Semiconductores
12
-
Upload
maycon-gomez-unac -
Category
Documents
-
view
216 -
download
0
description
Semiconductores Union Pn
Transcript of Semiconductores
EXPOSITOR:EXPOSITOR:INGENIERO ELECTRONICO INGENIERO ELECTRONICO
MONTEZA ZEVALLOS FIDEL TOMASMONTEZA ZEVALLOS FIDEL TOMAS
Técnico Inspector FAPTécnico Inspector FAP
CATEDRATICO DE LA UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL PERU
DOCENTE DE LA ESCUELA DE SUB OFICIALES DE LA Fuerza Aérea del Perú
Teléfonos: 969251176 - RPM: #717337 (Telefónica)
Email: [email protected]
Semiconductores de unión PN
PERÚ
- INTRODUCCION.
- CONTENIDO :1. La unión PN polarizada directamente.2. La unión PN polarizada inversamente.3. El diodo ideal y el diodo real.4. Curva característica INTENSIDAD-VOLTAJE del diodo.
- CONCLUSIONES.
- BIBLIOGRAFIA.
I N D I C E
INTRODUCCION
Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir el polo positivo de la pila a la región P y el polo negativo a la región N.La tensión U de la pila contrarresta la «barrera de potencial» creada por la distribución espacial de cargas en la unión, desbloqueándola, y apareciendo una circulación de electrones de la región N a la región P y una circulación de huecos en sentido contrarío.
Proceso interno en el diodo semiconductor en polarización directa
Semiconductores de unión PN
1. La unión PN polarizada directamente.
P NÁnodo Cátodo+ -
Tenemos así una corriente eléctrica de valor elevado, puesto que la unión PN se hace conductora, presentando una resistencia eléctrica muy pequeña. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido eléctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente eléctrica.
Semiconductores de unión PN
El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto.
1. La unión PN polarizada directamente.
Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal
Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir el polo positivo de la pila a la región N y el polo negativo a la región P.La tensión U de la pila ensancha la “barrera de potencial” creada por la distribución espacial de cargas en la unión, produciendo un aumento de iones negativos en la región P y de iones positivos en la región N, impidiendo la circulación de electrones y huecos a través de la unión.
Proceso interno en el diodo semiconductor en polarización inversa
Semiconductores de unión PN
2. La unión PN polarizada inversamente.
P NÁnodo Cátodo+-
Semiconductores de unión PN
3. El diodo ideal y el diodo real.
El diodo ideal
El diodo real.
La Figura muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.
En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento
Región de conducción en polarización directa (PD). Región de corte en polarización inversa (PI)Región de conducción en polarización inversa.
Semiconductores de unión PN
4. Curva característica INTENSIDAD-VOLTAJE del diodo.
Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se alcanza la tensión de barrera (VON).
El paso de conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P y N.
La intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0,7 V.
Semiconductores de unión PN
4. Curva característica INTENSIDAD-VOLTAJE del diodo.
DIRECCIONES INTERNET:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/elecmagnet/campo_electrico/campo/campo.htm
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_9.htm
