HMC Industry MemorySemi 20090814 Final

메모리 반도체는 갈수록 미세화되고 있고,System의요구성능이높아짐에따라장기적으로기존

메모리는PRAM, MRAM, STT-RAM등으로대체되어갈것이다. 삼성전자와하이닉스는공동으로 STT-RAM을 개발

하고있고,삼성전자는뉴모닉스와함께향후NORFlash를대체할PRAM을공동으로개발하고있다.하이닉스는Ovonyx,Grandis

와함께 PRAM개발에협력하고있는등한국업체들의시장지배력은차세대메모리반도체분야에서도이어질것으로예상된다. 시장지배력이

높아지고있는한국반도체산업에대해비중확대의견을유지한다

차세대메모리반도체도한국업체가주도한다

반도체/가전,전자부품 Analyst노근창연구위원

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김영찬책임연구원3787-2242

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Industry Analysis

메모리 반도체 업종 Overweight(유지)

Investment Point│03

Ⅰ.산업전망│041. 차세대메모리개발배경및전망│042. 업체별차세대메모리개발현황│08

Ⅱ.기술분석│101. 차세대메모리종류와특징│10

Ⅲ.기업분석│171. 삼성전자 (005930)│17

2. 하이닉스 (000660)│23

Contents

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HMC Investment Securities Research Center 3

Ⅰ. 영업실적 전망 및 Valuation Ⅱ. 개량신약의 절대강자 Ⅲ. 든든한 지원군 Ⅳ. R&D Balance

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1. 산업 전망_04

2. 기술 분석_10

3. 기업 분석_17

메모리 반도체는 갈수록 미세화되고 있고, System의 요구 성능은 높아짐에 따라 궁극적으로 기존 메

모리(DRAM, NAND/NOR Flash, SRAM 등)는 물리적 한계 및 특성 한계에 도달할 것이다. 그러나,

산업 내 장비, 소자, 공정 업체의 지속적인 연구개발로 그 효용 기간을 연장해 나가고 있어 차세대 메모

리가 단기간 내 기존 메모리를 대체하지는 못할 것으로 보인다. 다만, PRAM등은 향후 2년 내 휴대폰

등의 Embedded향 시장에서 NOR Flash를 대체해 나갈 가능성이 높다. 그 외 차세대 메모리가 단기간

내 본격 적인 시장 형성이 어려워 보인다 하더라도 기초 연구를 통해 미래 경쟁력을 확보해 나가야 할

것으로 판단된다. 이런 점에서 경기침체에도 불구하고 연구개발에 꾸준하게 투자해 온 국내 업체들이

미래 경쟁력 확보에 유리한 고지를 선점한 것으로 보인다.

현재 PRAM, MRAM, STT-RAM 등 차세대 메모리는 매우 초기 단계이므로 각 업체들은 제휴 및 공

동연구를 통한 다양한 기반 기술 확보에 주력해야 한다. 삼성전자와 하이닉스가 STT-RAM을 공동연구

개발하고 있고, 삼성전자와 뉴모닉스가 PRAM에 대한 기술협력 계약을 하였으며, 하이닉스는 PRAM

원천기술 보유기업인 Ovonyx, Grandis 등과 PRAM 개발에 협력하기로 하는 등 기반 기술 확보를 위

한 다양한 교류가 진행 중이다. 일본의 Toshiba도 NEC, Fujitsu 등과 STT-RAM을 공동 개발하는 등

각 업체별로 기반 기술 확보에 박차를 가하고 있다.

기존 메모리의 경우 고집적화에 따른 회로간 간섭 심화 및 불량 발생 문제가 점차 대두되고 있어, 기

존 메모리의 단점들을 극복하고 각각의 장점을 하나로 융합한 차세대 메모리는 결국 기존 메모리를 대

체할 것으로 전망된다. 그러나, 차세대 메모리의 경우도 적용 물질의 변경에 따라 증착 및 식각 장비에

대한 연구도 선행되어야 하는 등 산적한 문제가 많은 것으로 판단된다. 개발된 신규 장비를 적용하여 양

산성과 신뢰성을 오랜 기간 검증할 필요가 있다. PRAM을 제외한 다른 차세대 메모리의 형성 시기를

2012년 이후로 판단하는 이유이다.

기업분석│자료제공일 : 2009년 8월 14일

▒ 차세대 메모리 반도체 산업 차세대 메모리 반도체도 한국 업체가 주도한다

차세대 메모리는 미래 경쟁력 확보를 위한 필수 조건

기술제휴 및 공동연구 등을 통한 다양한 기반 기술 확보 필요

기존 메모리 대체는 필연적 / 양산성과 신뢰성 검증을 위한 시간 필요

Forward Solution 4

Ⅰ. 산업 전망 Ⅱ. 주요 산업 전망 Ⅲ. 기업분석

Ⅰ. 산업 전망

1. 차세대 메모리 개발 배경 및 전망

DRAM의 경우 전하를 담는 그릇인 커패시터가 전하로 채워졌느냐 또는 비워져 있느냐에 따

라 각각 "1"과 "0"으로 논리 상태가 결정된다. 커패시터에 저장된 정보 "1"을 읽어 들일 때 커패

시터를 채우고 있던 전하가 사라지는 현상이 발생하므로, 데이터를 읽어 들이는 과정은 소거과

정에 해당한다. 따라서, 저장된 정보를 유지하기 위해서는 읽기 수행 직후 다시 커패시터에 전

하를 채워주는 과정이 수행되어야만 한다. 더욱이, DRAM을 구성하고 있는 커패시터는 전하를

담아두는 완벽한 그릇 역할을 하지 못한다. 컵에 담아놓은 물이 시간이 지나면 서서히 증발되

어 사라지듯, DRAM 커패시터에 담겨 있는 전하들도 일정 시간이 지나면 모두 사라져 버려 메

모리로서의 역할을 하지 못하게 된다.

따라서, DRAM의 경우 데이터가 사라지기 전에 밀리 초 주기로 Refresh라는 과정을 통해

커패시터에 전하를 공급하는 다시 쓰기 작업을 수행해 주어야 한다. 이 Refresh 과정으로 인해

DRAM의 경우 전력소모가 크다는 단점을 가지고 있다. 더구나 전원을 끄면 기록된 모든 정보

가 없어지는 휘발성 메모리라는 취약점을 가지고 있다.

DRAM을 구성하는 커패시터의 크기가 작아질수록 커패시터를 채우고 있는 전하의 누출은

더욱 심각해지므로 집적도를 증가시키는 데는 한계가 있을 뿐만 아니라 Refresh 주기도 더욱

짧아져야 하므로 전력소모가 커지게 된다. 또한, 커패시터의 크기를 줄임에 따라 인접한 커패

시터와 물리적으로 달라붙는 현상, 셀과 셀간의 간섭현상 등 물리적 한계에 봉착하게 될 것으

로 예상된다.

NAND와 NOR Flash는 전원이 꺼져도 기록된 정보가 사라지지 않는 비휘발성 메모리이다.

하지만 NAND의 경우 설계가 복잡하고, 읽기/쓰기 반복 회수가 10만 회 정도로 제한적이며,

구동전압이 12V로 높다는 단점을 가지고 있어 차세대 메모리로서 이상적이지 못하다. 또한,

NOR는 읽기 속도는 빠르나, 집적화가 어려워 단가가 매우 높은 한계가 있다.

언젠가는 도달할 기존 메모리의 물리적 한계



<그림1> 기존 메모리와 차세대 메모리의 특성 비교

자료: Numonyx, 삼성전자, 하이닉스, IITRS, HMC투자증권

최근 수년 사이 메모리 집적 기술은 빠르게 발전해왔다. 대표적인 범용 메모리인 DRAM을

보면, 세계적으로 내년엔 4xnm DRAM 양산이 예상되는 등 미세 공정기술의 발달로 메모리 집

적도와 성능은 더욱 향상되고 있다.

