CURRICULUM VITAE - posgrados.esimecu.ipn.mx CV_Alvaro... · Seminario departamental III, ......
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CURRICULUM VITAE
Dr. Álvaro Miranda Durán
E-mail:
Teléfono:
555624-2000, ext. 73032
Formación académica
Posgrado: Sección de Estudios de Posgrado e Investigación (SEPI) Escuela Superior de
Ingeniería Mecánica y Eléctrica (ESIME) Culhuacán, Instituto Politécnico Nacional,
México.
Grado académico: Doctorado en Comunicaciones y Electrónica.
Tema de tesis: Estudio de las propiedades electrónicas y dieléctricas de nanoestructuras tipo
zinc-blenda.
Periodo: Enero 2007 - Septiembre 2010
Cédula Profesional: 7452592
Posgrado: SEPI - ESIME Culhuacán, Instituto Politécnico Nacional, México.
Grado académico: Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica.
Tema de tesis: Densidad de estados electrónicos de nanoestructuras de germanio.
Periodo: Enero 2004 - Septiembre 2006
Cédula Profesional: 5602316
Licenciatura: ESIME, Instituto Politécnico Nacional, México.
Título: Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica, Especialidad en Control.
Tema de tesis: Diseño de un controlador digital PID para controlar la velocidad de un motor
de CD.
Periodo: Agosto 1999 - Diciembre 2003
Cédula Profesional: 4370780
Actividades y/o experiencia de carácter científico
Estancia de investigación: Universidad Autónoma de Barcelona
Proyecto: Dopaje molecular en nanoalambres de silicio
Periodo: Marzo 2009- Diciembre 2009
Estancia Posdoctoral: Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona
Proyecto: Modelado teórico de las propiedades estructurales, electrónicas y de transporte de nano-alambres semiconductores con métodos de estructura electrónica de primeros principios
Periodo: Abril 2011- Marzo 2013
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Estancia Posdoctoral: Instituto de Física - UNAM
Proyecto: Efecto de la saturación superficial sobre las propiedades estructurales, energéticas y
electrónicas de nanoestructuras semiconductoras
Periodo: Septiembre 2013- Agosto 2015
RETENCIONES – CONACyT, Apoyos Complementarios para la Consolidación Institucional
de Grupos de Investigación: SEPI, ESIME Culhuacan, IPN
Proyecto: Dopaje y detección molecular en nanoestructuras semiconductoras
Periodo: Septiembre 2015- Agosto 2016
PICPAE, Apoyos Complementarios para la Consolidación Institucional de Grupos de
Investigación: SEPI, ESIME Culhuacan, IPN
Proyecto: Nanoestructuras semiconductoras aplicadas a sensores y almacenamiento de energía
Periodo: Septiembre 2016- Diciembre 2017
Becas
Beca de Estudios de Maestría, otorgado por el Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología
(CONACYT-México), Febrero 2004 - Diciembre 2005.
Beca de Estudios de Doctorado, otorgado por el CONACYT-México, Febrero 2007 - Enero 2010.
Beca Telmex para estudios de doctorado, otorgado por fundación Telmex, Octubre 2007 - Marzo 2010
Beca Tesis de Estudios de Doctorado, otorgado por el CONACYT-México, Febrero - Julio 2010.
Beca de Proyecto por el Programa Institucional de Formación e Investigadores (PIFI) del Instituto
Politécnico Nacional (IPN), Proyectos: 20070455, 20080929, 20090652, 20101142, (Enero 2007 -
Junio 2010).
Beca para estancia posdoctoral en el Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona, otorgada por el
CONACYT-México (Abril 2011- Marzo 2013).
Beca para estancia posdoctoral en el Instituto de Física, otorgada por el Consejo de la Investigación
Científica de la UNAM (Septiembre 2013- Agosto 2015).
Estímulo académico para RETENCIONES – CONACyT, Apoyos Complementarios para la
Consolidación Institucional de Grupos de Investigación: SEPI, ESIME Culhuacan, IPN (Septiembre
2015- Agosto 2016).
Diplomas, Distinciones
Diploma, por haber obtenido el Mejor Desempeño Académico de Alumnos de Posgrado 2007-2008,
en el programa de Doctorado en Comunicaciones y Electrónica de la Sección de Estudios de
Posgrado e Investigación, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica - Unidad Culhuacán
del IPN. Otorgado por el Dr. José Enrique Villa Rivera, ex-Director General del Instituto Politécnico
Nacional.
