５％／１０００時間

一方、１０Vのコンデンサを使用する場合の故障率は

F ＝ FU×FT×FR×１．０％／１０００時間

＝ ０．００６×０．１×１×１．０％／１０００時間

＝ ６×１０−４％／１０００時間

従って、電圧ディレーティングを大きくすることにより信頼性

が１０倍向上されます。

試験数量 サージ故障数

10,000 25規格値内

0.1 μA to 1μA

10,000 26規格範囲外

5μA to 50μA

10,000 25ショート

50μA to 500μA

ライン電圧 コンデンサの定格電圧

(V) Tantalum OxiCap®

3.3 6.3 45 10 6.38 16 1010 20 –12 25 –15 35 –

>24 ２個以上直列接続 –

２０８

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

鉛フリーはんだ

予熱時間：　150±15ºC/60–120秒

ピーク温度：　245±5ºC

ピーク温度勾配：　2.5ºC/秒

２３０℃以上最大時間：　40秒

SnPbはんだ 予熱時間：　150±15ºC/60–90秒

ピーク温度：　220±5ºC

ピーク温度勾配：　2ºC/秒

はんだ融点以上最大時間：　60秒

SnPbはんだ

予熱時間：　50-165ºC/90-120秒

ピーク温度：　240-250ºC

備考： TCJ, TCM, TCN, TCR, F38, TLN , F98は手はんだに対応しません。※上記条件外で基板付けが必要な場合は弊社までお問い合わせください。