기본적으로 DRAM은 집적도를 높이기 위해 셀 크기를 줄여야 하고, 그에 따라 커패시터의 면

적을 계속 줄여나가야 하는데, 이를 줄이는데 물리적 한계가 발생하기 때문입니다. 3xnm까지

줄일 수 있을 것으로 예상되나 인접한 커패시터와 물리적으로 달라붙는 현상, 셀과 셀간의 간

섭현상 등으로 사실상 기술적 한계에 봉착할 가능성이 높다고 알려져 있다. 더불어 DRAM의

경우 휘발성으로 커패시터로부터의 누설되는 데이터를 주기적으로 Refresh해야 하므로 그에

따른 전력 소모도 큰 단점이 있다.

이와 같은 기존 메모리의 미세 공정기술 한계와 고성능, 대용량의 비휘발성 메모리에 대한 수

요 확대로 기존 방식과는 다른 기술을 상용화하려는 업계와 학계의 노력이 지속되어 왔고,

PRAM, STT-RAM, MRAM 등 차세대의 고성능, 비휘발성 메모리가 개발되고 있는 것이다.

기존 메모리의 한계를 극복한 고성능, 대용량의 비휘발성 메모리 수요 확대

DRAM

휘발성

공정의 물리적 한계

NOR

저용량 /고비용의 한계

STT-RAM

비휘발성

3Xnm이하 미세화 가능

고속동작

PRAM

비휘발성

집적도 향상

(고용량화가능)

고속동작

SRAM

휘발성

저용량/고비용의 한계

기존 메모리

대체 가능

차세대 메모리

Forward Solution 6


<그림2> 기존 메모리와 차세대 메모리의 특성 비교

자료: ITRS, HMC투자증권

PRAM은 2010년 또는 2011년 상용화가 가능할 것으로 보인다. 휴대폰 등의 Embedded향으

로 시장 진입이 가능할 전망인데, 이는 현재 Embedded향에서 상당한 비중을 차지하고 있는

NOR Flash보다 나은 성능 및 집적도를 구현하고 있으며, 삼성전자와 뉴모닉스에서 512Mb까

지 이미 시제품을 출시한 상황이기 때문이다.

그러나, MRAM, STT-RAM 등은 여전히 시장의 본격적인 형성에는 시간이 걸릴 것으로 전

망된다. MRAM은 자성체를 이용하는 특성으로 인해 우주항공용으로, 고온에도 특성파괴가 없

어 군사용으로 매우 작은 시장이 형성되어 있으나, 집적화가 쉽지 않아 매우 고가인 단점이 있

다. 기술적으로도 자기 저항 발생으로 인한 간섭 현상 및 외부 자기장에 의한 오동작 발생,

MTJ(Magnetic Tunnel Junction)의 공정 구현의 어려움, 미세화에 따른 고소비 전력 등의 문

제가 산재해 있어 DRAM을 대체하기에는 무리가 있다고 판단되며, 기존의 우주항공용이나 군

사용 분야에서만 시장을 유지할 것으로 예상된다.

MRAM의 집적도 한계를 개선한 STT-RAM도 DRAM 대비 동작속도나 집적화에서 우수한

특성을 가지며, 비휘발성인 장점이 있음에도 자성체를 이용한 메모리로 외부 자기장에 의한 오

동작 발생 가능성이 매우 높다는 점에서 신뢰성 검증이 충분한 시간 동안 이루어져야 할 것으

로 보이며 재료 변경에 따라 증착 및 식각 장비에 대한 신뢰성 검증도 병행되어야 할 것으로 보

인다. 또한 아직 셀의 구동 여부를 검증하려는 수준에 머물러 있다.

그러나, 차세대 메모리의 본격적인 성장은 2012년 이후

비휘발성

집적도

동작속도

Flash

DRAM

SRAM

PRAM

MRAM STT-RAM



<그림3> 반도체 기술 전개도

자료: IDC, ITRS, HMC투자증권

진공관

진공관

컴퓨터

필라멘트(탄소)소재

~1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990 2000 2010 2020~

3극 진공관

2극 진공관

Ge 반도체 소재트랜지스터

(1947)

바이폴라

트랜지스터

Si 반도체 소재집적회로

(1958)

VLSI

DRAM

NAND

MRAM

PRAM

CPU1974

1980

1985

1988

FeRAM

2000's

NOR

유기반도체

나노소재

플라스틱반도체

3차원 디스플레이

2015~

나노 솔라셀

바이오칩

STT-RAM

Forward Solution 8


2. 업체별 차세대 메모리 개발 현황

현재 PRAM, MRAM, STT-RAM 등 차세대 메모리는 매우 초기 단계이므로 각 업체들은 제

휴 및 공동연구를 통한 다양한 기반 기술 확보에 주력해야 한다. 삼성전자와 하이닉스가 STT-

RAM을 공동연구개발하고 있고, 삼성전자와 뉴모닉스가 PRAM에 대한 기술협력 계약을 하였

으며, 하이닉스는 PRAM 원천기술 보유기업인 Ovonyx, Grandis 등과 PRAM 개발에 협력키

로 하는 등 기반 기술 확보를 위한 다양한 교류가 진행 중이다. 일본의 Toshiba도 NEC,

Fujitsu 등과 STT-RAM을 공동개발 하는 등 각 업체별로 기반 기술 확보에 박차를 가하고 있

다.

<그림4> PRAM 개발 업체 현황 <그림5> MRAM 개발 업체 현황

자료: 각사, ITRS, HMC투자증권 자료: 각사, ITRS, HMC투자증권

<그림6> STT-RAM(STT-MRAM) 개발 업체 현황

자료: ITRS, 각사, HMC투자증권

국가 정책적 공동 개발 및 제휴 등 기술 협력 확대 중

원천 기술 보유 업체

소자 개발 업체



<그림7> 차세대 메모리 종류별 개발 현황

자료: ITRS, 각사, HMC투자증권

인텔(2001년)

4Mb 개발

인텔(2006년)

128Mb 개발

삼성(2006년)

512Mb 개발

램트론(1988년)

상용화 성공

삼성(2006년)

64Mb 개발

모토롤라(2002년)

상용화 성공

인피니온(2004년)

16Mb 개발

STT-RAM

저용량/고비용의

한계

상용화 가장 근접

양산임박

삼성, 뉴모닉스 2011년 양산

PRAM FeRAM MRAM

고용량 불가

Forward Solution 10

Ⅰ. 산업 전망 Ⅱ. 기술 분석 Ⅲ. 기업분석

Ⅱ. 기술 분석

1. 차세대 메모리 종류와 특징

DRAM과 NAND, NOR Flash를 대체할 차세대 메모리로 FeRAM, PRAM, STT-RAM,

ReRAM, ZRAM 등 다양한 재료와 기술을 적용한 메모리가 연구되고 있다. 현재까지 2~3년

내 양산화가 가능할 것으로 보이는 차세대 메모리는 PRAM과 STT-RAM이며, PRAM은 2010

년 말 양산이 가능할 것으로 전망된다.

PRAM은 DRAM의 커패시터를 상변화물질로 대체한 메모리이며, 상변화물질은 RW-

CD/DVD와 같이 광디스크에 사용되는 물질과 비슷하여, 높은 온도에서는 저항이 낮은 결정성

을 가지며, 낮은 온도에서는 저항이 높은 비정질 상태를 유지한다. 상변화물질의 저항이 높고

낮음에 따라 각각 "0"과 "1"의 논리상태로 인식함으로써 정보를 저장할 수 있다. NOR Flash의

저용량/고비용의 한계를 극복하고 향후 NOR를 대체하고자 개발되고 있으며, 휴대폰 및

Mobile Device용 MCP에 채용되고 있는 NOR를 대체해 나갈 것으로 전망되고 있다.