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Mención Honorífica en el Examen de Grado del Doctorado en Comunicaciones y Electrónica, de la
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y
Eléctrica - Unidad Culhuacán del IPN.
Premio a la mejor tesis de posgrado 2011 del Instituto Politécnico Nacional, para el nivel de doctorado
en el área de Ingeniería y Ciencias Físico Matemáticas. Otorgado por la Secretaría de Investigación y
Posgrado del I.P.N.
Nombramiento de Investigador Nacional Nivel I, otorgado por el Sistema Nacional de Investigadores
(SNI)-CONACYT, por los periodos del 1 de enero de 2012 al 31 de diciembre de 2014 y 1 de enero
de 2015 al 31 de diciembre de 2018.
Docencia
ESIME Culhuacán, IPN
Departamento en Ingeniería en Computación
Física Clásica, Semestre I, 2016-1, Grupo 1CX27
Cálculo Diferencial e Integral, Semestre II, 2017-1, Grupo 1CM31
Fundamentos de Álgebra, Semestre I, 2017-2, Grupo 1CM22
Fundamentos de Álgebra, Semestre I, 2018-1, Grupo 1CM42
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica
Temas Selectos de Matemáticas, enero - julio 2016
Propiedades Electrónicas de Semiconductores, enero - julio 2016
Temas Selectos de Matemáticas, agosto - diciembre 2016
Temas Selectos de Electrónica, enero - julio 2017
Temas Selectos de Matemáticas, enero - julio 2017
Propiedades electrónicas de semiconductores, agosto - diciembre 2017
Temas Selectos de Matemáticas, agosto - diciembre 2017
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Curso propedéutico para ingreso a la Maestría, Noviembre 2015.
Energética avanzada, agosto - diciembre 2016
Seminario departamental III, agosto - diciembre 2017
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica
Electrónica Cuántica, enero - julio 2016
Temas selectos de electrónica, agosto - diciembre 2016
Electrónica Cuántica, enero - julio 2017
Temas selectos de electrónica, agosto - diciembre 2017
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Publicaciones
A. Trabajos originales de investigación publicados en revistas internacionales
con arbitraje, indizadas en el Journal Citation Reports (JCR)
1. P. Alfaro, A. Miranda, A.E. Ramos, and M. Cruz-Irisson
Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increasing Size
Brazilian Journal of Physics 36 (2A) 375-378 (2006)
ISSN: 0103-9733, Factor de impacto: 1.042 (2016)
http://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300038
2. A. Miranda, D. Guzmán, L. Niño de R., R. Vázquez y M. Cruz-Irisson
Densidad de Estados Electrónicos de Nanoalambres de Germanio
Revista Mexicana de Física S 53 (5) 78-82 (2007)
ISSN: 0035-001X, Factor de impacto: 0.406 (2016)
http://rmf.fciencias.unam.mx/pdf/rmf-s/53/5/53_5_078.pdf
3. A. Miranda, D. Guzmán, H.M. Peréz-Meana, and M. Cruz-Irisson
Semiempirical Supercell Approach to Calculate the Electronic and Optical
Properties of Si Quantum Wires
Revista Mexicana de Física S 53 (7) 220-224 (2007)
ISSN: 0035-001X, Factor de impacto: 0.406 (2016)
http://rmf.fciencias.unam.mx/pdf/rmf-s/53/7/53_7_220.pdf
4. A. Miranda, M. Cruz-Irisson, C. Wang
Modelling of Electronic and Phononic States of Ge Nanostructures
Microelectronics Journal 40 (3) 439-441 (2009)
ISSN: 0026-2692, Factor de impacto: 0.876 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2008.06.009
5. A. Miranda, R. Vázquez, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson
Optical Matrix Elements in Tight-binding Approach of Hydrogenated Si Nanowires
Microelectronics Journal 40 (3) 456-458 (2009)
ISSN: 0026-2692, Factor de impacto: 0.876 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2008.06.018
6. A. Miranda, J.L. Cuevas, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson
Quantum Confinement Effects on Electronic Properties of Hydrogenated 3C-SiC Nanowires
Microelectronics Journal 40 (3) 796-798 (2009)
ISSN: 0026-2692, Factor de impacto: 0.876 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.034
5
7. A. Miranda, J.L. Cuevas, A.E. Ramos and M. Cruz-Irisson
