Modelos do Transistor MOS Lâminas adaptadas do curso do Rabaey

Modelos do Transistor MOSModelos do Transistor MOS

Lâminas adaptadasLâminas adaptadasdo curso do Rabaeydo curso do Rabaey

What is a Transistor?

VGS VT

RonS D

A Switch!

|VGS|

An MOS Transistor

The MOS Transistor

PolysiliconAluminum

NN

NN

NN

PP

PoliPoli

Silício PolicristalinoSilício Policristalino

Óxido de SilícioÓxido de SilícioSiOSiO22

Silício Monocristalino

““Difusão N”Difusão N” Substrato PSubstrato P

cortecorte

planta baixaplanta baixa

Transistor MOSTransistor MOS

NN

NN

NN

PP

““Difusão N”Difusão N”

Substrato PSubstrato P

planta baixaplanta baixaContato

FonteFonte DrenoGrade

corte

canalcanal


MOS Transistors -Types and SymbolsMOS Transistors -Types and Symbols

D

S

G

D

S

G

G

S

D D

S

NMOS Enhancement NMOS

PMOS

Depletion

Enhancement

Vcc

PMOS withBulk Contact

D

S

G B

NMOS withBulk Contact

G

D

S

PMOS Depletion

G

Transistor MOS - Princípio de FuncionamentoTransistor MOS - Princípio de Funcionamento

• Substrato P: alta concentração de “buracos” (cargas positivas).

• Regiões N: alta concentração de elétrons.

• Chave controlada por tensão

• Devido ao isolamento entre gate e source/dreno praticamente não há corrente no gate

• Tensão de threshold (Vth):

– tensão a partir da qual o transistor começa a conduzir.

n+n++ + + ++ + + +

NNNN

PP ““Difusão N”Difusão N”

FonteFonteDreno

Grade = 0 VGrade = 0 Vcanal “aberto”canal “aberto”

NNNN

PP

FonteFonte DrenoGrade = VCCGrade = VCC

canal “fechado”canal “fechado”



• Voltagem aplicada no gate, em relação ao substrato, aumenta o número de elétrons no canal, aumentando sua condutividade

Vth = 0.82V

Ids

Vgs

gate

dreno

source

Vgs

Ids

Ids=2.2nA


• Vgs << Vt

– Cortado

• Vgs Vt

– Início da condução– Criação da zona depleção

• Vgs > Vt

– Conduzindo– Zonas lineares e saturado

n+

gate

n+

+ + + +

+ + + ++ + + +

n+

gate

n+

+ + + +

+ + + +

n+

gate

n+

+ + + +

- - - - - -

+ + + +

depleção

depleção

inversão

Influência das tensões dos terminaisInfluência das tensões dos terminaisTransistor MOSTransistor MOS

PP

fontefonte

NN++ NN++

VVdsds < V < Vgsgs -V -VttModo Não SaturadoModo Não Saturado(linear, resistivo, triodo)(linear, resistivo, triodo)

IIds ds depende de Vdepende de Vgsgs e V e Vdsds

= = 3,97 3,97 oo = 3,5 . 10= 3,5 . 10-13-13 F/cm F/cm

(permissividade do óxido)(permissividade do óxido) oxox

Influência das tensões dos terminaisInfluência das tensões dos terminaisTransistor MOSTransistor MOS

PP

fontefonte

NN++ NN++

VVdsds > V > Vgsgs -V -Vtt

Modo SaturadoModo Saturado

VVdsds VVgsgs - V - Vtt

pinch-off pinch-off

VVdsds

Os elétrons do canal são “Os elétrons do canal são “injetadosinjetados” ” na região de depleção do dreno e na região de depleção do dreno e aceleradosacelerados em direção ao source em direção ao source

A corrente no canal (IA corrente no canal (Idsds) é ) é

controlada por Vcontrolada por Vgs gs e praticamente e praticamente

independente de Vindependente de Vdsds

Curvas I-VCurvas I-VTransistor MOSTransistor MOS

VVGSGS = 1V = 1V

VVGSGS = 2V = 2V

VVGSGS = 3V = 3V

VVGSGS = 4V = 4V

VVGSGS = 5V = 5VVDS = VGS -VT

0 1 2 3 4 50 1 2 3 4 5 VVDSDS (V)(V)

IIDD (mA)(mA)

22

11

saturaçãosaturação

IIDD em função de V em função de VDSDS

linearlinear

Região lineaRegião linearr: : o transistor funciona como um resistor controlado por tensãoo transistor funciona como um resistor controlado por tensãoRegião de saturação: Região de saturação: o transistor funciona como uma fonte de corrente controlada por tensãoo transistor funciona como uma fonte de corrente controlada por tensão

VDS = 4.3V

VDS = 3.3V

VDS = 2.3VVDS = 1.3V

Vds < Vgs -Vt Vds > Vgs -Vt

SupondoVt= 0,7 volts

Transistor MOS - Princípio de Transistor MOS - Princípio de FuncionamentoFuncionamento

• Fatores que influenciam Ids:

– distância entre o source e o dreno (L)

– largura do dreno/source (W)

– tensão de threshold (Vth)

– espessura do isolante do gate (tox)

– a constante dielétrica do isolante

– a mobilidade dos portadores: elétrons ou lacunas – temperatura (t)