チップの直径 用途に合わせる

最高温度 +370°C

最大接触時間 3秒

静電気対策 必要なし

セクション４

推奨はんだ付け条件

タンタルコンデンサおよび酸化ニオブコンデンサは鉛フリーは

んだに対応し、J-STD-020に準拠しています。リフローは最大　

　２６０℃／１０秒／３回（Fシリーズは２回）で行うことができます。

リフロー直後の電気的特性は初期値と異なることがあるため、

測定を行う前に常温で安定させる必要があります。

推奨リフロープロファイル

推奨ウェーブはんだプロファイル

鉛フリーはんだ

予熱時間：　50-165ºC/90-120秒

ピーク温度：　250-260ºC

ウェーブ時間：3-5秒 （最大10秒）

ウェーブ時間：　3-5秒 （最大10秒）

基板の上面温度は150℃を超えてはなりません。

鉛フリーリフローの一般情報

ご使用のはんだを鉛フリーに変更する際、以下のことをよく確

認してください。

１） 鉛フリーのフィレットはSnPbと比べて黒くなるため、外観検

査の基準を調整する必要があります。

２） リフロー温度を上げる必要があるため、樹脂が若干黒くな

る可能性があります。（Tシリーズ）

３） 鉛フリーはんだは、鉛はんだと比べてセルフアラインメン

ト効果が劣ります。標準パッドをそのまま使用できますが、実

装機の調整が必要になる場合があります。

推奨手はんだ条件

推奨手はんだ条件は下表に示します。

２０９

セクション５

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

電極端子

５．１　材料

電極端子の材料は４２アロイ（鉄５８％、ニッケル４２％）または

銅が使用されます。銅の電極端子は主に低ESR品、４２アロイ

はそれ以外の製品に使用されています。部品別の電極端子の

材料について弊社までお問い合わせください。

５．２　表面処理

電極端子の標準表面処理はすずめっき（１００％Sn）です。オプ

ションとして金（Au）もしくはすず・鉛（SnPb）を部品番号末尾の

文字で指定できます。

５．２．１　１００％Snめっき

鉛フリーとRoHSに対応する標準表面処理です。AVXではウィス

カ防止に関する最新情報を常に把握しております。ウィスカ対

策として、ニッケルバリア上にマット仕上げすずめっきを施した

後、リフローにより表面の再結晶化を行うことが現在一般に使

用されています。ウィスカの確認はNEMIの推奨条件および

JEDECの標準要求に基づいて実施しております。

５．２．２　金めっき

特別オプションの金めっきは主に、導電性接着剤を使用する組

立で用いられます。

５．２．３　SnPbめっき

SnPbめっき（すず９０％、鉛１０％）は、特別オプションとして指定

できます。

※指定できるめっきのオプションは部品によって異なります。詳

細について弊社までお問い合わせください。

A

x

Y

D

C Bz

PW

PL PSPSL

PW

PLP PLNPSPSL

セクション６コンデンサの機械的および熱的特性

６．１　加速度９８．１m／s２　（１０g）

６．２　耐振動試験１０〜２０，０００Hz、０．７５mm、９８．１m／s２

６．３　衝撃試験台形波、９８．１m／s２　、６ms

６．４　せん断強度試験（固着性）　　IEC 384-3による／５N以上

６．５　基板曲げ試験（端子強度）

コンデンサの電極端子は柔軟性を有するため基板曲げによるストレスを防ぐことができます。

６．６　はんだ付け条件

　温度が２７０℃以下、はんだ時間が３秒以内で基基板厚みが

１．０mm以上であればウェーブはんだを使用可能です。

６．７　注意事項

いずれの動作条件でも、コンデンサの最大許容温度を超えてはなりません。特にバルブやパワートランジスタなど発熱する部品の近くに実装するに当たって十分に配慮しなければなりません。また、リード付きコンデンサを実装時に、リードを曲げる場合にはコンデンサの本体にストレスをかけないように注意が必要です。

６．８　取り付け位置

特に制限ありません。

６．９　フラックス

酸を含むフラックスの使用はお控えください。

６．９．１　部品のフットプリントに関するガイドライン

部品のフットプリントとは、部品の端子が占める面積を意味します。下図のA、B、C、Dになります。なお、フットプリントはセンターラインに対して対照的です。

x、y、z寸法は、部品とそのはんだフィレットの外観チェックをできるように部品間スペースを確保しながら、部品が実装中に回らないように最小限に抑えることを推奨します。

PSおよびPW寸法（Fシリーズ：c、a）はx、z寸法から計算されます。 y寸法はウェーブはんだを使うかリフローはんだを使うかにより異なります。

リフローはんだの場合はPL（Fシリーズ：＋側：b、ー側：b'）、PW（Fシリーズ：a）、PSL寸法を使用してください。ウェーブはんだの場合、PWwをはんだの量を減らすために電極端子の幅よりも狭く設定しました。

