Datenblatt / Datasheet FP150R12KT4P B11 · f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 9,35...
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Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1www.infineon.com 2017-08-21
FP150R12KT4P_B11
EconoPIM™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC/TIMEconoPIM™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC/TIM
VCES = 1200VIC nom = 150A / ICRM = 300A
PotentielleAnwendungen PotentialApplications• •Hilfsumrichter Auxiliaryinverters• •Motorantriebe Motordrives• •Servoumrichter Servodrives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat
• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •HoheLeistungsdichte Highpowerdensity• •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor• •Kupferbodenplatte Copperbaseplate• •PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology• •Standardgehäuse Standardhousing• •Thermisches Interface Material bereitsaufgetragen
Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCodeBarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 75°C, Tvj max = 175°C IC nom 150 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 300 A
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 150 A, VGE = 15 VIC = 150 A, VGE = 15 VIC = 150 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,752,052,10
2,10 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 5,70 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,20 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 5,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 9,35 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,41 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 6,8 Ω
td on0,160,190,19
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 6,8 Ω
tr0,070,080,08
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 6,8 Ω
td off0,420,480,53
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 6,8 Ω
tf0,100,190,22
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 150 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 1600 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 6,8 Ω
Eon
22,028,530,5
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 150 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 6,8 Ω
Eoff
9,8015,017,0
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 540 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBTvalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,250 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 3 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 150 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 300 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 3050
2950 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 150 A, VGE = 0 VIF = 150 A, VGE = 0 VIF = 150 A, VGE = 0 V
VF
1,701,651,65
2,15 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 150 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
IRM
57,073,078,0
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 150 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
Qr
9,8019,522,0
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 150 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
Erec
2,605,206,20
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,407 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,RectifierHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChipMaximumRMSforwardcurrentperchip TH = 100°C IFRMSM 150 A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstromMaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 100°C IRMSM 150 A
StoßstromGrenzwertSurgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 1600
1400 AA
GrenzlastintegralI²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 13000
9800 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 150 A VF 1,00 V
SperrstromReversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,356 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 4 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,752,052,10
2,10 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 3,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 7,5 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,30 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,27 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 1,6 Ω
td on0,150,160,16
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 1,6 Ω
tr0,030,040,04
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 1,6 Ω
td off0,310,350,37
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 1,6 Ω
tf0,100,160,21
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 2300 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 1,6 Ω
Eon
6,109,009,70
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 1,6 Ω
Eoff
6,109,2010,0
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 360 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBTvalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,308 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 5 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 50 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 100 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 560
475 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 VIF = 50 A, VGE = 0 VIF = 50 A, VGE = 0 V
VF
1,701,651,65
2,15 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = 15 V
IRM
76,077,077,0
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 50 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = 15 V
Qr
5,709,4010,5
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 50 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = 15 V
Erec
2,003,503,80
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,810 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
NennwiderstandRatedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
VerlustleistungPowerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet 6 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
MaterialModulgrundplatteMaterialofmodulebaseplate Cu
InnereIsolationInternalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
KriechstreckeCreepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
5,0 mm
LuftstreckeClearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5
4,0 mm
VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 25 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 1,10 mΩ
LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C
HöchstzulässigeBodenplattenbetriebstemperaturMaximumbaseplateoperationtemperature
TBPmax 125 °C
Anzugsdrehmomentf.ModulmontageMountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschriftScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 6,00 Nm
GewichtWeight G 300 g
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet 7 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,50
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
5 6 7 8 9 10 11 12 130
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=600V
IC [A]
E [m
J]
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 3000
25
50
75
100
125
150Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
Datasheet 8 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=150A,VCE=600V
RG [Ω]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 700
25
50
75
100
125Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,001
0,01
0,1
1ZthJH : IGBT
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,01350,000638
20,0980,0355
30,1030,172
40,03551,31
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0 200 400 600 800 1000 1200 14000
50
100
150
200
250
300
350
IC, ModulIC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Datasheet 9 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=6.8Ω,VCE=600V
IF [A]
E [m
J]
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 3000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=150A,VCE=600V
RG [Ω]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 700
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,001
0,01
0,1
1ZthJH : Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,02150,000644
20,1540,0317
30,1780,139
40,05351,16
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,40
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300Tvj = 25°CTvj = 150°C
Datasheet 10 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00
25
50
75
100
125
150
175
200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)
TNTC [°C]
R[Ω
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160100
1000
10000
100000Rtyp
Datasheet 11 V3.12017-08-21
FP150R12KT4P_B11
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
TrademarksAllreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2017-08-21
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