Electronica Basica Quiz

Act 5: Quiz 1

Revisión del intento 1

Comenzado el Friday, 20 de April de 2012, 21:55

Completado el Friday, 20 de April de 2012, 22:48

Tiempo empleado 52 minutos 28 segundosCalificación 21.5 de un máximo de 25

(86%)Página: 1 2 (Siguiente)

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Question 1 Puntos: 2

El siguiente circuito representa:

Seleccione una respuesta.

a. El circuito caracteristico de una Fuente DC regulada con diodo zener Verdadero

b. El circuito caracteristico de una Fuente AC regulada con diodo convencional c. El circuito caracteristico de una Fuente AC regulada con diodo zener d. El circuito caracteristico de una Fuente DC regulada con diodo convencional

El circuito caracteristico de una Fuente DC regulada con diodo zener

7217 Finalizar revisión

CorrectoPuntos para este envío: 2/2.


Dos de las siguientes afirmaciones son ciertas dado el siguiente circuito donde un diodo esta polarizado directamente (corto circuito).

Seleccione al menos una respuesta.

a. I = 93 mA

b. I = 9,3 mA Falso

c. P = 86 mW

d. V =10 V IncorrectoPuntos para este envío: 0/2.


En un material tipo n:


a. Los huecos son portadores minoritarios

Si, pero existe otra alternativa

b. Los huecos son portadores mayoritarios c. Los electrones son portadores minoritarios d. Los electrones son portadores mayoritarios

Si, pero existe otra alternativa



Se define la resistividad

R = p

Estas siglas significan:

*l / S donde p = rho.(?, letra griega rho) como la magnitud característica que mide la capacidad de un material para oponerse al flujo de una corriente eléctrica, la resistividad del material será:Seleccione al menos una respuesta.

a. S es la sección o área Parcialmente

cierto.

b. R es la conductancia

c. S representa la admitancia

d. l es la longitud Parcialmente

cierto.R es la resistencia eléctrica del material, l la longitud y S la sección

transversal. CorrectoPuntos para este envío: 2/2.


En un diodo semiconductor pn se presentan dos efectos capacitivos que se deben tener en cuenta. Ambos tipos se presentan tanto en la zona de polarización directa como en la zona de polarización inversa. Uno de los efectos es superior que en el otro en cada zona. En la región de polarización directa, el efecto significativo se conoce como:


a. Capacitancia de difusión (CD). Correcto

b. Capacitancía expansiva

c. Capacitancía reactiva

d. Capacitancia de transición (CT)


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Act 5: Quiz 1


Principio del formulario

Final del formulario

Comenzado el viernes, 20 de abril de 2012, 21:55

Completado el viernes, 20 de abril de 2012, 22:48

Tiempo empleado 52 minutos 28 segundos

Calificación 21.5 de un máximo de 25 (86%)

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Question 6

Puntos: 2

En los conductores, semiconductores y aislantes la banda de Valencia y la de conducción se encuentran:


a. Muy separadas, Unidas y levemente separadas respectivamente

b. Unidas, levemente separadas y muy separadas respectivamente Correcto

c. Muy separadas, levemente separadas y Unidas, respectivamente



d. Levemente separadas, Unidas y muy separadas respectivamente

Correcto

Puntos para este envío: 2/2.

Question 7

Puntos: 2

Según la teoria del modulo de electrónica básica encontramos que el diodo ideal cumple con la siguiente formula:

RF = VF

donde las siglas significan:

/ IF = 0v / KmA= 0 ? ( Para un Circuito cerrado)


a. IF es el valor de la corriente a través del mismo. Parcialmente cierto.

b. K es el valor 2,7177

c. RF es el valor de la resistencia directa. Parcialmente cierto.

d. VF es el valor del voltaje de polarización inverso.

RF es el valor de la resistencia directa.VF es el valor del voltaje de polarización directa.IF es el valor de la corriente a través del mismo.K es cualquier valor positivo de corriente.