MRAM은 DRAM의 커패시터를 자기터널접합(Magnetic Tunnel Junction)이 대체한 메모리

이다. 자기터널접합은 두 개의 자성체가 부도체막으로 분리된 구조를 가지고 있다. 두 자성체

중 하나는 극성이 한 방향으로 고정되어 있으며, 다른 자성체의 극성은 트랜지스터를 통해 흘

려주는 전류의 방향에 따라 유발되는 자기장에 의해 바뀌도록 되어 있다. 두 자성체가 동일한

극성(→/→)을 가지면 낮은 저항값을, 서로 다른 극성(→/←)을 가지면 높은 저항값을 갖는다.

낮은 저항값의 경우 "0", 높은 저항값의 경우 "1"로 인식하게 된다. MRAM의 경우, 데이터가

자석의 극성형태로 저장되기 때문에 전원이 꺼져도 사라지지 않는 비휘발성 메모리이다.

MARM은 이미 일부 Application (우주항공용, 군수용)에 적용되고 있으나, 근본적인 문제,

즉, 집적화가 불가능하여 저용량이며 고비용인 한계가 있어 고용량화가 가능하고 저비용인

DRAM처럼 범용화되기는 어려울 것으로 판단된다. 대신 고용량화의 한계를 극복할 수 있는

STT기술을 적용하여 집적도를 매우 향상시킬 수 있는 STT-RAM이 활발히 연구되고 있다.

STT-RAM은 흔히 STT-MRAM (Spin Transfer Torque-Magnetic RAM. Spin 주입 자화

반전 메모리)이라고도 하는데, 통칭해 STT-RAM으로 분류한다. STT-RAM은 MRAM과 기본

원리는 동일하여 커패시터 대신 자기접합터널(MTJ)이라는 자성체구조를 이용하는 메모리이며,

MRAM의 고용량 한계와 속도를 개선한 제품이다.

대표적인 차세대 메모리 PRAM, MRAM, STT-RAM



<표1> 기존 메모리와 차세대 메모리 비교

DRAM NAND NOR PRAM MRAM STT-RAM

Non-Volatile X O O O O O

Data Retention Millisecond 10years 10years 10years > 20 years > 20 years

Cell size 4F2~8F2 4F2 10F2 6F2~8F2 > 30F2 4F2~8F2

Standby Current ~mA 20~100mA 20~100mA < 10uA < 10uA < 10uA

Write Speed <10ns 10ns(Program)

1ms(Erase) 10ns < 500ns < 40ns < 10ns

Read Speed < 10ns < 100ns < 100ns < 100ns < 40ns < 10ns

Read/Write Endurance 영구 105 10

5 10

8 영구 영구

자료: Spansion, 하이닉스, 삼성전자, HMC투자증권

2001년 인텔이 4Mb 제품을 최초 개발하였다. PRAM은 DRAM의 커패시터를 상변환 물질로

대체한 메모리로 대표적으로 적용되고 있는 상변화물질은 CD/DVD-RW 등의 광디스크에 쓰

이는 칼고게나이드(GeSb2Te5: GST)이다. 상변화물질은 전류나 전압 인가로 발생하는 열에 의

해 결정 및 비정질 간의 가역적인 상변화가 일어나게 되는데, 높은 온도에서는 저항이 낮은 결

정성을 가지며, 낮은 온도에서는 저항이 높은 비정질 상태를 유지한다. 상변화물질의 저항이

높고 낮음에 따라 각각 "0"과 "1"로 인식함으로써 데이터를 저장할 수 있다.

DRAM은 원가가 낮고 Random Access가 가능하지만, 휘발성의 단점이 있다. SRAM은 속도

가 빠른 장점이 있지만, 휘발성이며, 셀 사이즈가 커 고비용의 단점이 있다. 또한, Flash 메모

리는 비휘발성이지만, Random Access가 불가능하여 동작속도가 느린 제한적인 요소가 있다.

이러한 기존 메모리의 한계를 극복하고, 이들의 장점을 융합한 다양한 차세대 메모리의 개발이

현재 지속적으로 진행되고 있다. 현재까지는 PRAM이 가장 우수한 특성을 보유하고 있으며,

가장 양산화에 근접해 있는 것으로 평가되고 있다. 다만 신뢰성 확보 및 집적도의 추가적인 향

상이 이루어져야 할 것으로 판단된다.

업체별로는 월등한 R&D 비용 및 인력을 바탕으로 한 삼성전자가 PRAM시장을 주도하고 있

으며, 2005년에는 "집적도와 속도, 공정 기술 등을 종합적으로 고려한 결과 Mobile Device에

적합한 PRAM을 집중 육성해 나갈 것이다.”고 발표한 바 있다. 256Mb 및 512Mb까지는 개발

을 마친 상태이며, 2010년 말 1Gb 시제품을 출시할 예정인 것으로 알려져 있다. 아직 표준화되

어 있지 않은 상태로 또 다른 PRAM의 대표주자인 뉴모닉스와 표준화 공동 작업을 진행하기로

한 상태이다. 국내의 하이닉스도 현재 512Mb를 개발 중이며 내년 시제품을 출시할 예정이다.

삼성전자가 발 빠르게 PRAM을 개발, 양산을 준비함에 따라 차세대 메모리 시장을 선점해

나가고 있는 것으로 판단되며, 휴대폰용 메모리 시장에서 여전히 큰 비중을 차지하고 있는

NOR Flash를 PRAM으로 점차 대체하는 한편 주력 메모리인 NAND Flash의 우위를 유지해나

감으로써 향후 삼성전자의 메모리 시장에서의 지배력은 더욱 강화될 것으로 보인다.

PRAM (Phase-Change Memory; PCM)

Forward Solution 12


PRAM의 GST 소재 관련 원천 기술을 외국 기업이 가지고 있어 향후 시장 성숙 시 막대한 로

열티가 발생할 것으로 전망되므로 국내 업체들은 GST를 대체할 수 있는 새로운 상변화물질 개

발에도 더욱 노력해야 할 것으로 판단된다.

<그림8> PRAM의 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 구조 <그림9> Data 기록 원리

자료 : IDC, 각사, HMC투자증권 자료 : Grandis, HMC투자증권

<그림10> PRAM의 적용 예상 분야

자료 : IDC, 각사, HMC투자증권

<그림11> 노키아 PRAM 채용 계획

NOKIA

20132010 2011 2012

시제품 적용 양산 적용 시작 본격 시장 확대


상부전극

하부전극

상변화막

Data '1' Data '0'

Multi-Chip Package(MCP)

NOR MCP

( SRAM + NOR Flash)

Mobile Device PRAM

2012년 이후 PRAM으로 점차

대체될 가능성 높음

비정질이면 고저항 결정질이면 저저항

-> Data '1' 로 인식 -> Data '0' 으로 인식



<그림12> 업체별 PRAM 개발 Roadmap

표준화 공동 추진

512Mb 개발 중 1Gb 시제품

2005 2006 2007 2008 2009

1Gb 시제품

512Mb 시제품

256Mb 개발 512Mb 개발

2011

1Gb 시제품

2010


MRAM은 DRAM의 커패시터 역할을 자기터널접합 (Magnetic Tunnel Junction)이 수행하

는 메모리이다. 자기터널접합은 두 자성체 사이에 부도체막이 자성체를 분리하고 있는 구조이

다. 아래위 자성체의 극성에 따라 데이터를 다르게 인식하게 되는 원리이다. 인가된 전류의 방

향에 따라 유발되는 자기장에 의해서 극성이 바뀌도록 되어 있어 두 자성체가 같은 방향의 극

성이면 낮은 저항값의 "0"을, 반대의 극성이면 높은 저항값의 "1"의 데이터를 인식하게 된다.

