Interview Current affairs Civil services Banking Engineering MBA GD Placement papers HR CV Cover letter Aptitude English Online testAsk question!

Search

 

Semiconductors and Transistors  Electronics Engineering test questionsTopics > Electronics and Communication Engineering > Electronics Engineering test questions for exams & entrance > Semiconductors andTransistors  Electronics Engineering test questions > Post your comment 

 

Semiconductors and Transistors  Electronics Engineering test questions11112013 11:15 PM 

Semiconductors and Transistors  Electronics Engineering testquestions

(1) ________________ is an active device

(A) Silicon controlled rectifier(B) Transformer(C) Loud speaker(D) Bulb

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Silicon controlled rectifier

Also ReadSemiconductors and Transistors Electronics Engineering testquestions

Network Theory  ElectronicsEngineering test questions

RLC Circuits  ElectronicsEngineering test questions

Oscillators, Digital circuits Electronics Engineering testquestions

Telephony  Electronics Engineeringtest questions

Optoelectronics, Power electronics,Electromechanical systems

Microwaves and radar system Electronics Engineering testquestions

Satellite communication andTelevision systems  Electronics

Ads by Google

► NPN PNP Transistor► Transistors► MOSFET Transistor Switch

Ads by Google   ► Test Questions   ► Bipolar Test   ► Free Career Test   ► Semiconductors

(2) 1.12ev is the forbidden energy gap of

(A) Germanium(B) Gallium(C) Silicon(D) Aluminium

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Silicon

(3) Three valence electrons are not present in

(A) Boron(B) Gallium(C) Aluminium(D) Phosphorous

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Phosphorous

(4) When the temperature is absolute zero, a semiconductor behaves like

(A) A resistor(B) An insulator(C) A conductor (D) A variable resistor

View Answer / Hide Answer

ANSWER: An insulator

Engineering

Electrostatic magnetostaticcommunication system  ElectronicsEngineering

Electromagnetics TransmissionLines and waveguides  ElectronicsEngineering

Antennas and wave propagation Electronics Engineering testquestions

Amplifiers  Electronics Engineeringtest questions

Electronic Instrumentation Electronics Engineering testquestions

Engineering Materials  ElectronicsEngineering test questions

Radio receivers and transmitters Electronics Engineering testquestions

Control Systems  ElectronicsEngineering test questions

Amplitude, Frequency, PulseModulation  Electronics Engineering

Diodes and power supplies Electronics Engineering testquestions

AC Fundamentals  ElectronicsEngineering test questions

Vacuum Tubes  ElectronicsEngineering test questions

(5) The process of merging a free electrons and holes is called

(A) Mixing(B) Neutralization(C) Recombination(D) Zeroing

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Recombination

(6) If a voltage is applied to an intrinsic semiconductor at room temperature

(A) Electrons will move to positive terminal and holes will move to negative terminal(B) Electrons will move to negative terminal and holes will move to positive terminal(C) Maximum number of electrons and holes will move to negative terminal (D) Nothing will happen

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Electrons will move to positive terminal and holes will move to negative terminal

(7) The semiconductor material is ____________ before doping

(A) Heated (B) Purified(C) Washed(D) Dehydrated

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Purified

(8) Forbidden energy gap for silicon is 1.12ev and for germanium is 0.72ev. Therefore, itcan be concluded that

(A) Conductivity of both will be same at 100 degree Celsius.(B) Conductivity of both will be same at less than 100 degree Celsius(B) At room temperature silicon conductivity will be more than that of germanium.(C) At room temperature silicon conductivity will be less than that of germanium 

View Answer / Hide Answer

ANSWER: At room temperature silicon conductivity will be less than that of germanium

(9) In PN junction, the region that contains uncompensated acceptor and donor ions iscalled

(A) Active region(B) Passive region(C) Depletion region(D) Transition region

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Depletion region

(10) When forward bias is applied to a junction diode

(A) Potential barrier is decreased(B) Potential barrier is increased(C) Majority and minority carrier current is reduced to zero (D) Nothing will happen 

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Potential barrier is decreased

(11) The current in reverse bias for a PN junction diode may be

(A) Between 0.5 A and 1 A(B) Few micro amperes or few nano amperes(C) Few amperes (D) More than 1 A

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Few micro amperes or few nano amperes

(12) ____________ rectifier needs 4 diodes

(A) Bridge rectifier(B) Half wave rectifier(C) Centertap full wave rectifier(D) None of the above