Effects of Morphology on the Electronic Properties of Hydrogenated Silicon Carbide
Nanowires
Journal of Nano Research 5 161-167 (2009),
ISSN: 1662-5250, Factor de impacto: 0.366 (2016)
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/JNanoR.5.161
8. A. Miranda, F.A. Serrano, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson
Hydrogen Surface Passivation of Si and Ge Nanowires: A Semiempirical Approach
International Journal of Quantum Chemistry 110, 2448-2454 (2010)
ISSN: 0020-7608, Factor de impacto: 2.184 (2016)
http://dx.doi.org/10.1002/qua.22753
9. A. Miranda, X. Cartoixa, M. Cruz-Irisson and R. Rurali
Molecular doping and subsurface dopant reactivation in Si nanowires
Nano Letters 10, 3590-3595 (2010)
ISSN: 1530-6984, Factor de impacto: 13.779 (2016)
http://dx.doi.org/10.1021/nl101894q
10. A. Trejo, A. Miranda, L. Niño de Rivera, A. Díaz-Méndez and M. Cruz-Irisson
Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires
Microelectronic Engineering 90, 92-95 (2012)
ISSN: 0167-9317, Factor de impacto: 1.277 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.04.052
11. A. Miranda, A. Trejo, E. Canadell, R. Rurali and M. Cruz-Irisson
Interconnection effects on the electronic and optical properties of Ge nanostructures: A semi-
empirical approach
Physica E 44 (7-8), 1230-1235(2012)
ISSN: 1386-9477, Factor de impacto: 1.904 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2012.01.017
12. A. Miranda, X. Cartoixa, E. Canadell and R. Rurali
NH3 molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111]
orientations
Nanoscale Research Letters 7, 308 (2012)
ISSN: 1556-276X, Factor de impacto: 2.584 (2016)
http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-308
13. A. Miranda, M. Cruz-Irisson and Luis A. Pérez
Controlling stability and electronic properties of small-diameter SiC nanowires by fluorination
International Journal of Nanotechnology 15, 218-225 (2015),
ISSN: 1475-7435, Factor de impacto: 0.502 (2016)
http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2015.067207
6
14. A. Trejo, M. Ojeda, J.L. Cuevas, A. Miranda, Luis A. Pérez and M. Cruz-Irisson
Electronic structure and optical vibrational modes of 3C-SiC nanowires
International Journal of Nanotechnology 15, 275-284 (2015),
ISSN: 1475-7435, Factor de impacto: 0.502 (2016)
http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2015.067212
15. A. Miranda and Luis A. Pérez
Electronic properties of fluorinated silicon carbide nanowires
Computational Materials Science, 111, 294-300 (2016)
ISSN: 0927-0256, Factor de impacto: 2.086 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2015.09.028
16. A. Trejo, A. Miranda, L.K. Toscano-Medina, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson
Optical vibrational modes of Ge nanowires: A computational approach
Microelectronic Engineering 159, 215-220 (2016),
ISSN: 0167-9317, Factor de impacto: 1.277 (2016)
http://dx.doi.org/ 10.1016/j.mee.2016.04.024
17. J. Pilo, A. Miranda, E. Carvajal and M. Cruz-Irisson
Perovskite Type Thin Slabs: A First Principles Study on Their Magnetic and Electronic
Properties
IEEE Magnetics Letters 7, 4106403 (2016),
ISSN: 1949-307X, Factor de impacto: 1.978 (2016)
http://dx.doi.org/10.1109/LMAG.2016.2604216
18. A. Miranda, F. de Santiago, L.A. Pérez and M. Cruz-Irisson
Silicon nanowires as potential gas sensors: A density functional study
Sensors and Actuators B: Chemical, 242, 1346-1250 (2017),
ISSN: 0925-4005, Factor de impacto: 4.758 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2016.09.085
7
B. Trabajos originales de investigación publicados en revistas internacionales
con arbitraje
1. A. Miranda, A.E. Ramos, L. Niño de Rivera, M. Cruz-Irisson
Quantum Confinement Effects in Ge Nanocrystals
Functional Materials 12 (4) 674-679 (2005).
http://www.isc.kharkov.com/journal/contents/12-4/fm124-12.pdf
2. A. Miranda, A.E. Ramos and M. Cruz-Irisson
Electronic Band Structure of Cubic Silicon Carbide Nanowires
Materials Science Forum 600-603 575-578 (2009).