MRAM의 DRAM 대비 동작속도가 다소 빠르고, 비휘발성이며, 온도 특성이 뛰어나 군수용

이나 산업용, 우주항공용으로 일부 사용되고 있으나, 향후에도 이 분야로 한정적으로 적용될

가능성이 높다고 판단된다. 우선 집적도에 한계가 있다. Cell Size가 DRAM대비 매우 커 고집

적화가 어렵고, 매우 고비용이며, 만약 미세화한다고 해도 MTJ크기가 줄어들어 자기장을 바꿔

주는 전류의 크기가 같이 커지게 되고, 그에 따라 전력소모가 매우 증가하게 되는 단점이 있다.

<그림13> MRAM 기본 구조 <그림14> MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 구조

자료 : IDC, 각사, HMC투자증권 자료 : Grandis, HMC투자증권

MRAM (Magnetoresistive RAM)

MTJ Free Magnetic Layer

Fixed Magnetic Layer

Tunnel Barrier

Forward Solution 14


<그림15> MTJ의 Data 기록 원리


자성체 구조인 MTJ가 DRAM에서의 커패시터 역할을 하는 MRAM과 같은 원리의 메모리이

다. MRAM의 단점인 저용량, 고비용 문제를 개선하기 위해 연구되고 있는 제품이다

MRAM은 데이터 쓰기를 위해 별도의 Digit Line이 필요해 집적도에 문제가 발생하고, 이웃

한 셀과의 간섭 현상이 발생하는 등의 문제점으로 인해 대중화되지는 못하고 있다. IBM이

1996년 '̀STT'라는 현상을 발견하면서 STT-RAM은 새로운 전기를 맞게 됩니다. STT 현상은

높은 밀도의 강한 전류가 자성체를 통과할 때, 자성체의 극성 방향이 전류 속 전하의 Spin 방향

과 일치하지 않으면 강제로 일치시키는 특성을 말하는 것인데, 이 원리를 이용하여 고정 자성

체에서 자유 자성체로 높은 전류를 흘려주면 두 자성체의 방향이 일치하게 되는데, 이것을 ̀1'로

인식하는 것이다. 반대로 자유층에서 고정층으로 전류를 흘려주면 중간층인 부도체 절연막에서

스핀 축적 현상이 일어나 두 자성체의 극성 방향을 반대로 엇갈리게 배열시키게 되는데, 이 때

를 ̀'0'으로 인식하는 원리이다.

이러한 STT기술을 MRAM에 접목하여 STT-RAM이 본격 연구되기 시작했다. STT-RAM은

MRAM과 달리 별도의 Digit Line이 없어도 쓰기가 가능하고, 이웃 셀과의 간섭현상도 상대적

으로 개선되고 있는 것으로 알려져 있다. 기존 메모리에 비해 매우 간단한 MTJ 구조만으로 쓰

기와 읽기가 가능하기 때문에 Tera Bit급의 대용량 집적도를 구현할 수 있을 것으로 전망된다.

무엇보다 STT-RAM은 전원이 꺼져도 자성이 없어지지 않기 때문에 비휘발성 메모리이면서

도, 데이터 처리속도가 SRAM이나 DRAM보다 훨씬 빠르고, 전력소모율도 낮기 때문에 이른바

차세대 `메모리로 주목 받고 있으나, 외부 자기장 노출 시 오작동 및 기능 파괴 현상이 나타날

수 있으며, 별도의 증착 및 식각 장비에 대한 검증도 오랜 기간 진행되어야 한다는 점에서 본격

상용화는 2012년 이후일 것으로 예상된다.

STT RAM (Spin Torque Transfer RAM, STT-MRAM)

Data '0' Data '1'

낮은 저항 높은 저항



<그림16> 업체별 개발 Roadmap

Ovonyx와라이선스 계약

Grandis와기술협력계약

공동개발 합의 3xnm 시제품공동연구시작

(8인치 Wafer기반)

2010

공동개발 합의공동연구 시작

(12인치 Wafer기반)

2007 2008 2009

50nm 이하 시제품

2011 2012 2013

3xnm 시제품

3xnm 시제품


<그림17> STT-RAM 셀 구조


앞에서 언급했듯이 PRAM, STT-RAM 등 차세대 메모리 중 PRAM에 가장 양산화에 근접

에 있는 것으로 보인다. 선두업체의 경우 512Mb까지 개발되었고, 내년 1Gb 양산을 목표로 하

고 있다. PRAM은 휴대폰 등 Mobile Device의 NOR Flash를 대체할 목적으로 개발된 제품으

로, NOR 수준의 동작 속도를 구현하며 DRAM 수준의 고집적화가 가능하므로 Mobile Device

의 Embedded향 NOR Flash를 점차 대체해 나갈 것으로 보인다. 내년 중 삼성전자, 뉴모닉스,

하이닉스 등에서 1Gb 가 양산되면서 본격적으로 시장을 형성해 나갈 것으로 전망된다.

STT-RAM도 삼성전자, 하이닉스 등에서 활발히 연구되고 있으며, 개별연구 외에도 삼성전

자와 하이닉스는 3xnm STT-RAM (12인치 웨이퍼 기반)을 공동으로 연구개발하고 있다. 일본

의 Toshiba, NEC 등도 STT-RAM을 공동 연구 개발하고 있으나, 8인치 웨이퍼 기반의 연구

로 현재 삼성전자와 하이닉스 공동개발하고 있는 12인치 웨이퍼 기반 연구에 비해 다소 뒤쳐져

있는 것으로 판단된다.

현재의 범용 DRAM, NAND시장과 마찬가기로 경쟁업체 대비 한발 빠른 연구 개발 능력과

공정 기술력를 감안하면 차세대 메모리 시장에서도 국내 업체의 경쟁력 우위는 계속될 것으로

예상된다.

향후 차세대 메모리 시장 전망

Forward Solution 16


▶ Compliance Notice

Ⅲ. 기업분석

1. 삼성전자 (005930) 노근창 연구위원 02) 3787-2301 / [email protected]

김영찬 책임연구원 02)3787-2242/[email protected]

52주 최고/최저: 736,000원/403,000원

시가총액: 103,404십억원

일평균거래대금(60일): 2,996억원

자본금/액면가: 8,975억원/5,000원

외국인지분: 47.01%

주요주주: 삼성생명 7.5%

삼성전자에 대해 6개월 목표주가 78만원 (09년 예상 BPS에 5개년 평균 P/B 평균 2.0배 적

용)에 투자의견 매수를 유지한다. 삼성전자는 앞선 미세 공정 기술을 바탕으로 경쟁 업체와의

기술 격차를 지속적으로 확대하고 있으며, DDR3 시장에서의 기술 Leadership이 더욱 확대되

고 있다. 차세대 메모리인 PRAM과 STT-RAM 부문에서도 R&D를 집중하면서 기술 경쟁력은

더욱 강화될 것으로 보인다. 특히, 향후 메모리와 비메모리 반도체의 Integration이 강화될 경

우 어떤 경쟁 업체보다도 유리할 것으로 보인다. 2008년부터 Mobile Processor를 Apple의

iPhone에 공급하면서 Mobile용 CPU 시장에서의 경쟁력도 강화되고 있다. 특히, PRAM은 삼

성전자가 경쟁력이 강화되고 있는 Mobile Processor와의 기술 Synergy를 확대될 수 있으며,

삼성전자의 휴대기기의 경쟁력을 제고시킬 수 있다는 점에서 긍정적이다.

