MIP6T2BMTSCF - Panasonic...D_VIS 24 - - mV *36 シルヺフ補償値 VCC = 21 V, IFB = IFB2 + 5 µA,...
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半導体事業譲渡に伴うお知らせ
パナソニック株式会社の半導体事業は、2020年9月1日にNuvoton Technology Corporation(以下、Nuvoton)へ譲渡され、パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社は、ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社(以下、NTCJ)としてNuvotonグループの会社となりました。
これに伴い、2020年9月1日以降、半導体商品はNTCJ製となりますが、引き続き、パナソニック株式会社を通じた販売を継続いたします。
本ドキュメントにつきましては、製造元であるNTCJが発行しています。本文中にパナソニック/パナソニック セミコンダクターソリューションズの記述がございましたら、NTCJに読み替えてご使用ください。
※ “本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項”を除く
ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社
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製品規格
MIP6T2BMTSCF
種別 シリコン MOS形集積回路
用途 スイッチング電源制御用
構造 Bi-CMOS 型
等価回路 図 7
外形 DIP7-A1-B マーク記号 MIP6T2B
A.絶対最大定格A.絶対最大定格A.絶対最大定格A.絶対最大定格 (Ta=25℃±3℃)
No. 項目 記号 定格 単位 備考
1 DRAIN 端子電圧
DRAIN -0.3 ~ 700 V
2 DRAIN電流ピーク
IDP 6 A
3 VCC 端子電圧
VCC -0.3 ~ 45 V
4 VDD 端子電圧
VDD -0.3 ~ 10 V
5 LS 端子電圧
VLS -0.3 ~ 10 V
6 IS 端子電圧
VIS -0.3 ~ 5 V
7 FB 端子電圧
VFB -0.3 ~ 8 V
8 接合温度 制御 IC 部&
パワーMOSFET Tj 150 ℃
9 保存温度
Tstg -55 ~ +150 ℃
B.推奨動作条件B.推奨動作条件B.推奨動作条件B.推奨動作条件
No. 項目 記号 条件 単位 備考
1 接合温度(制御 IC 部)
Tjcon -40 ~ +125 ℃
2 接合温度(パワーMOSFET 部)
Tjmos -40 ~ +150 ℃
3 VCC 動作電圧
VCC 13 ~ 28 V
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MIP6T2BMTSCF
C.電気的特性C.電気的特性C.電気的特性C.電気的特性 測定条件 (Ta=25℃±3℃)
No. 項目 記号 測定条件(図 1 参照) 標準 最小 最大 単位
【コントロール機能】 *は設計保証項目, **は参考値記載項目
1
VCC起動電圧
VCC(ON)
18.5
16.5
20.5
V
2 VCC停止電圧
VCC(OFF) 10.8 9.8 11.8 V
3 VCC起動/停止電圧差
VCC(ON) - VCC(OFF)
D_VCC 7.7 6.9 8.8 V
4 VDD 基準電圧
VCC = 21 V
VDDreg 5.9 5.6 6.2 V
5 起動前 VCC 端子電流 VCC = VCC(ON) - 0.8 V,
FB = open
ICC(SB) 0.43 0.30 0.56 mA
**6 軽負荷停止時 VCC 端子電流 VCC = 15 V,
IFB = IFB1 – 10 µA
ICC(STB) 0.54 - - mA
**7 軽負荷 PWM 時 VCC 端子電流 VCC = 15 V, IFB = IFB1 + 5 µA,
VDRAIN = 5 V
ICC(OP)L 1.5 - - mA
**8
重負荷 PWM 時 VCC 端子電流 VCC = 15 V, IFB = -20 µA,
VDRAIN = 5 V
mA ICC(OP)H 3.30 - 3.93
9 過負荷保護時 VCC 端子電流 VCC = 15 V
VFB = VFB(OL) → open
ICC(OL) 0.43 0.30 0.56 mA
10 軽負荷 PWM 時出力周波数 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + 5 µA,
VDRAIN = 5 V *図 3 参照
f(PWM)L 25 20 30 kHz
11 重負荷 PWM 時出力周波数 VCC = 21 V, IFB = -20 µA,
VDRAIN = 5 V *図 3 参照
f(PWM)H 132 123 141 kHz
**12 軽負荷PWM時周波数ジッター偏差 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + 5 µA,
VDRAIN = 5 V *図 2 参照
d_f(PWM)L 0.85 - - kHz
13 重負荷PWM時周波数ジッター偏差 VCC = 21 V, IFB = -20 µA,
VDRAIN = 5 V *図 2 参照
d_f(PWM)H 4.5 2.7 6.3 kHz
**14 周波数ジッター変調率 VCC = 21 V, IFB = -20 µA,
VDRAIN = 5 V *図 2 参照
fM 450 - - Hz
15 最大デューティサイクル VCC = 21 V, IFB = IFB3 + 3 µA,
VDRAIN = 5 V
MAXDC 64 59 69 %
16 フィードバック電流 ON → OFF,