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Bridge rectifier

(13) A voltage at 50 Hz is supplied to a full wave bridge rectifier .The lowest ripple factorwill be

(A) 200 Hz(B) 50 Hz

(C) 100 Hz (D) 400 Hz

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 100 Hz

(14) The PIV rating for signal diodes is usually in the range of 

(A) 150V to 400V(B) 10V to 30V(C) 1V to 10V(D) 30V to 150V

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 30V to 150V

(15) _________ are generally power diodes 

(A) Germanium diodes(B) Silicon diodes(C) Both germanium and silicon diodes (D) Either germanium or silicon diodes

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Silicon diodes

(16) Resistivity of a semiconductor mainly depends on

(A) Atomic nature of semiconductor(B) Shape of semiconductor(C) Size of semiconductor(D) Other parameters of semiconductor

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Atomic nature of semiconductor

(17) For incident light, the photo electric current (in amperes per watt) depends on

(A) Intensity of incident light(B) Frequency of incident light(C) Both frequency and intensity of incident light (D) None of the above

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Frequency of incident light

(18) The valence electrons of any semiconductor material are

(A) 3 or 5(B) 8(C) 6 (D) 4 

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 4

(19) ___________ causes diffusion current in a diode

(A) Crystal formation(B) Chemical energy(C) Heat energy(D) Electricity

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Crystal formation

(20) Hall’s effect can be used to measure

(A) Electrostatic field intensity(B) Average number of holes or electrons(C) Magnetic field intensity (D) Concentration of carriers

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Magnetic field intensity

(21) When a strong electric field is applied across a PN junction, covalent bonds breakapart

(A) It is called low voltage breakdown(B) It is called reverse breakdown(C) It is called avalance breakdown(D) It is called lever breakdown

View Answer / Hide Answer

ANSWER: It is called lever breakdown

(22) When the temperature of a NP junction is increased, what will increase??

(A) Reverse leakage current(B) Width of depletion layer(C) Junction barrier voltage (D) All of the above

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Reverse leakage current

(23) Failure of a transistor may be caused by 

(A) Short circuit due to overloads(B) Open weld at the wire leads to semiconductor(C) Overheating due to circuit failure(D) Any of the above

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Any of the above

(24) In most transistors, physically the collector region is made larger than the emitterregion 

(A) To distinguish it from base region and emitter region(B) To dissipate heat properly(C) As collector region is sensitive to ultraviolet rays (D) To reduce resistance in the path of flow of electrons

View Answer / Hide Answer

ANSWER: To dissipate heat properly

(25) Usually encapsulation of the transistor is done in 

(A) Epoxy resin(B) Graphite powder(C) Enamel paint (D) None of the above

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Epoxy resin

(26) Number specification that refers to FET with one gate is

(A) 2Y(B) 3X(C) 3N (D) 3Y

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 3N

(27) Heat in the heat sink is disposed off mainly by

(A) Conduction(B) Radiation(C) Natural convection (D) Forced convection

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Natural convection

(28) The amplifier circuit using junction transistors has the best gain in

(A) Common collector(B) Common base(C) Common emitter(D) All of the above has same gain

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Common emitter

(29) Class of amplifiers that operates with least distortion is

(A) Class A(B) Class B(C) Class C(D) Class D

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Class A

(30) To improve the low frequency response of an RCcoupled amplifier

(A) More bias is used(B) Higher Cc is used

(C) Lower RL is provided (D) Less gain is provided

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Higher Cc is used

(31) Plot to show the input voltampere characteristics of a commonemitterconfiguration is

(A) Vce versus Ic for constant values of Ib(B) Vcb versus Ic for constant values of Ie(C) Vbe versus Ib for constant values of Vce(D) None of the above

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Vbe versus Ib for constant values of Vce

(32) ________________ circuits can operate class AB for audio power output

(A) Darlington pair(B) Cascade(C) Emitter follower(D) Push pull

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Darlington pair

(33) The overall gain of three cascade stages having gains of 10,20 and 25 will be

(A) 55(B) 500(C) 10 (D) 5000

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 5000

(34) The fastest switching device is

(A) Triode(B) MOSFET(C) JFET (D) BJT

View Answer / Hide Answer

(35) In IC’s, the cascaded amplifier which is often used is 

(A) Direct coupled(B) Inductively coupled(C) Transformer coupled(D) Capacitively coupled

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Direct coupled

(36) Which one of the following is expected to have highest operating frequency?