삼성전자의 3분기 연결 매출액과 영업이익은 DS 사업부와 휴대폰 실적 개선에 힘입어 QoQ

로 각각 11.7%, 25.9% 증가한 36.3조원과 3.2조원을 기록할 것으로 예상된다. 본사 매출액과

영업이익은 본사 비중이 높은 DS 사업부의 실적 개선 영향으로 QoQ로 각각 14.4%, 265.2%

증가한 24.0조원과 2.0조원을 기록할 것으로 추정된다. 본사 기준 영업이익은 YoY로 97.3%

증가하면서 YoY 이익 모멘텀이 3분기부터 나타날 것으로 예상되며, 본사기준 세전이익은 YoY

로 140.2% 증가한 3.4조원을 기록할 것으로 전망된다. 삼성전자가 2분기에 LED TV에 힘입어

실적 Surprise를 기록하였고, 3분기부터는 모든 사업부의 실적 개선이 이어지고 있다는 점에서

3분기 이후 실적 개선의 지속성이 확인될 경우 역사적 신고가 (764,000원)를 경신할 것으로 보

인다.

매출액

(십억원)

영업이익

(십억원)

세전이익

(십억원)

순이익

(십억원)

EBITDA

(십억원)

EPS

(원)

증감률

(%)

PER

(배)

PBR

(배)

EV/EBITDA

(배)

ROE

(%)

2007 63,176 5,943 8,630 7,425 13,000 43,642 -6.3 15.2/11.3 1.8 6.8 15.32008 72,953 4,134 5,908 5,526 11,753 32,480 -25.6 22.6/11.9 1.6 7.5 10.12009F 87,020 4,798 8,891 7,873 12,025 46,278 42.5 14.3 1.7 8.6 12.72010F 94,575 8,324 13,266 11,674 16,344 68,617 48.3 9.6 1.5 5.9 16.32011F 103,581 10,010 15,966 14,050 18,429 82,582 20.4 8.0 1.2 4.7 16.8

이 자료에 게재된 내용들은 본인의 의견을 정확하게 반영하고 있으며, 외부의 부당한 압력이나 간섭없

이 작성되었음을 확인합니다. <작성자 : 노근창,김영찬>이 조사자료는 당사의 리서치센터가 신뢰할 수

있는 자료 및 정보로부터 얻어진 것이나, 당사가 그 정확성이나 완전성을 보장할 수 없으므로 참고자료

로만 활용하시기 바라며 유가증권 투자시 투자자 자신의 판단과 책임 하에 종목선택이나 투자시기에

대한 최종 결정을 하시기 바랍니다. 따라서, 이 조사자료는 어떠한 경우에도 고객의 증권투자 결과에

대한 법적 책임소재의 증빙자료로 사용될 수 없습니다. 이 조사자료의 지적재산권은 당사에 있으므로

당사의 허락없이 무단 복제 및 배포할 수 없습니다. 동 자료는 기관투자가 또는 제3자에게 사전 제공한

사실이 없습니다. / 추천종목은 당사와 계열회사의 관계가 없습니다. / 추천종목은 전일 기준 유가증권

(DR, CB, IPO, 시장조성 등)발행과 관련하여 지난 6개월간 당사가 주간사로 참여하지 않았습니다. 추

천종목은 전일 기준 당사에서 1% 이상 보유하고 있지 않습니다. / 추천종목은 전일 기준 조사분석 담

당자가 보유하고 있지 않습니다. / 6개월 이내에 당해 기업에 대한 후속 조사분석자료가 공표되지 않

을 수 있습니다.

▶업종 투자의견 분류HMC투자증권의 업종투자의견은 3등급으로 구분되며 향후 6개월간 업종 펀더멘털과 업종주

가의 전망을 의미함.

·비중확대(Overweight) : 업종 펀더멘털의 개선과 함께 업종주가의 상승 기대

·중립(Neutral) : 업종 펀더멘털상의 유의미한 변화가 예상되지 않음

·비중축소(Underweight) : 업종 펀더멘털의 악화와 함께 업종주가의 하락 기대

▶투자기간 및 투자의견HMC투자증권의 종목추천에 대한 투자기간은 6개월, 투자의견은 3단계로 구분함.

·매수(Buy) : 해당 종목의 초과수익률 +15%p 이상

·보유(Hold) : 해당 종목의 초과수익률 -15~15%p 이내

·매도(Sell)) : 해당 종목의 초과수익률 -15%p 이하

차세대 메모리에서도 기술 우위 유지 예상

Buy (유지) 현재가(8/13) : 702,000원

목표주가 : 780,000원

실적 개선의 지속성이 확인될 경우 역사적 신고가 경신 예상



<표2> 기본 가정 (십억원)

2008 1Q09 2Q09 3Q09F 4Q09F 2009F

PC 출하량 증가율 (YoY) 11.6% -9.4% -6.2% -2.1% 0.7% -4.1%

휴대폰 출하량 증가율 (YoY) 6.0% -8.6% -6.1% -3.0% -1.0% -4.6%

TV 출하량 증가율 (YoY) 2.6% -6.1% -2.2% -2.7% 1.5% -2.1%

PC 출하액 증가율 (YoY) 4.0% -21.8% -15.3% -9.3% -6.9% -13.4%

휴대폰 출하액 증가율 (YoY) -2.5% -18.7% -18.0% -15.4% -11.6% -16.0%

산업 수요

TV 출하액 증가율 (YoY) 6.1% -10.9% -10.5% -10.8% -0.5% -7.9%

DRAM Bit Growth 78.3% 3.3% 20.3% 10.2% 1.2% 40.6%

DRAM ASP 변화 (USD,QoQ) -52.1% -12.0% 10.5% 10.0% -3.0% -35.4%

NAND Bit Growth 128.4% -8.9% 9.9% 27.2% 3.9% 38.7%반도체

NAND ASP 변화 (USD,QoQ) -61.2% 18.8% 27.5% -0.5% -10.0% -19.5%

대형 출하량 (천대) 93,913 23,884 32,371 35,043 35,774 127,073

중소형 출하량 (천대) 104,694 18,695 21,284 24,900 23,307 88,187LCD

대형 ASP 변화 (USD,QoQ) -12.3% -21.7% -2.0% 17.6% 4.3% -31.0%

휴대폰 출하량 (천대) 196,624 45,743 52,080 60,928 57,030 215,782정보통신

연결 ASP (USD) 136 127 124 123 120 123

TV 출하량 (천대) 34,682 7,441 8,144 9,554 11,579 36,718

삼성전자

DM LCD TV 출하량 (천대) 20,976 5,046 5,542 6,418 8,399 25,406

원/달러 환율 1,099.3 1,411.0 1,290.0 1,270.0 1,280.0 1,312.8 자료: 삼성전자, HMC투자증권

Forward Solution 18

Forward Solution 20


▶ 투자의견 및 목표주가 추이 ▶ 최근 2년간 삼성전자 주가 및 목표주가 일 자 투자의견 목표주가 일 자 투자의견 목표주가

09/04/10 매수 650,000원

09/04/27 매수 720,000원

09/05/29 매수 720,000원

09/07/01 매수 750,000원

09/07/14 매수 780,000원

09/07/27 매수 780,000원

09/07/30 매수 780,000원

09/08/12 매수 780,000원

09/08/14 매수 780,000원

0

100,000

200,000

300,000

400,000

500,000

600,000

700,000

800,000

900,000

07/8 08/1 08/6 08/10 09/3 09/8

원

목표주가

삼성전자 주가



(단위:십억원) (단위:십억원)