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.575
C. Trabajos originales in extenso con refereo, en memorias de congresos
internacionales
1. U. Corona, M. Cruz-Irisson, and A. Miranda
Estructura de bandas electrónicas de nanoalambres de germanio
XXVI Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica
Chihuahua, México del 21al 23 de Octubre del 2004
ISSN: 1405-2172
2. A. Miranda, D. Guzmán, H.M. Pérez-Meana, and M. Cruz-Irisson
Computational modeling of electronic density of states of silicon nanowires
2nd International Conference on Electronic Design
Veracruz, México del 21al 23 de Octubre del 2006
ISBN: 968-9085-01-8
3. A. Miranda, V. Ponomaryov, L.N. de Rivera, R. Vazquez, M. Cruz-Irisson
Dielectric Function in Semi-empirical Tight-binding Theory Applied
to Crystalline Diamond
12th International Conference on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory, 2008.
MMET 2008.
Odesa, Ucrania del 29 de Junio al 2 de Julio del 2008
ISBN: 978-1-4244-2284-5
http://dx.doi.org/10.1109/MMET.2008.4580958
4. A. Miranda, F. A. Serrano, R. Vázquez-Medina, and M. Cruz-Irisson
Nanoelectronic properties of Si and Ge: A semi-empirical approximation
52nd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems
Cancún, México del 2 al 5 de Agosto del 2009
ISBN: 978-1-4244-4479-3
http://dx.doi.org/10.1109/MWSCAS.2009.5235902
8
D. Citas externas globales
1. P. Alfaro, A. Miranda, A.E. Ramos, and M. Cruz-Irisson
Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increasing Size
Brazilian Journal of Physics 36 (2A) 375-378 (2006)
ISSN: 0103-9733, Factor de impacto: 1.042 (2016)
http://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300038
1) Autores: L. Pan, Z. Sun, C. Sun
Artículo: Coordination imperfection enhanced electron-phonon interaction and band-gap expansion in Si
and Ge nanocrystals
Revista: Scripta Materialia 60 (12), 1105-1108 (2009)
Factor de impacto: 3.305
http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2009.02.046
2) Autores: Goh, E.S.M., Chen, T.P., Yang, H.Y., Liu, Y., Sun, C.Q
Artículo: Coordination Size-suppressed dielectrics of Ge nanocrystals: Skin-deep quantum entrapment
Revista: Nanoscale 4 (4), 1308-1311 (2012)
Factor de impacto: 7.76
http://dx.doi.org/10.1039/c2nr11154c
3) Autores: Eric Gasparo Barbagiovanni
Título: Influence of Quantum dot Structure on the Optical Properties of Group IV Materials Fabricated by
Ion Implantation
Tesis Doctoral (2012), The University of Western Ontario, Canada
http://ir.lib.uwo.ca/cgi/viewcontent.cgi?article=1999&context=etd
4) Autores: E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson and L.V. Goncharova
Artículo: Quantum confinement in Si and Ge nanostructures: Theory and experiment
Revista: Applied Physics Reviews 1, 011302 (2014)
Factor de impacto: 14.31
http://dx.doi.org/10.1063/1.4835095
5) Autores: B.L. Oliva-Chatelain and A.R. Barron
Artículo: Experiments towards size and dopant control of germanium quantum dots for solar applications
Revista: AIMS Materials Science 3, 1 (2016)
http://dx.doi.org/10.3934/matersci.2016.1.1
6) Autores: D. Banerjee, C. Trudeau, L.F. Gerlein and S.G. Cloutier
Artículo: Phonon processes in vertically aligned silicon nanowire arrays produced by low-cost all-solution
galvanic displacement method
Revista: Applied Physics Letters 108, 113109 (2016)
Factor de impacto: 3.142
http://dx.doi.org/10.1063/1.4944334
2. A. Miranda, R. Vázquez, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson
Optical Matrix Elements in Tight-binding Approach of Hydrogenated Si
Nanowires
Microelectronics Journal 40 (3) 456-458 (2009)
ISSN: 0026-2692, Factor de impacto: 0.876 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2008.06.018
9
7) Autores: Vidur Parkash, and Anand K. Kulkarni