VCC = 21 V, VDRAIN = 5V
IFB1 -85 -110 -60 µA
**17 フィードバック電流ヒステリシス OFF → ON,
VCC = 21 V, VDRAIN = 5V
IFBHYS 2 - - µA
**18 軽負荷 PWM 時フィードバック電流 VCC = 21 V,
VDRAIN = 5V *図 3 参照
IFB2 -60 - - µA
**19 重負荷 PWM 時フィードバック電流 VCC = 21 V,
VDRAIN = 5V *図 3 参照
IFB3 -43 - - µA
**20 最大出力時フィードバック電流 VCC = 21 V,
VDRAIN = 5V *図 3 参照
IFB4 -41 - - µA
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No. 項目 記号 測定条件(図 1 参照) 標準 最小 最大 単位
21 軽負荷 FB 端子電圧
VCC = 21 V, IFB = IFB1
VFB1 1.6 1.4 1.8 V
22 重負荷 FB 端子電圧
VCC = 21 V, IFB = IFB3
VFB3 1.7 1.5 1.9 V
23 FB 端子短絡電流
VCC = 21 V, VFB = 0 V
IFB0 -330 -450 -210 µA
24 出力停止時 FB 端子プルダウン抵抗
VCC = 40 V, VFB = VFB1
RFB(OFF) 400 250 550 Ω
25 VCC 端子充電電流 VCC = 0 V, FB = open,
VLS = 2 V, VDRAIN = 50 V
ICCH1 -11.0 -15.4 -6.6 mA
VCC = VCC(ON)-0.5 V, FB = open,
VLS = 2 V, VDRAIN = 50 V
ICCH2 -3.9 -5.6 -2.2 mA
*26 ソフトスタート時間
VDRAIN = 50 V, VFB = 3V
Tsoft 6.0 3.5 8.5 ms
【保護機能】 *は設計保証項目, **は参考値記載項目
27 過電流保護検出電圧 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
Ton = 4 µs *図 4 参照
VLIMIT 780 725 835 mV
28 過電流保護検出電圧 2 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
Ton = 2 µs *図 4 参照
VLIMIT2 760 691 - mV
29 ブランキング時過電流保護検出 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
基準電圧 VLIM(BLK) 1.85 1.60 - V
**30 オン時ブランキング幅 VCC = 21 V, IFB = IFB3 + 3 µA,
VIS = 1.5 V, VDRAIN = 5 V
Ton(BLK) 280 - - ns
**31 過電流保護遅れ時間
VCC = 21 V, VFB = 3 V
Td(OCL) 270 - - ns
**32 PFM 時電流ピーク検出電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB2 + 5 µA,
Ton = 4 µs
VIS(PFM) 700 - - mV
**33 間欠停止時電流ピーク検出基準電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB1,
VDRAIN = 5 V
VIS(OFF) 160 - - mV
**34 間欠復帰時電流ピーク検出基準電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + IFBHYS,
VDRAIN = 5 V
VIS(OFF)H 240 - - mV
**35 電流ピーク検出電圧ジッター偏差 VCC = 21 V, IFB = IFB2 + 5 µA,
VDRAIN = 5 V
D_VIS 24 - - mV
*36 スロープ補償値 VCC = 21 V, IFB = IFB2 + 5 µA,
VDRAIN = 5 V
VIS_SLP -37.0 -46.3 -28.0 mV/µs
37 過負荷保護検出電圧 VCC = 21 V,
VDRAIN = 5 V
VFB(OL) 4.4 4.1 4.7 V
38 過負荷時 FB 端子電流 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
IFB(OL) -10.0 -13.0 -7.5 µA
**39 過負荷保護検出フィルタ時間 VCC = 21 V,
VDRAIN = 5 V
Td(OL) 20 - - µs
40 IS 端子短絡検出基準電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + 5 µA,
VDRAIN = 5 V
VIS(IST) 50 - 100 mV
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No. 項目 記号 測定条件(図 1 参照) 標準 最小 最大 単位
**41 IS 端子短絡検出オン時間 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + 5 µA,
VIS = 0V, VDRAIN = 5 V
Ton(IST) 3 - - µs
42 VCC 端子過電圧保護検出電圧 VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
VCC(OV) 31.5 28.5 34.5 V
**43 VCC 端子過電圧保護検出フィルタ時間
Td(VCCOV) 150 - - µs
44 タイマー間欠動作時 VCC 充放電回数 VCC = VCC(ON) ⇔VCC(OFF)
*図 5 参照
