Simulation numérique du comportement des matériaux granulaires
Science des matériaux de lélectrotechnique Prof.dr.ing.Florin Ciuprina FILS, 2009-2010, 1231F...
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Science des matériaux de l’électrotechnique Prof.dr.ing.Florin CiuprinaFILS, 2009-2010, 1231F
Science des matériaux de l’électrotehnique
II Conduction electrique
4. Conduction electrique des semiconducteurs
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Conduction electrique des semiconducteurs
Structure du cours Chapitre Contenu
I Propriétés générales des cristaux
1 Corps cristallins Etats des corps Réseaux cristallins Défauts des réseaux cristallins
2 Electrons dans les cristaux Modèles (classique si quantiques) de l’électron. Bandes d’énergie associées aux corps cristallins. Classification des matériaux en conducteurs, semiconducteurs et isolants.
II Conduction électrique
3 Conduction électrique des métaux. Conduction aux températures usuelles Supraconductivité électrique.
4 Conduction électrique des semiconducteurs Mécanismes de conduction. Expressions des conductivités intrinsèque et extrinsèques
5 Conduction électrique des isolants solides Conduction en champs usuels (Conduction électronique, Conduction ionique), Conduction en champs intenses (Claquage des isolants solides).
III Propriétés diélectriques
6 Polarisation électrique Types de polarisation Polarisation en champs harmoniques. Pertes diélectriques.
IV Propriétés magnétiques
7 Types de magnétisme
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Conduction electrique des semiconducteurs
4. Conduction électrique des semiconducteurs
σ = 10-6 – 105 S/m
tip n tip p
semiconducteur intrinsèque semiconducteurs extrinsèques
wi = 10-2 – 10-1 eV wi = 0.5 – 1.5 eV
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Conduction electrique des semiconducteurs
4. Conduction électrique des semiconducteurs
4.1 Conduction des semiconducteurs intrinsèques
4.2 Conduction des semiconducteurs extrinsèques
4.3 Variation de la conductivité des semiconducteurs avec la température
4.4 Jonction p-n
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
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Conduction electrique des semiconducteurs
4. Conduction électrique des semiconducteurs
4.1 Conduction des semiconducteurs intrinsèques
4.2 Conduction des semiconducteurs extrinsèques
4.3 Variation de la conductivité des semiconducteurs avec la température
4.4 Jonction p-n
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.1 Conduction des semiconducteurs intrinsèques
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Conduction electrique des semiconducteurs
4. Conduction électrique des semiconducteurs
4.1 Conduction des semiconducteurs intrinsèques
4.2 Conduction des semiconducteurs extrinsèques
4.3 Variation de la conductivité des semiconducteurs avec la température
4.4 Jonction p-n
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.2 Conduction des semiconducteurs extrinsèquesde type n
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.2 Conduction des semiconducteurs extrinsèques de type p
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Conduction electrique des semiconducteurs
4. Conduction électrique des semiconducteurs
4.1 Conduction des semiconducteurs intrinsèques
4.2 Conduction des semiconducteurs extrinsèques
4.3 Variation de la conductivité des semiconducteurs avec la température
4.4 Jonction p-n
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.3 Variation de la conductivité des semiconducteurs avec la température
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Conduction electrique des semiconducteurs
4. Conduction électrique des semiconducteurs
4.1 Conduction des semiconducteurs intrinsèques
4.2 Conduction des semiconducteurs extrinsèques
4.3 Variation de la conductivité des semiconducteurs avec la température
4.4 Jonction p-n
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.4 Jonction p-n
Equilibre
0)()(
0)()(
diffusionJdriftJ
diffusionJdriftJ
nn
pp
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.4 Jonction p-n
Courant electrique stationnaire
drift diffusion
Deplacement Courantdes particules
Deplacement Courantdes particules
Deplacement Courantdes particules
(a) (b) (c)Equilibre Polarisation directe Polarisation inverse(U = 0) (U = Ud) (U = Ui)
I (diffusion)
(1) Diffusion trous (3) Diffusion electrons
(2) Drift trous (4) Drift electrons
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Conduction electrique des semiconducteurs
4. Conduction électrique des semiconducteurs
4.1 Conduction des semiconducteurs intrinsèques
4.2 Conduction des semiconducteurs extrinsèques
4.3 Variation de la conductivité des semiconducteurs avec la température
4.4 Jonction p-n
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
Silicium (Si) cristallise en réseau de
type diamant
utilisations: circuits intégrés diodes thyristors transistors batteries solaires traducteurs Hall
Caractéristique Si
Permittivité relative 11
Résistivité intrinsèque a 300 K [Ωm] (2,5-3)
103
Largeur de la bande interdite de Fermi
a 300 K [eV]
1,105
Mobilité des électrons a 300 K [m2/(Vs)] 0,145
Mobilité des trous a 300 K [m2/(Vs)] 0,048
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Conduction electrique des semiconducteurs
Germanium (Ge) cristallise en réseau de
type diamant
utilisations: diodes tunnel transistors détecteurs de radiations traducteurs Hall thermomètres pour
basses températures
Caractéristique Ge
Permittivité relative 16
Résistivité intrinsèque a 300 K [Ωm] 0,47
Largeur de la bande interdite de Fermi
a 300 K [eV]
0,665
Mobilité des électrons a 300 K [m2/(Vs)] 0,39
Mobilité des trous a 300 K [m2/(Vs)] 0,19
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
Sélénium (Se) présente une grande variété d’états allotropiques:
vitreux, amorphe, cristallin. utilisations: photo-élements, redresseurs etc.
Carbure de silicium (SiC) présente une grande variété de poli-types cristallins. utilisations: varistors si dispositifs de grande puissance,
résistants aux radiations, qui travaillent aux fréquences et températures élevées.
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Conduction electrique des semiconducteurs
4.5 Utilisations des matériaux semiconducteurs
Composes semiconducteurs AII - BIV
ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe utilisations: photo-resistances, traducteurs Hall, traducteurs de
pression etc.
Composes semiconducteurs AIII - BV
InSb, InAs, InP, GaSb, GaAs, AlSb utilisations : diode tunnel, transistors, dispositifs optoélectroniques etc.