Artículo: Coordination Optical Absorption Characteristics of Silicon Nanowires for Photovoltaic
Applications
Revista: IEEE Transactions on Nanotechnology 10 (6) 1293-1297 (2011)
Factor de impacto: 1.702
http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2011.2136383
8) Autores: Nicolas Tancogne-Dejean, Bernardo S. Mendoza, and Valérie Véniard
Artículo: Effect of material properties on the accuracy of antiresonant approximation:Linear and second-
order optical responses
Revista: Physical Review B 90, 035212 (2014)
Factor de impacto: 3.718
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.035212
9) Autores: Nicolas Tancogne-Dejean, Bernardo S. Mendoza, and Valérie Véniard
Título: Ab initio description of second-harmonic generation from crystal surfaces
Tesis Doctoral: (2015) Ecole Polytecnique, Université París-Saclayt, Francia
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/tel-01235611/document
10) Autores: Worasak Sukkabot
Artículo: The electron-hole interactions in Si hydrogenate nanocrystals: tight-binding theory
Revista: Advanced Materials Research 1131, 110 (2016)
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1131.110
11) Autores: F. Gasparyan, H. Khondkaryan, A. Arakelyan, I. Zadorozhnyi, S. Pud and S. Vitusevich
Artículo: Double-gated Si NW FET sensors: Low-frequency noise and photoelectric properties
Revista: Journal of Applied Physics 120, 064902 (2016)
Factor de impacto: 2.101
http://dx.doi.org/10.1063/1.4960704
3. A. Miranda, J.L. Cuevas, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson
Quantum Confinement Effects on Electronic Properties of Hydrogenated 3C–SiC
Nanowires
Microelectronics Journal 40 (3) 796-798 (2009)
ISSN: 0026-2692, Factor de impacto: 0.876 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.034
12) Autores: E. Bekaroglu, M. Topsakal, S. Cahangirov, and S. Ciraci
Artículo: First-principles Study of Defects and Adatoms in Silicon Carbide Honeycomb Structures
Revista: Physical Review B 81, 075433 (2010)
Factor de impacto: 3.6718
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.81.075433
13) Autores: X. He, T. He, Z. Wang, M. Zhao
Artículo: Neutral vacancy-defect-induced magnetism in SiC monolayer
Revista: Physica E 49, 2451-2454 (2010)
Factor de impacto: 1.904
http://dx.doi:10.1016/j.physe.2010.06.010
14) Autores: He Huang
Título: Moving to Sustainability: Improving Material Flows in the Iron Casting Industry
Tesis Doctoral (2010), The Pennsylvania State University, USA
https://etda.libraries.psu.edu/paper/10626/6456
10
15) Autores: Y. Zhao,T. Hou, L. Wu, Y. Li, S.T. Lee
Artículo: Density Functional Calculations on Silicon Carbide Nanostructures
Revista: Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, 9 (11), 1980-1998 (2012)
Factor de impacto: 1.666
http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2012.2604
16) Autores: N. Naderi, M.R. Hashim, K.M.A Saron and J. Rouhi
Artículo: Enhanced optical performance of electrochemically etched porous silicon carbide
Revista: Semiconductor Science and Technology 1 (2), 025011 (2013)
Factor de impacto: 2.098
http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/28/2/025011
17) Autores: E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson and L.V. Goncharova
Artículo: Quantum confinement in Si and Ge nanostructures: Theory and Experiment
Revista: Applied Physics Reviews 1, 011302 (2014)
Factor de impacto: 14.310
http://dx.doi.org/10.1063/1.4835095
4. A. Miranda, J.L. Cuevas, A.E. Ramos and M. Cruz-Irisson
Effects of Morphology on the Electronic Properties of Hydrogenated
Silicon Carbide Nanowires
Journal Nano Research 5 161-167 (2009)
ISSN: 1662-5250, Factor de impacto: 0.366 (2016)
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/JNanoR.5.161