COUNT 4 -
45 VDD 端子ラッチ停止検出電圧 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
VDD(OV) 7.55 7.00 8.10 V
46 VDD 端子ラッチ停止検出電流 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
IDD(OV) 1.6 0.9 2.3 mA
47 VDD 端子クランプ電流
VDD = 10 V
IDD(CLP) 16.5 13.2 19.8 mA
**48 VDD 端子ラッチ停止検出フィルタ時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
Td(VDDOV) 150 - - µs
49 VDD 端子リセット電圧
VDDreset 2.7 1.7 3.7 V
*50 過熱保護温度(制御 IC 部)
TOTP 140 130 150 ℃
**51 過熱保護温度ヒステリシス(制御 IC 部)
TOTPHYS 45 - - ℃
52 LS 端子過電圧保護検出電圧 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
VLS(OV) 4.40 4.15 4.65 V
53 LS 端子過電圧保護解除電圧 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
VLS(OV)L 4.18 3.93 4.43 V
**54 LS 端子過電圧保護検出/解除電圧差 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
D_VLSOV 0.22 - - V
55 LS 端子過電圧保護時 VCC = open, VFB = 3 V,
VLS = 5 V, VDRAIN = 50 V
DRAIN 端子電流 ID(LSOV) 2.8 1.8 3.8 mA
**56 LS 端子過電圧保護検出フィルタ時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V
Td(LSOV) 50 - - µs
57 LS 端子低電圧検出電圧 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,
VDRAIN = 5 V
VLS(UV) 0.73 0.66 0.80 V
58 LS 端子低電圧解除電圧 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,
VDRAIN = 5 V
VLS(UV)H 0.81 0.73 0.89 V
**59 LS 端子低電圧検出/解除電圧差 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,
VDRAIN = 5 V
D_VLSUV 0.08 - - V
**60 LS 端子低電圧検出フィルタ時間 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,
VDRAIN = 5 V
Td(LSUV) 50 - - µs
61 LS 端子検出無効化電圧 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,
VDRAIN = 5 V
VLS(DIS) 0.10 0.05 0.15 V
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No. 項目 記号 測定条件(図 1 参照) 標準 最小 最大 単位
【パワーMOSFET】 *は設計保証項目, **は参考値記載項目
62 最小DRAIN端子電圧 IFB = -20 µA, VLS = 2 V
※発振開始の DRAIN 電圧
VD(MIN) 25 20 29 V
63 DRAIN 端子耐圧 VCC = 40 V,
IDRAIN = 250 µA,
VDSS - 700 - V
64 DRAIN 端子リーク電流 VCC = 40 V,
VDRAIN = 650 V
IDSS 2 - 7 µA
65
ON 抵抗 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
IDRAIN = 1 A
Ω RDS(ON) 1.35 - 1.70
**66
立ち上がり時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V *図 6 参照
ns tr 180 - -
**67
立ち下がり時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V,
VDRAIN = 5 V *図 6 参照
ns tf 90 - -
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【図 1: 測定回路図/端子配置図】
【図 2: fosc(出力周波数), d_fosc(周波数ジッター偏差), fM(周波数ジッター変調率)特性】
端子 端子名 機能
1 FB フィードバック制御、過負荷保護
2 GND 電源グラウンド
3 LS 入力過電圧検出/入力低電圧検出時過負荷保護復帰防止
4 IS パワーMOSFET のソース/過電流検出
5 DRAIN パワーMOSFET のドレイン/起動電流供給
6 -
7 VCC バイアス巻線からの電力供給、過電圧保護
8 VDD 回路部電源電圧、外部信号によるラッチ停止
1
2
3
4
8
7
5
1
2
3
4
8
7
5
1
2
3
4
8
7
5
1
2
3
4
8
7
5
VFB
/IFB
VIS
/IIS
1
2
4
6.8 kΩ
3µF
VLS
/ILS
1µF
3
VDD
/IIDD
VCC
/ICC
VDRAIN
/IDRAIN
0.1µF
L
Rd
1µF
8
7
5
Rs
0.1µF
time
出力
周波
数
d_fosc
1/fM