손익계산서 2007 2008 2009F 2010F 2011F 대차대조표 2007 2008 2009F 2010F 2011F

매출액 63,176 72,953 87,020 94,575 103,581 유동자산 16,621 17,791 27,027 35,445 45,791

매출원가 46,847 55,381 66,918 69,513 75,578 현금성자산 6,890 5,667 8,922 16,558 25,521

매출총이익 16,329 17,572 20,102 25,062 28,003 단기투자자산 978 982 577 577 577

판매관리비 10,387 13,438 15,304 16,738 17,993 매출채권 1,781 3,090 6,565 6,858 7,376

인건비 918 955 1,211 1,265 1,361 재고자산 3,338 3,818 4,904 5,123 5,510

일반관리비 6,090 6,942 8,005 8,962 9,957 비유동자산 48,604 54,728 55,657 58,329 61,623

판매비 3,211 5,363 6,087 6,511 6,676 투자자산 17,122 21,653 27,098 31,024 35,650

영업이익 5,943 4,134 4,798 8,324 10,010 유형자산 29,777 31,250 26,887 25,749 24,509

(영업이익률) 9.4 5.7 5.5 8.8 9.7 무형자산 568 653 556 441 349

영업외수익 4,162 7,610 12,837 12,228 13,424 자산총계 65,225 72,519 82,683 93,774 107,414

이자수익 279 401 227 476 774 유동부채 10,802 11,721 13,890 14,116 14,514

외환이익 396 4,326 7,836 7,382 7,556 매입채무 1,936 2,388 5,050 5,276 5,674

지분법이익 2,627 2,166 4,520 4,371 5,094 단기차입금 0 0 0 0 0

영업외비용 1,475 5,836 8,744 7,286 7,468 유동성장기부채 4 6 7 7 7

이자비용 48 50 82 83 83 비유동부채 2,862 2,684 2,808 2,808 2,808

외환손실 503 4,832 7,463 6,758 6,918 사채 84 108 119 119 119

지분법손실 262 374 939 445 467 장기차입금 0 0 0 0 0

(영업외수지) 2,687 1,774 4,093 4,942 5,956 부채총계 13,665 14,406 16,698 16,924 17,322

세전사업이익 8,630 5,908 8,891 13,266 15,966 자본금 898 898 898 898 898

법인세비용 1,205 382 1,018 1,592 1,916 자본잉여금 6,364 6,590 6,618 6,618 6,618

계속사업이익 7,425 5,526 7,873 11,674 14,050 자본조정 등 -6,663 -4,790 -4,011 -4,011 -4,011

중단사업이익 0 0 0 0 0 이익잉여금 50,963 55,416 62,481 73,346 86,587

당기순이익 7,425 5,526 7,873 11,674 14,050 자본총계 51,561 58,113 65,985 76,850 90,091

EBITDA 13,000 11,753 12,025 16,344 18,429 부채와자본총계 65,225 72,519 82,683 93,774 107,414

(단위:십억원) (단위:원,배,%)

현금흐름표 2007 2008 2009F 2010F 2011F 투자지표 2007 2008 2009F 2010F 2011F

영업활동현금흐름 13,264 10,633 7,549 14,859 16,698 EPS 43,642 32,480 46,278 68,617 82,582

당기순이익 7,425 5,526 7,873 11,674 14,050 수정EPS 43,368 31,588 45,660 68,617 82,582

유형자산감가상각비 6,909 7,464 7,081 7,905 8,328 BPS 303,061 341,577 387,844 451,707 529,535

무형자산상각비 148 156 146 116 92 DPS 8,000 5,500 5,500 5,500 5,500

외화환산손실(이익) -2 354 273 0 0 CFPS 85,121 77,264 88,756 115,761 132,069

지분법손실(이익) -1,574 -1,108 -3,303 -3,926 -4,626 EBITDAPS 76,409 69,083 70,680 96,067 108,324

운전하본감소(증가) -507 -2,433 -3,935 -287 -506 PER 12.8 16.9 14.3 9.6 8.0

기타 866 676 -587 -624 -638 수정PER 12.9 17.4 14.5 9.6 8.0

투자활동현금흐름 -9,688 -9,290 -3,656 -6,568 -7,200 PBR 1.8 1.6 1.7 1.5 1.2

설비투자 -8,512 -9,489 -3,693 -6,767 -7,087 EV/EBITDA 6.8 7.5 8.6 5.9 4.7

투자자산감소(증가) -1,250 -1,481 -6,076 -7,851 -9,253 배당수익률 1.4 1.2 0.8 0.8 0.8

유형자산처분 420 256 10 0 0 매출총이익률 25.8 24.1 23.1 26.5 27.0

기타 -346 1,424 6,103 8,050 9,140 영업이익률 9.4 5.7 5.5 8.8 9.7

재무활동현금흐름 -2,527 -1,010 -788 -809 -809 순이익률 11.8 7.6 9.0 12.3 13.6

단기차입금증가(감소) 0 0 0 0 0 EBITDA Margin 20.6 16.1 13.8 17.3 17.8

장기차입금증가(감소) 0 0 0 0 0 ROE 15.3 10.1 12.7 16.3 16.8

사채증가(감소) 0 0 0 0 0 ROA 12.1 8.0 10.1 13.2 14.0

배당금 -819 -1,172 -809 -809 -809 매출액증가율 7.1 15.5 19.3 8.7 9.5

자본금증가(감소) 0 0 0 0 0 영업이익증가율 -14.3 -30.4 16.1 73.5 20.3

기타 -1,708 161 21 0 0 순이익증가율 -6.3 -25.6 42.5 48.3 20.4

현금증가(감소) 1,049 333 3,105 7,482 8,690 부채비율 26.5 24.8 25.3 22.0 19.2

기초현금 978 2,027 2,360 5,465 12,947 순차입금비율 -13.2 -9.6 -13.3 -21.4 -28.2

기말현금 2,027 2,360 5,465 12,947 21,637 이자보상배율 124.3 82.7 58.8 100.9 121.3

Forward Solution 22


▶ Compliance Notice

2. 하이닉스 (000660) 김영찬 책임연구원 02)3787-2242/[email protected]

노근창 연구위원 02) 3787-2301 / [email protected]

52주 최고/최저: 23,900원/5,770원

시가총액: 10,849십억원

일평균거래대금(60일): 2,221억원

자본금/액면가: 29,657억원/5,000원

외국인지분: 20.11%

주요주주: 외환은행 6.4%

실적 전망 상향으로 하이닉스의 6개월 목표주가를 19,000원에서 21,000원(예상 Forward

BPS에 PBR 2.0배 적용)으로 상향한다. 하이닉스는 메모리 경기의 급격한 하강기에도 R&D 비

용을 축소하지 않았으며, 향후 메모리 업체에 있어 성장동력이 될 것으로 예상되는 PRAM,

STT-RAM 등에 대한 지속적인 연구개발 및 기술제휴 등을 통한 미래 경쟁력 확보에 노력하고

있다. PRAM의 원천기술 보유 업체인 Ovonyx사와 라이센스 계약을 체결하였으며, 내년

512Mb 시제품을 출시할 계획이다. 또한, STT-RAM의 원천기술 업체 중 하나인 Grandis사와

도 공동 협력 개발을 진행 중이며, 2012년 DRAM 대체용 5xnm 시제품 생산을 계획하고 있다.

STT-RAM의 경우 자체 개발과 별도로 삼성전자 및 한양대 등과 3xnm STT-RAM 공동연구

개발도 진행하고 있는 등 차세대 메모리 개발에 박차를 가하고 있다.

삼성전자를 제외한 Elpida, Micron 후발 메모리업체들이 차세대 메모리보다는 현저히 약화

된 DRAM 경쟁력을 회복하는데 급급하고 있는 상황이며, Toshiba, NEC, Fujitsu등이 8인치

웨이퍼 기반 STT-RAM을 공동개발하고 있다. 하이닉스는 12인치 웨이퍼 기반으로 개발을 진

행하고 있어 차세대 메모리 경쟁력 우위 확보에 유리한 고지를 점한 것으로 평가된다.