なお、樹脂外装コンデンサの場合には陽極タブ（凸部）を含む全長中心部ランド中心部にΔCの差があります。実装時のΔC分陽極側にずらしてマウントしてください。

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

ケースサイズ PSL PL PS PW PWwA 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)B 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 2.80 (0.110) 1.60 (0.063)C 6.50 (0.256) 2.00 (0.079) 2.50 (0.098) 2.80 (0.110) 1.60 (0.063)D 8.00 (0.315) 2.00 (0.079) 4.00 (0.157) 3.00 (0.119) 1.70 (0.068)E 8.00 (0.315) 2.00 (0.079) 4.00 (0.157) 3.00 (0.119) 1.70 (0.068)F 6.50 (0.256) 2.00 (0.079) 2.50 (0.098) 2.80 (0.110) 1.60 (0.063)G 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)H 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 2.80 (0.110) 1.60 (0.063)K 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)L 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 2.80 (0.110) 1.60 (0.063)N 2.70 (0.100) 0.95 (0.037) 0.80 (0.030) 1.60 (0.060) 0.80 (0.030)P 2.70 (0.100) 0.95 (0.037) 0.80 (0.030) 1.60 (0.060) 0.80 (0.030)R 2.70 (0.100) 0.95 (0.037) 0.80 (0.030) 1.60 (0.060) 0.80 (0.030)S 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)T 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 2.80 (0.110) 1.60 (0.063)U 8.00 (0.315) 2.00 (0.079) 4.00 (0.157) 3.70 (0.145) 1.80 (0.071)V 8.00 (0.315) 2.00 (0.079) 4.00 (0.157) 3.70 (0.145) 1.80 (0.071)W 6.50 (0.256) 2.00 (0.079) 2.50 (0.098) 2.80 (0.110) 1.60 (0.063)X 8.00 (0.315) 2.00 (0.079) 4.00 (0.157) 3.00 (0.119) 1.70 (0.068)Y 8.00 (0.315) 2.00 (0.079) 4.00 (0.157) 3.00 (0.119) 1.70 (0.068)Z 8.00 (0.315) 2.00 (0.079) 4.00 (0.157) 3.70 (0.145) 1.80 (0.071)H 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 2.80 (0.110) N/AK 4.00 (0.157) 1.40 (0.054) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) N/AL 3.50 (0.138) 1.15 (0.045) 1.20 (0.047) 2.40 (0.047) N/AM 2.30 (0.091) 0.90 (0.035) 0.50 (0.020) 1.10 (0.043) N/AN 2.00 (0.079) 0.70 (0.028) 0.60 (0.024) 1.10 (0.043) N/AS 3.50 (0.138) 1.15 (0.045) 1.20 (0.047) 1.20 (0.047) N/AT 3.50 (0.138) 1.15 (0.045) 1.20 (0.047) 2.40 (0.047) N/AY 7.20 (0.283) 1.50 (0.059) 4.20 (0.165) 2.50 (0.098) N/A6 15.20 (0.598) 3.00 (0.120) 9.20 (0.360) 5.50 (0.217) N/AA 4.40 (0.173) 1.60 (0.063) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)B 4.70 (0.185) 1.70 (0.070) 1.30 (0.051) 3.00 (0.118) 1.50 (0.059)C 4.40 (0.173) 1.60 (0.063) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)D 4.40 (0.173) 1.60 (0.063) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)E 0.90 (0.035) 0.30 (0.012) 0.30 (0.012) 0.30 (0.012) N/AH 3.20 (0.126) 1.30 (0.051) 0.60 (0.024) 1.50 (0.059) 0.075 (0.375)J 2.80 (0.110) 1.10 (0.043) 0.60 (0.024) 1.00 (0.039) 0.50 (0.020)K 2.20 (0.087) 0.90 (0.035) 0.40 (0.016) 0.70 (0.028) 0.35 (0.014)L 2.80 (0.110) 1.10 (0.043) 0.60 (0.024) 1.00 (0.039) 0.50 (0.020)M 3.20 (0.126) 1.30 (0.051) 0.60 (0.024) 1.00 (0.039) 0.50 (0.020)Q 3.20 (0.126) 1.30 (0.051) 0.60 (0.024) 1.50 (0.059) 0.075 (0.375)R 3.20 (0.126) 1.30 (0.051) 0.60 (0.024) 1.50 (0.059) 0.075 (0.375)S 4.40 (0.173) 1.60 (0.063) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)T 4.70 (0.185) 1.70 (0.070) 1.30 (0.051) 3.00 (0.118) 1.50 (0.059)U 3.20 (0.126) 1.30 (0.051) 0.60 (0.024) 1.50 (0.059) 0.075 (0.375)V 4.40 (0.173) 1.60 (0.063) 1.20 (0.047) 1.80 (0.071) 0.90 (0.035)Z 2.80 (0.110) 1.10 (0.043) 0.60 (0.024) 0.70 (0.028) 0.35 (0.014)

SMD ‘J’

Lead &

OxiCap®

（Fシリーズを除いて）

TLN & TCN

下面電極

TACmicrochip®

シリーズ

シリーズ

ケースサイズ a b b' c Δc*U 0.35 (0.014) 0.40 (0.016) 0.40 (0.016) 0.40 (0.016) 0.00M 0.65 (0.026) 0.70 (0.028) 0.70 (0.028) 0.60 (0.024) 0.00S 0.90 (0.035) 0.70 (0.028) 0.70 (0.028) 0.80 (0.032) 0.00P 1.00 (0.039) 1.10 (0.043) 1.10 (0.043) 0.40 (0.016) 0.00A 1.30 (0.051) 1.40 (0.060) 1.40 (0.055) 1.00 (0.039) 0.00B 2.30 (0.091) 1.40 (0.060) 1.40 (0.055) 1.30 (0.051) 0.00C 2.30 (0.091) 2.00 (0.079) 2.00 (0.079) 2.70 (0.106) 0.00N 2.50 (0.091) 2.00 (0.079) 2.00 (0.079) 4.00 (0.158) 0.00

