JEFFERSON EMMANUELJULIANA ANTONIASSI

NATAN VITORRICARDO SEIFERT

Memórias

Tipos de memórias

Volátil RAM SIMM DIMM DDR DDR2 DDR3

Não Volátil PROM EPROM EEPROM FLASH CACHE

Protótipos

Volátil

Volátil

Volátil

Volátil

Volátil

Volátil

Volátil

Volátil

Não Volátil

PROM (Programmable Read-only Memory)

Uma forma de memória digital onde o estado de cada bit está trancado por um fusível ou antifusível.

A memória pode ser programada só uma vez a programação é feita pela aplicação de pulsos de alta voltagem, que não são encontrados durante a operação normal.

Não volátil

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)

É um tipo de chip de memória de computador que mantém seus dados quando a energia é desligada.Uma vez programado, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz ultravioleta.

Não Volátil

EEPROM ( Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory )

É um chip de armazenamento não-volátil usado em computadores e outros aparelhos.Ao contrário de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente.

Não Volátil

FLASH

Memória Flash é uma memória de computador do tipo EEPROM que permite que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação.

Em termos leigos, trata-se de um chip reescrevível que, ao contrário de uma RAM, preserva o seu conteúdo sem a necessidade de fonte de alimentação.

Não Volátil

CACHE

Memória Cache é uma pequena quantidade de memória estática de alto desempenho, tendo por finalidade aumentar o desempenho do processador realizando uma busca antecipada na memória RAM. A taxa de acerto típica pode variar entre 80% e 99%.

Não Volátil

CACHE L1

Uma pequena porção de memória estática presente dentro do processador.Em alguns tipos de processador, como o Pentium 2, o L1 é dividido, em dois níveis: dados e instruções, que "dizem" o que fazer com os dados. A partir do Intel 486, começou a se colocar a L1 no próprio processador. Geralmente tem entre 16KB e 512KB. O AMD Semprom 2600+ possui 64KB de cache L1.

Não Volátil

CACHE L2

Possuindo o Cache L1 um tamanho reduzido e não apresentando uma solução ideal, foi desenvolvido o cache L2, que contém muito mais memória que o cache L1.

Ela é mais um caminho para que a informação requisitada não tenha que ser procurada na lenta memória principal.

Não Volátil

CACHE L2

Alguns processadores colocam essa cache fora do processador, por questões econômicas, pois uma cache grande implica num custo grande , mas há exceções, como no Pentium II, por exemplo, cujas caches L1 e L2 estão no mesmo cartucho que está o processador.

Não Volátil

CACHE L3

Terceiro nível de cache de memória. Inicialmente utilizado pelo AMD K6-III utilizava o cache externo presente na placa-mãe como uma memória de cache adicional. Ainda é um tipo de cache raro. Ainda, pois a complexidade dos processadores atuais, com suas áreas chegando a milhões de transístores por micrômetros ou picômetros de área, ela será muito útil.Talvez, no futuro, seja necessário um cache L4, ou até mais.

Protótipos

Memória Magnética

IBM e Infineon apresentam protótipo de memória magnética.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM): memórias feitas de materiais magnéticos, que não perdem as informações quando o computador é desligado.

O protótipo de 16 Mbit agora apresentado é cerca de 1000 vezes mais rápido do que as memórias flash atuais, que também não perdem os dados na ausência de energia.

Protótipos

Memória de alteração de fase

Novo material gera memória não volátil 500 vezes mais rápida que memória Flash.

Memória de alteração de fase: é mais rápida e pode ser mais miniaturizada do que as memórias Flash.

Opera a uma velocidade que é 500 vezes mais rápida do que as memórias Flash e utilizando apenas metade da energia necessária para se gravar em cada célula.

A célula, a unidade básica da memória, mede apenas 3 nanômetros de largura por 20 nanômetros de comprimento.

Protótipos

Memória de nanofios

Memória de nanofios pode guardar dados por até 100.000 anos.

Cientistas da Universidade da Pensilvânia, nos Estados Unidos, desenvolveram nanofios capazes de armazenar dados e recuperá-los 1.000 vezes mais rápido do que as memórias sólidas atuais, como as memórias flash.

Os cálculos dos cientistas estimam que os dados fiquem armazenados em segurança por 100.000 anos.

Os nanofios são uma espécie de liga semicondutora que é considerada uma das mais promissoras para a construção de uma nova geração de memórias de computador.