18) Autores: A. Setoodeh, H. Attariani, M. Jahanshahi
Artículo: Mechanical Properties of Silicon-Germanium Nanotubes under Tensile and Compressive Loadings
Revista: Journal of Nano Research 15, 105-114 (2011)
Factor de impacto: 0.366
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/JNanoR.15.105
19) Autores: F. Salazar and Luis A. Pérez
Artículo: Theoretical study of electronic and mechanical properties of GeC nanowires
Revista: Computational Materials Science 63, 47-51 (2012)
Factor de impacto: 2.086
http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2012.05.066
20) Autores: Xiaoyan Peng, Boqian Yang, Jin Chu and Peter Feng
Artículo: Effects of nitrogen pressure during pulsed laser deposition on morphology and optical properties
of N-doped ZnO nanostructures
Revista: Surface Science 609, 48-52 (2013)
Factor de impacto: 1.931
http://dx.doi.org/ 10.1016/j.susc.2012.11.002
5. A. Miranda, F.A. Serrano, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson
Hydrogen Surface Passivation of Si and Ge Nanowires: A Semiempirical Approach
International Journal of Quantum Chemistry 110, 2448 (2010)
ISSN: 0020-7608, Factor de impacto: 2.184 (2016)
http://dx.doi.org/10.1002/qua.22753
11
21) Autores: Jin Fang and Laurent Pilon
Artículo: Tuning thermal conductivity of nanoporous crystalline silicon by surface passivation: A molecular
dynamics study
Revista: Applied Physics Letters 101, 011909 (2012)
Factor de impacto: 3.142
http://dx.doi.org/10.1063/1.4733352
22) Autores: Jin Fang and Laurent Pilon
Artículo: Effect of Hydrogen Passivation on the Thermal Conductivity of Nanoporous Crystalline Silicon:
A Molecular Dynamics Study
Revista: ASME Proceedings | Micro/Nanoscale Interfacial Transport Phenomena 2012, 291-296 (2012)
http://dx.doi.org/10.1115/MNHMT2012-75153
23) Autor: Jin Fang
Título: Thermal Transport in Nanoporous Materials for Energy Applications
Tesis Doctoral (2012), University of California, Los Angeles, USA
http://escholarship.org/uc/item/35f4p035
6. A. Miranda-Durán, X. Cartoixa, M. Cruz-Irisson and R. Rurali
Molecular doping and subsurface dopant reactivation in Si nanowires
Nano Letters 10, 3590-3595 (2010)
ISSN: 1530-6984, Factor de impacto: 13.779 (2016)
http://dx.doi.org/10.1021/nl101894q
24) Autores: Shu, H., Chen, X., Ding, Z., Dong, R., Lu, W.
Artículo: First-principles study of the doping of InAs nanowires: Role of surface dangling bonds
Revista: The Journal of Physical Chemistry C 115 (30), 14449-14454 (2011)
Factor de impacto: 4.509
http://dx.doi.org/10.1021/jp112002n
25) Autores: Collins, G., Holmes, J.D
Artículo: Chemical functionalisation of silicon and germanium nanowires
Revista: Journal of Materials Chemistry 21 (30), 11052-11069 (2011)
Factor de impacto: 6.626
http://dx.doi.org/10.1039/c1jm11028d
26) Autores: Luo, L.-B., et al.
Artículo: Surface defects-induced p-type conduction of silicon nanowires
Revista: Journal of Physical Chemistry C 115 (38), 18453-18458 (2011)
Factor de impacto: 4.509
http://dx.doi.org/10.1021/jp205171j
27) Autores: Luo, L.-B., Yang, X.-B., Liang, F.-X., Jie, J.-S., Wu, C.-Y., Wang, L., Yu, Y.-Q.a, Zhu, Z.-F.
Artículo: Surface dangling bond-mediated molecules doping of germanium nanowires
Revista: Journal of Physical Chemistry C 115 (49), 24293-24299 (2011)
Factor de impacto: 4.509
http://dx.doi.org/10.1021/jp208708e
28) Autores: Shu, H., Cao, D., Liang, P., Jin, S., Chen, X., Lu, W.
Artículo: Effect of molecular passivation on the doping of InAs nanowires
Revista: Journal of Physical Chemistry C 116 (33), 17928-17933 (2012)
Factor de impacto: 4.509
http://dx.doi.org/10.1021/jp304350f
12
29) Autores: Hazut, O., Agarwala, A., Amit, I., Subramani, T., Zaidiner, S., Rosenwaks, Y., Yerushalmi, R.