Modelo de CapacitânciasModelo de CapacitânciasTransistor MOSTransistor MOS

GG

DDSS

CCGDGDCCGSGS

CCDBDBCCGBGBCCSBSB

BB

CCGS GS - Capacitância gate-source- Capacitância gate-source

CCGD GD - Capacitância gate-drain- Capacitância gate-drain

CCSB SB - Capacitância source-substrato (bulk)- Capacitância source-substrato (bulk)

CCDB DB - Capacitância drain-substrato (bulk)- Capacitância drain-substrato (bulk)

CCGB GB - Capacitância gate-substrato (bulk) - Capacitância gate-substrato (bulk)

The Gate CapacitanceThe Gate Capacitance

tox

n+ n+

Cross section

L

Gate oxide

xd xd

L d

Polysilicon gate

Top view

Gate-bulkoverlap

Source

n+

Drain

n+W

Future PerspectivesFuture Perspectives

25 nm FINFET MOS transistor

Netlist SPICE

• vista 3D e layout

Gate

Source Dreno

W

L

Substrato P-

N+N+

Gate

Source

Dreno

SiO2

Netlist SPICE

GateSource Dreno

W

L

1/2 Ld

xjtox

• Parâmetros geométricos do dreno/source

Netlist SPICE

GatePerímetro

Área

• Capacitâncias do dreno/source

)//(:

)//(:

)22(.)(.22

mFoumFCJSWSPICEperímetrodeiacapacitâncC

mpFoumFCJSPICEáreaporiacapacitâncC

baCabCC

jp

ja

jpjad

a

b

Netlist SPICE

L

W

CGSOCGDO

CGBO

• Capacitâncias do gate

ei CgCgCg

CGBOLCGDOWCGSOWCg

CoxLWCg

).2().(.)extrínseca(

..)intrínseca(

Exemplo (1) de Netlist Spice

o1

vdd

i

M2

* inversor.MODEL nmos nmos level=2 vto=.82 uo=690 ....MODEL pmos pmos level=2 vto=-1.4 uo=231 ...

M1 o1 i vdd vdd pmos l=1e-06 w=2e-06 M2 o1 i 0 0 nmos l=1e-06 w=2e-06

vcc vdd 0 dc 5vin1 i 0 pulse (0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N)

.tran 0.5N 80N*.dc vin1 0 5 .05

.options post nomod nopage

.print tran v(i) v(o1) C1 o1 0 100fF.END

M1

vin1

drain

gate source

bulk

Vmin

Vmaxdelay

Exemplo (2) de Netlist Spice

Netlist Spice – Modelos dos transistores

.MODEL nmos nmos level=2 vto=.82 gamma=.76

+tox=2e-08 nsub=2.5e+16 xj=2.5e-07

+ld=1.25e-07 uo=690 ucrit=35000 uexp=0.35

+vmax=70800 cj=350u cjsw=450p cgdo=310p

+cgso=310p

.MODEL pmos pmos level=2 vto=-1.4 gamma=.76

+tox=2e-08 nsub=2.5e+16 xj=4.5e-07

+ld=4.7e-08 uo=231 ucrit=71000 uexp=.35

+vmax=320000 cj=540u cjsw=760p cgdo=300p

+cgso=300p

• .MODEL nmos N1 modelo NMOS designado como M1

• level=2 nível de modelagem

vto=.82 tensão de threshold (V)

• gamma=.76 threshold do substrato (V0.5)

tox=2e-08 espessura do óxido (m)

nsub=2.5e+16 dopagem do dreno/source (1/cm3)

• xj=2.5e-07 profundidade do canal (m)

ld=1.25e-07 tolerância na largura do canal (m)

uo=690 mobilidade do portadores (cm2/V.s)

• ucrit=35000 uexp=0.35 vmax=70800 limite do campo elétrico

• cj=350u cjsw=450p cgdo=310p cgso=310p capas. transistor


• Comparação entre diferentes tecnologias

ECDM20 ECPD15 ECPD12 ECPD10 ECPD07N P N P N P N P N P

Ld (µm) 0,15 0,2 0,325 0,300 0,125 0,1 0,125 0,047 0,075 0,021

Tox (A) 400 400 250 250 250 250 200 200 150 150

nsub 5,3e15 19e15 20e15 50e15 20e15 50e15 25e15 25e15 23,5e15 200e15

vto (V) 0,9 -0,9 0,7 -1,1 0,7 -1,1 0,82 -1,4 0,906 -0,917µ0 (cm2/vs) 510 175 510 210 510 210 690 231 553,8 220,7uexp 0,0192 0,0311 0,22 0,33 0,22 0,33 0,35 0,35 0,195 0,2168ucrit 1000 4720 24300 51000 24300 51000 35000 71000 50000 17600vmax 37900 37200 54000 47000 54000 47000 70800 320000 68150 70000

xj (nm) 500 600 400 500 400 500 250 250 55 550

gamma 0,49 0,92 0,65 0,87 0,65 0,87 0,76 0,78 0,807 0,618


• There are two components:

• Static Dissipation due to leakage current• Dynamic Dissipation due to:

» Switching transient current;

» Charging and discharging of load capacitances.

Power Dissipation in CMOS Circuits

• Static Dissipation:• Model describing parasitic diodes:


• Static Dissipation:• The leakage current is described by the diode equation:


Power Dissipation in CMOS Circuits• Static Dissipation:

• Dynamic Dissipation:


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