하이닉스의 실적 전망치를 대폭 상향하였다. DRAM가격상승폭이 회사 가이던스와 당사 전

망치보다 높을 것으로 판단되기 때문이다. 하이닉스의 3분기 연결 매출액과 영업이익은

DRAM 가격의 큰 폭 상승에 힘입어 QoQ로 각각 24.7%와 흑자 전환한 2.09조원과 2,340억원

을 기록할 것으로 예상된다. DRAM가격이 상승 후 안정적인 흐름을 보일 전망으로 4분기에도

실적의 추세적 성장이 가능할 전망이다.

매출액

(십억원)

영업이익

(십억원)

세전이익

(십억원)

순이익

(십억원)

EBITDA

(십억원)

EPS

(원)

증감률

(%)

PER

(배)

PBR

(배)

EV/EBITDA

(배)

ROE

(%)

2007 8,434 257 417 329 2,003 716 -83.9 54.8/31.4 1.6 7.9 3.7

2008 6,495 -2,202 -4,805 -4,720 -300 -10,273 적전 - 1.9 - -66.8

2009F 7,079 -286 -708 -717 1,265 -1,279 적축 - 2.0 11.4 -13.7

2010F 9,286 1,805 1,805 1,647 3,018 2,793 흑전 6.6 1.5 4.5 26.7

2011F 10,235 2,585 2,469 2,223 3,542 3,769 35.0 4.9 1.2 3.5 27.4

이 자료에 게재된 내용들은 본인의 의견을 정확하게 반영하고 있으며, 외부의 부당한 압력이나 간섭없

이 작성되었음을 확인합니다. <작성자 : 김영찬,노근창>이 조사자료는 당사의 리서치센터가 신뢰할 수

있는 자료 및 정보로부터 얻어진 것이나, 당사가 그 정확성이나 완전성을 보장할 수 없으므로 참고자료

로만 활용하시기 바라며 유가증권 투자시 투자자 자신의 판단과 책임 하에 종목선택이나 투자시기에

대한 최종 결정을 하시기 바랍니다. 따라서, 이 조사자료는 어떠한 경우에도 고객의 증권투자 결과에

대한 법적 책임소재의 증빙자료로 사용될 수 없습니다. 이 조사자료의 지적재산권은 당사에 있으므로

당사의 허락없이 무단 복제 및 배포할 수 없습니다. 동 자료는 기관투자가 또는 제3자에게 사전 제공한

사실이 없습니다. / 추천종목은 당사와 계열회사의 관계가 없습니다. / 추천종목은 전일 기준 유가증권

(DR, CB, IPO, 시장조성 등)발행과 관련하여 지난 6개월간 당사가 주간사로 참여하지 않았습니다. 추

천종목은 전일 기준 당사에서 1% 이상 보유하고 있지 않습니다. / 추천종목은 전일 기준 조사분석 담

당자가 보유하고 있지 않습니다. / 6개월 이내에 당해 기업에 대한 후속 조사분석자료가 공표되지 않

을 수 있습니다.

▶업종 투자의견 분류HMC투자증권의 업종투자의견은 3등급으로 구분되며 향후 6개월간 업종 펀더멘털과 업종주

가의 전망을 의미함.

·비중확대(Overweight) : 업종 펀더멘털의 개선과 함께 업종주가의 상승 기대

·중립(Neutral) : 업종 펀더멘털상의 유의미한 변화가 예상되지 않음

·비중축소(Underweight) : 업종 펀더멘털의 악화와 함께 업종주가의 하락 기대

▶투자기간 및 투자의견HMC투자증권의 종목추천에 대한 투자기간은 6개월, 투자의견은 3단계로 구분함.

·매수(Buy) : 해당 종목의 초과수익률 +15%p 이상

·보유(Hold) : 해당 종목의 초과수익률 -15~15%p 이내

·매도(Sell)) : 해당 종목의 초과수익률 -15%p 이하

차세대 메모리 경쟁력도 후발업체 대비 우위

Buy (유지) 현재가 (8/13) : 18,400원

목표주가 : 21,000원

4분기에도 실적 개선 추세 이어질 것으로 예상



<표5> 기본가정(연결기준)

2008 1Q09 2Q09F 3Q09F 4Q09F 2009F

PC 출하량 증가율 (YoY) 11.6% -9.4% -6.2% -2.1% 0.7% -4.1%

휴대폰 출하량 증가율 (YoY) 6.0% -8.6% -6.1% -3.0% -1.0% -4.6%

TV 출하량 증가율 (YoY) 2.6% -6.1% -2.2% -2.7% 1.5% -2.1%

PC 출하액 증가율 (YoY) 4.0% -21.8% -15.3% -9.3% -6.9% -13.4%

휴대폰 출하액 증가율 (YoY) -2.5% -18.7% -18.0% -15.4% -11.6% -16.0%

산업 수요

TV 출하액 증가율 (YoY) 6.1% -10.9% -10.5% -10.8% -0.5% -7.9%

DRAM Bit Growth 49.3% -1.9% 10.0% 10.7% 9.1% 26.3%

DRAM ASP 변화 (USD,QoQ) -55.2% -6.8% 20.3% 21.0% 2.0% -33.3%

NAND Bit Growth 35.8% -3.7% 43.2% 15.8% 9.4% 2.6%하이닉스

NAND ASP 변화 (USD,QoQ) -57.2% 10.4% 23.3% -3.1% -2.5% -8.4%

원/달러 환율 1,099.3 1,411.0 1,290.0 1,270.0 1,280.0 1,312.8 자료: 하이닉스, HMC투자증권

<표6> 실적 추정 변경 (십억원)

변경 후 변경 전

3Q09F 4Q09F 2009F 2010F 3Q09F 4Q09F 2009F 2010F

매출액 2,090 2,321 7,400 9,569 2,047 2,208 7,244 8,991연결

영업이익 234 424 -67 1,822 128 288 -310 1,408

매출액 2,054 2,222 7,079 9,286 1,966 2,130 6,898 8,751

영업이익 214 373 -286 1,805 110 262 -501 1,356

세전이익 211 317 -289 1,805 112 251 -884 1,329본사

당기순이익 211 317 -246 1,647 109 246 -890 1,209

자료: 하이닉스, HMC투자증권

Forward Solution 24


<표7>하이닉스 분기별 실적 전망 (십억원)

2008 1Q09 2Q09F 3Q09F 4Q09F 2009F 1Q10F 2Q10F 3Q10F 4Q10F 2010F

매출액 6,819 1,313 1,676 2,090 2,321 7,400 2,301 2,305 2,424 2,539 9,569

영업이익 -1,921 -514 -211 234 424 -67 384 387 478 572 1,822

영업이익률 -28.2% -39.2% -12.6% 11.2% 18.3% -0.9% 16.7% 16.8% 19.7% 22.5% 19.0%

EBITDA 917 184 492 923 1,124 2,723 1,073 1,066 1,161 1,201 4,502

EBITDA Margin 13.4% 14.0% 29.3% 44.2% 48.4% 36.8% 46.6% 46.2% 47.9% 47.3% 47.0%

DRAM 부문

매출액 (A) 4,866 987 1,187 1,577 1,768 5,518 1,722 1,697 1,756 1,849 7,024

Bit Growth (QoQ, YoY) 49.3% -1.9% 10.0% 10.7% 9.1% 26.3% -2.1% 5.6% 7.2% 10.0% 31.3%

ASP 변화율 (QoQ, YoY) -55.2% -6.8% 20.3% 21.0% 2.0% -25.8% -4.5% -6.7% -4.2% -5.0% -0.7%

