UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO

CARRERA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRNICA

TEMA

Informe de laboratorio (previo, final (VI) e previo (VII))

DOCENTE Ing. Milton Velsquez Curo

ALUMNO : apaza callo yuri renee

CDIGO : 070748

CURSO : laboratorio de dispositivos electrnicos

Informe previo del laboratorio VI1:- adjunte los datos de los transistores utilizados en la gua: BC548A Y 2N1132.Para analizar el comportamiento del transistor BC548, observamos los datos obtenidos en el grfico de la figura Puede distinguirse claramente un comportamiento lineal en dos regiones con caractersticas completamente distintas. Para valores de corriente negativos de base, la corriente de emisor es nula (se produce un corte en la corriente del emisor), mientras que para valores positivos de corriente de base, la corriente de emisor cumple una relacin lineal con la corriente de base.

2:-explique usando las curvas las caractersticas estticas de un transistor BJT en emisor comn, adems la mxima disipacin de potencia que soporta el dispositivo.use la hiprbola de disipacin de potencia.

se observa que la magnitud de se incrementa en microamperios en comparacin de los miliamperios de . En la regin activa de un amplificador de emisor comn , al unin base emisor se encuentra en polarizacin directa, mientras que la unin colector base se encuentra en polarizacin inversa.

3:- cul es la diferencia de usar en un mismo circuito un transistor BJT NPN en vez de un BJT PNP. Transistor NPN: Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea. Tambin La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB. Transistor PNP: La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB. Y tambin Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN.Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente. Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin Ganancia

4:-analice el circuito de la fig. VI-4 para distintos valores de la tensin de entrada voltios calcular y llene la tabla VI.3 de esta gua indicando el estado del transistor (corte o saturacin) en cada caso. Considere

estado

00001.824.55-5.45corte

54.474.520.050.920.660.50activo

104.494.600.111.180.830.81saturado

La prctica que se realizo en laboratorio se obtuvo errores en las mediciones.

Informe final del laboratorio (VI)1:- como puedo saber si un transistor PNP se encuentra en buen estado o esta defectuoso.Existen tres caminos que puede tomarse para verificar un transistorTrazado de curvas: se hace uso del trazador de curvas o anlisis en computadora

Medidores digitales: en la actualidad se encuentran disponibles medidores digitales avanzados que son capaces de proporcionar el nivel de mediante el uso de conectores para las terminales de hecho el modo de verificacin de diodo se puede verificar las uniones de un transistor como el colector abierto , unin base emisor debe dar por resultado un voltaje bajo de aproximadamente de 0.7 V ,con la punta de prueba roja (positivo) conectada a la base y la punta de prueba negra (negativo) conectada al emisor una inversin de las terminales debe dar por resultado una indicacin OL que representa la unin en polarizacin inversa.de forma similar con el emisor abierto, es posible verificar los estados de polarizacin directa e inversa de la unin base colector. El hmetro: es posible el uso de un hmetro o las escalas de resistencias de un multimetro digital para verificar el estado del transistor se debera recordar que para un transistor en la regin activa la unin base - emisor tiene polarizacin directa y la unin base emisor tiene polarizacin inversa. Por tanto la unin con PD deber registrar una resistencia relativamente baja y mientras que la PI deber mostrar una resistencia grande En conclusin: para reconocer si el transistor PNP est en buen estado se medir la resistencia de la unin colector base el cual dar una alta resistencia y la unin base emisor ser muy pequea.2:- que ocurrir si en vez de mantener la polaridad de la fuente EB (negativa) la cambio a EB (positiva) en el circuito de la figura VI.1. Fundamente su respuesta.El transistor estara en la zona de corte

3:- Qu utilidad tiene un transistor cuando trabaja en estado de corte y saturacin? Explique con un ejemplo.En una configuracin de computacin ya que rpidamente se desplaza de la zona de corte a la de saturacin y visiversa en el cual se comporta como un interruptor.4:- haga una nueva tabla que compare los valores calculados con los obtenidos por medicin, adems indique el error porcentual.Del circuito VI.4

estado

00001.824.55-5.45corte

54.474.520.050.920.660.50activo

104.494.600.111.180.830.81saturado

Calculado en laboratorio hubo error en la medicin del laboratorio

estado

00.9480.8560.10190.628.37

50.480.440.049.819.250.56

100.140.130.019.841.180.65

Tabla del circuito VI.1

0.050.134.6

1000.084.6

15063mv4.6

20052 mv4.65

25046mv4.6

Tabla VI.2

00.10

00.44 uA

00.60.76

2.7 mv0.8211.74

-24.7 mv0.9499.8

5:- adjunte las curvas obtenidas durante el desarrollo de esta prctica.Grafica de la tabla VI.1

Grafica de la tabla VI.2

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