R·P 1.40 (0.055) 0.60 (0.024) 0.50 (0.020) 0.70 (0.028) 0.20 (0.008)Q·S 1.70 (0.067) 0.70 (0.028) 0.60 (0.024) 1.10 (0.043) 0.20 (0.008)A 1.80 (0.071) 0.70 (0.028) 0.60 (0.024) 1.10 (0.043) 0.20 (0.008)T 2.60 (0.102) 0.70 (0.028) 0.60 (0.024) 1.20 (0.047) 0.20 (0.008)B 2.60 (0.102) 0.80 (0.032) 0.70 (0.028) 1.10 (0.043) 0.20 (0.008)

R·M 5.80 (0.228) 1.20 (0.047) 1.20 (0.047) 3.90 (0.154) 0.50 (0.020)U·C 3.00 (0.118) 1.20 (0.047) 1.20 (0.047) 3.30 (0.130) 0.50 (0.020)D 4.10 (0.161) 1.20 (0.047) 1.20 (0.047) 3.90 (0.154) 0.50 (0.020)R 5.80 (0.228) 1.20 (0.047) 1.20 (0.047) 3.90 (0.154) 0.50 (0.020)

F38, F91,F92, F93,F97, F98

F95, AUDIO F95樹脂外装

F72樹脂外装

F75樹脂外装

シリーズ

+-

b´ c

a

b

c

ノズルの中心

※樹脂外装コンデンサの場合、 ΔC分陽極側にずらしてマウントしてください。

備考：SMD ‘J’ Lead = TAJ, TMJ, TPS, TPM, TRJ, TRM, THJ, TLJ, TCJ, TCM, TCR

備考

表中の寸法はEIAに準拠する推奨寸法です。リフローはんだの場合には縮小することが可能です。

パッド寸法（Fシリーズ） mm（インチ）

パッド寸法　mm（インチ）

ケースサイズ PSL PLP PLN PS PW

4 7.60 (0.299) 2.20 (0.087) 3.40 (0.134) 2.00 (0.079) 4.80 (0.190)TLN & TCN下面電極

シリーズ

２１０

２１１

セクション８　認定状況

技術サマリーおよびアプリケーションガイドライン

樹脂 UL 規格 酸素インデクス

UL94 V-0 35%TAJ/TMJ/TPS/TPM/TRJ/TRM THJ/TLJ/TLN/TCJ/TCM TCN/

TCR/NLJ/NOJ/NOS/NOM

説明 シリーズ 仕様

表面実装コンデンサ TAJ CECC 30801 - 005 Issue 2CECC 30801 - 011 Issue 1

PW

PLP PSPSL

ケースサイズ PSL PL PS PW PWW

9 13.20 (0.520) 2.40 (0.094) 8.40 (0.331) 11.80 (0.465) N/A

I 13.00 (0.512) 3.80 (0.150) 5.40 (0.213) 5.30 (0.210) N/A

I 10.60 (0.417) 3.00 (0.118) 4.60 (0.181) 4.00 (0.157) N/A

TCH & THHJ-リードのみ

THHJ-リードのみ

THH下面電極のみ

シリーズ

ケースサイズ PSL PL PS PKW PW PK

9 11.00(0.433) 1.70(0.067) 7.60(0.300) 10.60(0.417) 3.00(0.118) 4.60(0.181)TCH & THH下面電極のみ

シリーズ

密閉表面実装のパッド寸法 　mm（インチ）

PW

PK

PW

PKW

PL PS PL

PSL

-

-

+

+

６．１０　基板の洗浄

タンタルコンデンサはほとんど全ての基板洗浄方法に対応します。水性洗浄を行う場合、電気的特性試験を行う前に十分に乾燥させてください。 超音波洗浄を使用する場合、パワーを１０W／ℓ以下に設定し、バス中の振動節を防ぐように注意してください。

セクション７　樹脂の可燃性

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