Correcto


Question 8

Puntos: 2

La potencia en la resistencia de carga del circuito mostrado en la siguiente figura es?


a. P = 10 W

b. P = 86 mW VERDADERO

c. P = 50 mW

d. P = 95 W

P = I . VP = I2 . RP = V2 / R

Correcto


Question 9

Puntos: 2

El máximo potencial de polarización inverso que puede soportar un diodo antes de entrar en la zona Zener se denomina:


a. Voltaje de polarización

b. Potencial de alimentación

c. Corriente inversa

d. Voltaje pico inverso (VPI) Correcto

Correcto


Question 10

Puntos: 2

La siguiente figura representa:


a. De nivel positivo

b. De nivel negativo Falso.

c. Un recortador

d. Un sujetador Parcialmente cierto.

Es un sujetador de nivel positivo

Parcialmente correcto


Question 11

Puntos: 1

Para el circuito de la figura la corriente del circuito es de:


a. 3.8 mA

b. 0.25 A

c. 25 mA Incorrecto

d. 6.5 A

Correcto


Question 12

Puntos: 1

Relacione las siguientes caracteristicas con uno de los elementos citados:

Diodo Zener

Diodo Led

El transistor

El Diodo


Puntos para este envío: 0.5/1.

Question 13

Puntos: 1

Conduce en ambos sentidos.

Tiene la facultad de emitir luz

Elemento Unijuntura

Elemento constituido por tres capas

Los átomos de Germanio y Silicio cuentan con el siguiente número de electrones de valencia.


a. 2

b. 5

c. 4 Correcto

d. 3

Correcto


Question 14

Puntos: 1

La energía se expresa también en joules y la carga de un electrón voltio es, entonces:


a. 1 Ev= 1,6 X 10-16 J

b. 1 Ev= 1,8 X 10-19 J

c. 1 Ev= 1,6 X 10-19 J VERDADERO

d. 1 Ev= 2,0 X 10-29 J

1 Ev= 1,6 X 10-19 J

Correcto


Question 15

Puntos: 1

Cual es el valor promedio (CD) de la forma de onda del voltaje rectificado de media onda que se muestra en lafigura:


a. 28,83v

b. 31,83v Correcto

c. 40v

d. 35v

Correcto


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Act 9: Quiz 2




Comenzado el martes, 8 de mayo de 2012, 09:02

Completado el martes, 8 de mayo de 2012, 09:59

Tiempo empleado 56 minutos 24 segundos

Calificación 12.5 de un máximo de 25 (50%)

Question 1

Puntos: 2

la siguiente figura corresponde a:



a. Son los simbolos de un Diac.

b. Son los simbolos de un Ruptura Cmos.

c. Son los simbolos de un Triac

d. Símbolos de transistores NMOS y PMOS.

Verdad. Son los Símbolos de transistores NMOS y PMOS, respectivamente.

Son los Símbolos de transistores NMOS y PMOS, respectivamente.

Correcto


Question 2

Puntos: 2

La siguiente figura nos representa a) la estructura física, b) símbolo y c) características I-V de:


a. SCR

b. LASCR

c. SIDAC la estructura física, b) símbolo y c) características I-V. de un SIDAC.

d. SBS

Es la estructura física, b) símbolo y c) características I-V. de un SIDAC.

Correcto


Question 3

Puntos: 2

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes una de ellas es la Zona de Saturación, en esta zona a diferencia de los transistores bipolares el FET:


a. Amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS. Correcto

b. Varia la tensión entre drenador y surtidor varia la ID permaneciendo constante VGS.

c. Se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS.

d. La intensidad de Drenador es nula.

Correcto


Question 4

Puntos: 2

Las ecuaciones analíticas de los JFET y los MOSFET son muy diferentes porque sus estructuras física son muy diferentes


a. Si la Afirmación es Verdadera, pero la Razón es una proposición FALSA.

b. Si la Afirmación es Falsa, pero la Razón es una proposición verdadera

c. Si la Afirmación y la Razón son Verdaderas y la Razón es una explicación CORRECTA de la afirmación

d. Si la Afirmación y la Razón son verdaderas, pero la Razón NO es una explicación CORRECTA de la Afirmación. Incorrecto

Incorrecto


Question 5

Puntos: 2

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son dispositivos mas importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS ellos pueden ser:


a. MOSFET de tipo incremental. Parcialmente correcto

b. MOSFET de polarización decremental.

c. MOSFET de polarización incremental. Falso

d. MOSFET de tipo decremental.



