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Las movilidades de huecos y electrones no son constantes, sino que varan de dopaje de la muestra de Silicio. Intuitivamente, puede razonarse que cuanto mconcentracin de impurezas en el material, mayor ser la probabilidad de que

electrn/hueco interacte con la red cristalina produciendo colisiones. !s por edo ado neto de la muestra ocasiona una reduccin de la movilidad de los orta


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Figura : Volumen de referencia y conduccin de portadores por arrashuecos; b) electrones.

Para calcular la densidad de corriente de arrastre, se debe analizar la vcarga conrespecto al tiempo (i = dQ/dt), ante la presencia de un campo elctrico


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J= Densidad de corriente= !esistividad


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"igura # Di$usin de portadores con un gradiente no nulo deconcentracin.

&ara el anlisis, se considera una concentracin con un $radiente no nulo y un re'erencia a trav(s del cual pasaran los portadores. Se considera, por simplicidamovimiento de portadores sucede solo en el eje ). * cada lado del plano de re'analiza una re$in de seccin transversal * y de lon$itud ), tal como se ilustra


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"ig. Di$usin de %uecos & corrientes resultantes. #i$ura + i'usin de electrones y corriente


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