(A) MOSFET

(B) JFET(C) Bipolar transistor(D) All of the above

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Bipolar transistor

(37) For FET, which of the statement given below is not true?

(A) It has large (gain x bandwidth)(B) It has high input impedance(C) It is less noisy than bipolar transistor(D) All of the above

View Answer / Hide Answer

ANSWER: It has large (gain x bandwidth)

(38) The minimum interference with frequency response is present in 

(A) Impedance coupling (B) Direct coupling(C) Transformer coupling(D) RC coupling

View Answer / Hide Answer

(39) Two stages that are present in Darlington pair are

(A) Both CC(B) Both CE(C) CE and CC

(D) CE and CB

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Both CE

(40) Dependence of the emitter bias is mainly on 

(A) Ie(B) Gain(C) Signal input (D) None of the above.

View Answer / Hide Answer

For questions 41 and 42 refer to given data below:

In a half wave rectifier, the turns ratio of a transformer is 10:1 and the primary is connected tothe power mains, 220V, 50Hz.

(41) If resistance of the diode in forward bias is zero then the dc voltage across the loadwill be nearly 

(A) 10V(B) 8V(C) 12V(D) 15V

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 10V

(42) The diodes peak inverse voltage will be nearly

(A) 50V(B) 62V(C) 31V(D) 41V

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 31V

(43) When a small amount of antimony is added to germanium then

(A) Concentration of antimony on the edges of the crystal will be more(B) Resistance will increase(C) Concentration of free electrons will be more than holes in the semiconductor(D) Ptype semiconductor is formed

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Concentration of free electrons will be more than holes in the semiconductor

(44) In case of a NPN transistor, if collector junction is reversed biased and emitterjunction is forward biased then the transistor will operate in 

(A) Inverted region(B) Active region(C) Saturation region(D) Cutoff region

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Active region

For questions 45 and 46 refer to given data below:

Collector leakage current is 5 micro amps and alpha dc is 0.98 for a certain transistor

(45) If Ie = 1mA, the collector current will be 

(A) 0.985mA(B) 1.005mA(C) 0.955mA(D) 0.975mA

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 0.985mA

Semiconductors and Transistors  Electronics Engineering test questionsSlesha Shirkey 11112013 11:16 PM 

(46) Base current for the above case will be

(A) 25 micro amps(B) 35 micro amps(C) 5 micro amps(D) 15 micro amps

View Answer / Hide Answer

ANSWER: 15 micro amps

(47) _____________ circuit would be preferred for 455KHz IF amplifier

(A) Class C(B) Resistance loaded

(C) Double tuned transformer(D) Video amplifier

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Double tuned transformer

(48) If we compare CB amplifier and CE amplifier, CE amplifier has

(A) Lower current amplification(B) Higher current amplification(C) Lower input resistance(D) Higher input resistanceView Answer / Hide Answer

ANSWER: Higher current amplification

(49) In case of CE amplifier, the input and output signals are always

(A) Out of phase(B) In phase(C) Complementary to each other(D) Equal

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Out of phase

(50) The normal collector voltage for a transistor is 12V.If it is found to be 28+ V then theproblem could be

(A) Ce is open(B) Ce is shorted(C) Re is open(D) Re is shorted

View Answer / Hide Answer

ANSWER: Re is open

(51) For a pn junction, reverse bias saturation current = 1 micro amp at 300K, Forwardbias voltage = 150 mV hence its dc slope resistance will be closer to

(A) 1240 ohm(B) 36 ohm(C) 1000000 ohm(D) 78 ohm

View Answer / Hide Answer

RE: Semiconductors and Transistors  Electronics Engineering test questionskoma 01262015 02:42 PM 

it was good to learn.But please include solution to problems.

<<PreviousRLC Circuits  ElectronicsEngineering test questions

Next>>Amplitude, Frequency, PulseModulation  ElectronicsEngineering

Post your comment

 

 

 Home |  About us |  Sitemap | Contact us

Copyright © 2008  2015 CareerRide.com. All rights reserved.  Terms of use  |  Follow us on Facebook! Bookmark to:

                     

  

Cognizant Hiring May'15timesjobs.com/CognizantJobsUrgent

562+ New Jobs For Exp: 515 Years Apply Now &get Multiple Interviews

Start Download

Improve English Speaking

Upgrade Your Kitchen with