Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base ...
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Submitted on 13 Oct 2016
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Réalisation et caractérisation de transistors MOS à basede nanofils verticaux en silicium
Youssouf Guerfi
To cite this version:Youssouf Guerfi. Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils verticaux ensilicium. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2015.Français. �NNT : 2015TOU30253�. �tel-01261513v3�
THESETHESE
En vue de l’obtention du
DOCTORAT DE L’UNIVERSITE DE TOULOUSE
Delivre par : l’Universite Toulouse 3 Paul Sabatier
Presentee et soutenue le jeudi 10 decembre 2015 par :
Youssouf GUERFI
Realisation et caracterisation de transistors MOS a base de nanofils
verticaux en silicium
JURY
Sylvain BOLLAERT Professeur d’Universite Rapporteur
Laurent PICHON Professeur d’Universite Rapporteur
Alain CAZARRE Professeur d’Universite President
Bassem SALEM Charge de recherche Examinateur
Ecole doctorale et specialite :
GEET : Micro et Nanosystemes
Unite de Recherche :
Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systemes (UPR 8001)
Directeur(s) de These :
Guilhem LARRIEU et Filadelfo CRISTIANO
Rapporteurs :
Sylvain BOLLAERT et Laurent PICHON