fosc
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【図 3: IS 端子検出電圧-IFB 特性、出力周波数-IFB 特性】
【図 4: IS 端子検出電圧のオン時間依存性】
※VLIMIT および VLIMIT2 測定時のドレイン端子負荷は L=100µH, Rd=51Ω
IS端子の
電流ピーク
検出電圧
VLIMIT
VIS(PFM)
VIS(OFF)
IFB
出力周波数
f(PWM)H
|IFB(OL)| |IFB4| |IFB3| |IFB2|
発振停止:
|IFB1|
f(PWM)L
発振再開:
|IFB1|-IFBHYS
VIS(PFM) VISジッター:
D_VIS
IFB
IS端子の
電流ピーク
検出電圧
中負荷PFM領域
Zoom in
全領域周波数ジッター
IFB|IFB1|
|IFB2||IFB3|
VLIMIT
|IFB4||IFB(OL)|
間欠発振領域
Zoom in
VIS(OFF)
IFBHYS
VISジッター:
D_VIS
IFB発振停止
|IFB1|発振再開
|IFB1|-IFBHYS
IS端子の
電流ピーク
検出電圧
VIS(OFF)H
オン時間
Ton2=2µs
IS端子電圧
VLIMIT2
VLIMIT
オン時間
IS端子電圧
Ton1=4µs
VLIMIT(BLK) VLIMIT(BLK)
内部基準電圧 内部基準電圧
Td(OCL) Td(OCL)
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【図 5: 過負荷保護 特性】
【図 6: tr, tf 測定】
time
10%
90%
tf trDRAIN voltage
過負荷突入
発振停止
タイマー間欠動作開始
VCC端子電圧
出力電力
パワーMOSFETドレイン電流
発振停止期間 発振期間
VCC(OFF)
最大出力電力
VCC(ON)
FB端子電圧
VFB(OL)
Tsoft Tsoft Tsoft Tsoft
Td(OL)
VFB(OL)
Td(OL)
COUNT
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【図 7: ブロック図】
【使用上の注意 1】
VDD 端子-GND 間には、0.1 µF 以上のセラミックコンデンサを接続してください。
【使用上の注意 2】
以下のような条件では、破損し場合によっては破裂、発煙の可能性があります。以下の使用は避けていただくとともに、安全規格
上の認定試験において、対策が必要になる場合には、入力段へのヒューズ追加や制御端子-GND 間へのツェナーダイオード追加
などの対策を講じてください。具体的な対策については個別に相談させていただくことも可能ですが、最終的にはお客様側にてご判
断をお願いいたします。
(1) DRAIN 端子とFB端子を逆にして、電源基板へ実装する。
(2) 定格電圧が異なる端子をショートする。
VDD
FB
VCC(ON)/VCC(OFF)
+- VDDreg
ExternalLatch
+-
VFB(OL)
DischargeCircuit
Oscillatorwith Jitter
+-VIS(OFF)
Light load Detection
Over Temp. Detection
Under Voltage Lock Out
Regulator+- Vdrv = 12.5V
VCC+- +
-VCC(OV)
DRAIN
GND
PowerMOSFET
Timer Intermittent
IS
LS
+
-
Over Voltage
Detection
RC filter
SQR
Q
Leading EdgeBlanking
I-VConverter
Input CompensationOffset for VLIMIT
-VLIMIT
PWM – PFM – PWMController
Slope Compensation
OVP
OVP DischargeCircuit
Restart Trigger
MAXDUTY
CLOCK
SQR
Q
IS-GND shortProtection
DisableJudgment
UnderVoltage
Detection UV Reset
UV Reset
Reference voltagewith Jitter
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本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください。
(2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナソニック株式会社、ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。
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(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の故障、欠陥については当社として責任を負いません。また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考
慮の上、当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因(ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス)による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません。また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた条件を守ってご使用ください。
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No.070920