Question 6

Puntos: 2

El circuito representa:


a. Un circuito de regulador de luz, donde el UJT 2N4870 dispara un DIAC. Falso

b. Un circuito de regulador de luza, donde el UJT 2N4870 dispara un SCR.

c. Un circuito de regulador de luz, donde el UJT 2N4870 dispara un TRIAC.

d. Un circuito de regulador de luza, donde el BJT 2N4870 dispara un TRIAC.

Este ejemplo de circuito de regulador de luz se indica en la figura, en este caso, el UJT 2N4870 es el encargado de disparar al TRIAC.

Incorrecto


Question 7

Puntos: 2

El siguiente grafico nos ilustra:


a. Circuitos de protección de fuga de Voltaje

b. Son circuitos de protección. Correcto. Son circuitos de protección contra

transitorios de a) tensión y b)intensidad.

c. Circuitos de protección de fuga de corriente

d. Circuitos de protección de corrientes parasitas

Circuitos de protección contra transitorios de a) tensión y b)intensidad.

Correcto


Question 8

Puntos: 2

Una de las siguientes afirmaciones es una desventaja de los FET.


a. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

b. Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

c. Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.

d. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga Es falso

Incorrecto


Question 9

Puntos: 2

Dos de las siguientes afirmaciones se les considera ventajas de un FET.


a. Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia

b. Los FET presentan una linealidad muy pobre.

c. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. La afirmación es cierta parcialmente.

d. Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre.

Las ventajas son: 1. Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012?). 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.



Question 10

Puntos: 2

La siguiente figura representa:


a. Es el símbolo, circuito equivalente y características I-V de un optriac

b. El SBS o Silicon Bidirectional Switch su símbolo, circuito equivalente y características

c. Es el símbolo, circuito equivalente y características del Optoacoplador

d. El símbolo, circuito equivalente y características cicuito de disparo Falso

Es un SBS: a) símbolo, b) circuito equivalente y c) características I-V.

Incorrecto


Question 11

Puntos: 1

La tabla nos muestra las polarizaciones recomendadas en un NMOS, Cual polarización se debe cambiar?

NMOS

VGS < 0

VDS >0

ID >0

VT > 0


a. Polarización VDS

b. Polarización VT

c. Polarización VGS Correcto

d. Polarización ID

Correcto


Question 12

Puntos: 1

Las características de la autopolarización para los FETS son:


a. Requiere dos fuentes de polarización Incorrecto

b. No requiere de dos fuentes de polarización

c. Vgs lo determina el voltaje en Rd

d. Vgs lo determina el voltaje a través del resistor de la fuente (terminal Source)

Si pero existe otra caracteristica


Puntos para este envío: 0.5/1.

Question 13

Puntos: 1

La figura nos muestra un JFET con polarización


a. Polarización por tensión de base.

b. Polarización fija

c. Polarización por corriente de base Incorrecto

d. Polarización por división de tensión

Incorrecto


Question 14

Puntos: 1

La siguiente fomula hace referencia a:


a. La potencia eficaz entregada a la carga a un SCR.

b. La potencia eficiente entregada a la carga a un SCR

c. La potencia alterna entregada a la carga a un SCR

d. La potencia cuadratica entregada a la carga a un SCR Falso

La potencia eficaz entregada a la carga en un SCR se define como el producto de la corriente eficaz por la tensión eficaz.

Incorrecto


Question 15

Puntos: 1

La polarización de un FET exige


a. Que las uniones p-n esten polarizadas inversamente Correcto

b. La puerta tenga una tensión menos negativa que la fuente

c. La tensión en la puerta se aproximadamente igual a 0 V

d. La tensión del drenador debe ser menor que la de la fuente

Correcto


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