영업이익 -1,177 -417 -126 267 403 127 360 346 402 481 1,589

영업이익률 -24.2% -42.2% -10.6% 16.9% 22.8% 2.3% 20.9% 20.4% 22.9% 26.0% 22.6%

NAND 부문

매출액 (B) 1,521 206 329 367 395 1,297 418 438 486 498 1,840

Bit Growth (QoQ, YoY) 35.8% -3.7% 43.2% 15.8% 9.4% -14.4% -4.4% 16.2% 18.0% 9.9% 79.1%

ASP 변화율 (QoQ, YoY) -57.2% 10.4% 23.3% -3.1% -2.5% -8.4% -6.9% -9.8% -6.8% -7.5% -19.0%

영업이익 -615 -151 -102 -50 3 -299 8 20 46 56 130

영업이익률 -40.4% -73.3% -30.8% -13.6% 0.9% -23.0% 1.9% 4.6% 9.4% 11.3% 7.1%

기타 (C)

매출액 432 120 160 146 159 585 161 170 182 192 705

영업이익 -130 -2 16 17 18 49 16 21 30 36 102

연결

영업이익률 -30.0% -1.5% 10.0% 11.5% 11.5% 8.4% 10.0% 12.1% 16.5% 18.5% 14.5%

매출액 6,495 1,198 1,604 2,054 2,222 7,079 2,216 2,246 2,342 2,482 9,286

영업이익 -2,202 -652 -221 214 373 -286 361 373 478 593 1,805

세전 계속사업이익 -4,445 -1,195 -51 211 317 -289 373 382 471 579 1,805 본사

당기순이익 -4,359 -1,195 -51 211 317 -246 346 355 424 521 1,647 자료: 하이닉스, HMC투자증권



▶ 투자의견 및 목표주가 추이 ▶ 최근 2년간 하이닉스주가 및 목표주가 일 자 투자의견 목표주가 일 자 투자의견 목표주가

08/12/22 매수 11,900원

09/01/22 매수 11,900원

09/04/21 매수 17,000원

09/04/27 매수 19,000원

09/07/01 매수 19,000원

09/08/14 매수 21,000원

0

5,000

10,000

15,000

20,000

25,000

30,000

35,000

40,000

45,000

07/8

07/1

0

08/1

08/3

08/6

08/8

08/1

0

09/1

09/3

09/6

09/8

원

목표주가

하이닉스반도체주가

Forward Solution 26


(단위:십억원) (단위:십억원)

손익계산서 2007 2008 2009F 2010F 2011F 대차대조표 2007 2008 2009F 2010F 2011F

매출액 8,434 6,495 7,079 9,286 10,235 유동자산 3,547 1,680 3,326 4,872 6,450

매출원가 7,139 7,482 6,102 6,116 6,233 현금성자산 1,685 390 1,409 2,436 3,808

매출총이익 1,295 -987 977 3,170 4,003 단기투자자산 188 0 21 21 21

판매관리비 1,037 1,215 1,263 1,365 1,417 매출채권 550 290 567 603 681

인건비 93 88 99 132 146 재고자산 702 767 1,058 1,115 1,194

일반관리비 827 1,004 1,240 1,643 1,807 비유동자산 11,320 11,520 10,600 10,981 11,961

판매비 17 18 19 24 27 투자자산 2,118 2,736 2,970 3,052 3,089

영업이익 257 -2,202 -286 1,805 2,585 유형자산 8,397 7,678 6,887 7,228 8,213

(영업이익률) 3.1 -33.9 -4.0 19.4 25.3 무형자산 529 496 454 408 367

영업외수익 639 878 1,285 586 510 자산총계 14,867 13,199 13,925 15,853 18,411

이자수익 86 80 33 62 126 유동부채 2,793 4,131 4,872 5,139 5,406

외환이익 155 464 873 250 198 매입채무 646 748 980 921 880

지분법이익 170 196 257 125 71 단기차입금 224 935 1,363 1,313 1,413

영업외비용 479 3,482 1,706 586 626 유동성장기부채 425 586 668 891 933

이자비용 145 273 311 287 292 비유동부채 3,037 3,979 3,697 3,710 3,779

외환손실 156 1,581 875 138 186 사채 1,431 2,261 1,925 1,925 1,925

지분법손실 0 417 66 40 34 장기차입금 942 1,070 1,084 1,041 1,048

(영업외수지) 159 -2,603 -422 0 -116 부채총계 5,831 8,109 8,569 8,850 9,185

세전사업이익 417 -4,805 -708 1,805 2,469 자본금 2,314 2,316 2,966 2,966 2,966

법인세비용 88 -86 10 158 247 자본잉여금 852 929 953 953 953

계속사업이익 329 -4,720 -717 1,647 2,223 자본조정 등 -39 489 799 799 799

중단사업이익 0 0 0 0 0 이익잉여금 5,909 1,356 639 2,286 4,508

당기순이익 329 -4,720 -717 1,647 2,223 자본총계 9,036 5,090 5,356 7,003 9,226

EBITDA 2,003 -300 1,265 3,018 3,542 부채와자본총계 14,867 13,199 13,925 15,853 18,411

(단위:십억원) (단위:원,배,%)

현금흐름표 2007 2008 2009F 2010F 2011F 투자지표 2007 2008 2009F 2010F 2011F

영업활동현금흐름 2,766 -872 754 2,152 2,933 EPS 716 -10,273 -1,279 2,793 3,769

당기순이익 329 -4,720 -717 1,647 2,223 수정EPS 703 -10,284 -1,294 2,792 3,769

유형자산감가상각비 1,694 1,850 1,500 1,167 916 BPS 19,677 11,075 9,084 11,877 15,647

무형자산상각비 51 52 51 46 41 DPS 0 0 0 0 0

외화환산손실(이익) 28 869 9 -49 -5 CFPS 4,517 -6,133 1,486 4,850 5,392

지분법손실(이익) -170 222 -191 -85 -37 EBITDAPS 4,362 -654 2,255 5,119 6,008

운전하본감소(증가) 447 -567 -574 -152 -197 PER 43.8 - - 6.6 4.9

기타 387 1,422 677 -422 -7 수정PER 44.6 - - 6.6 4.9

투자활동현금흐름 -3,962 -1,186 -872 -1,221 -1,658 PBR 1.6 1.9 2.0 1.5 1.2

설비투자 -3,141 -1,946 -973 -1,614 -1,900 EV/EBITDA 7.9 - 11.4 4.5 3.5

투자자산감소(증가) -814 4 193 -166 -74 배당수익률 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

유형자산처분 32 290 76 98 0 매출총이익률 15.4 -15.2 13.8 34.1 39.1

기타 -39 465 -168 460 316 영업이익률 3.1 -33.9 -4.0 19.4 25.3

재무활동현금흐름 908 1,041 1,152 63 92 순이익률 3.9 -72.7 -10.1 17.7 21.7

단기차입금증가(감소) 196 541 387 -50 100 EBITDA Margin 23.7 -4.6 17.9 32.5 34.6

장기차입금증가(감소) 34 156 6 -60 -50 ROE 3.7 -66.8 -13.7 26.7 27.4

사채증가(감소) 851 840 100 0 0 ROA 2.3 -33.6 -5.3 11.1 13.0

배당금 0 0 0 0 0 매출액증가율 11.4 -23.0 9.0 31.2 10.2

자본금증가(감소) 0 0 677 0 0 영업이익증가율 -86.3 적전 적축 흑전 43.2

기타 -174 -495 -18 173 42 순이익증가율 -83.7 적전 적축 흑전 35.0

현금증가(감소) -288 -1,017 1,034 993 1,367 부채비율 64.5 159.3 160.0 126.4 99.6

기초현금 1,647 1,359 341 1,376 2,369 순차입금비율 14.8 87.7 67.8 39.1 16.4

기말현금 1,359 341 1,376 2,369 3,736 이자보상배율 1.8 -8.1 -0.9 6.3 8.9



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