Resist Meeting Saclay 15/11/07 E. Delagnes + S. Turnbull
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Resist MeetingSaclay 15/11/07
E. Delagnes + S. Turnbull
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~20µm ProtectiveLayer
GazCD
Cc CRCL
Protection par Silicium amorphe
Eps R = 10Resistivity ~ 1010 Ohm.cm
sur une tranche de 50µm x 50µm:la resistance verticale est de l’ordre de 1 GOhm.la capa verticale est de 50 fF=> 50 µs time constant à comparer avec le shaping de Medipix (<100ns)=> le signal est couplé capacitivement à l’électronique!!!=> La résistance sert essentiellement à polariser (et protéger) le détecteur
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Modèle électrique du pauvre avec Cadence
•Pour une tranche correspondante à un pad, le volume de Si amorphe est divisé en 10x10 carrés (cubes) de schéma équivalent:
•Les R et C sont totalement paramétrables (épaisseur, résistivité, Eps).•Conditions aux limites => géométrie des zones interpads de Medipix.•Modèle simplifié du préampli de Medipix•Pas de modélisation électrostatique => C est identique pour toutes les mailles.
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Modèle électrique: « ligne » de 16 pads
Injection Position (PAD/10 steps)
Medipix PAD i Medipix PAD i+1Medipix PAD i-1
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Réponse temporelle simulée
Pad sur lequel le signal est injecté
Pad voisin
Undershoot invisible
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Pad response fonction
1 pad = 10 units