Artículo: Contact doping of silicon wafers and nanostructures with phosphine oxide monolayers
Revista: ACS Nano 6 (11), 10311-10318 (2012)
Factor de impacto: 13.334
http://dx.doi.org/10.1021/nn304199w
30) Autores: Kumar Bhaskar, U., Pardoen, T., Passi, V., Raskin, J.-P.
Artículo: Surface states and conductivity of silicon nano-wires
Revista: Journal of Applied Physics 113 (13), 134502 (2013)
Factor de impacto: 2.101
http://dx.doi.org/10.1063/1.4798611
31) Autores: L.M. Wheeler, N.R. Neale, T. Chen and U.R. Kortshagen
Artículo: Hypervalent surface interactions for colloidal stability and doping of silicon nanocrystals
Revista: Nature Communications 4, 2197 (2013)
Factor de impacto: 11.329
http://dx.doi.org/10.1038/ncomms3197
32) Autores: Kausar, S., Joshi, S.
Artículo: Band gap of silicon nanowires along [111] direction doped with Al atoms
Revista: International Journal of Nanoparticles 6 (4), 275-281 (2013)
http://dx.doi.org/10.1504/IJNP.2013.057168
33) Autores: Li, C., Zhang, C., Fobelets, K., Zheng, J., Xue, C., Zuo, Y., Cheng, B., Wang, Q.
Artículo: Impact of ammonia on the electrical properties of p-type Si nanowire arrays
Revista: Journal of Applied Physics 114 (17), 173702 (2013)
Factor de impacto: 2.101
http://dx.doi.org/10.1063/1.4827184
34) Autores: Jian-gong Cui, Xia Zhang, Yong-qing Huang and Xiao-min Ren
Artículo: Effect of Surface Dangling Bonds and Molecular Passivation on Doped GaAs Nanowires
Revista: Chinese Journal of Chemical Physics 27, 685 (2014)
Factor de impacto: 0.496
http://dx.doi.org/10.1063/1674-0068/27/06/685-689
35) Autores: Michael J. Sailor
Artículo: Chemical Reactivity and Surface Chemistry of Porous Silicon
Revista: Handbook of Porous Silicon 1-24 (2014)
http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-04508-5_37-1
36) Autores: K.K. Sossoe, et al.
Artículo: Tunneling spectroscopy of p-type doping in silicon from boron-containing molecular monolayer
Revista: Microelectronic Engineering 149, 125 (2016)
Factor de impacto: 1.277
http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2015.10.002
37) Autores: F.A. Ptashchenko
Artículo: Appearance of Additional Electronic Conductivity Silicon Structures in the Atmosphere of Wet
Ammonia: ab Initio Calculations
Revista: Journal of Nano and Electronics Physics 8, 02409 (2016)
http://dx.doi.org/ 10.21272/jnep.8(2).02049
13
38) Autores: Shadi A. Dayeh, Renjie Chen, Yun Goo Ro, Joonseop Sim
Artículo: Progress in doping semiconductor nanowires during growth
Revista: Materials Science in Semiconductor Processing 62, 135 (2017)
Factor de impacto: 2.264
http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.10.016
39) Autores: Shadi A. Dayeha, Renjie Chen, Yun Goo Ro, Joonseop Sim
Artículo: Applications of Monolayer-Functionalized H-Terminated Silicon Surfaces: A Review
Revista: Small Methods 1, 1700072 (2017)
Factor de impacto: 2.264
http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.10.016
7. A. Trejo, A. Miranda, L. Niño de Rivera, A. Díaz-Méndez and M. Cruz-Irisson
Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires
Microelectronic Engineering 90, 92-95 (2012)
ISSN: 0167-9317, Factor de impacto: 1.277 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.04.052
40) Autores: Y.Yu, L. Wu and J. Zhi
Artículo: Diamond Nanowires: Fabrication, Structure, Properties, and Applications
Revista: Angewandte Chemie International Edition 53 (12), 14326 (2014)
Factor de impacto: 11.709
http://dx.doi.org/10.1002/anie.201310803
41) Autores: Y.Yu, L. Wu and J. Zhi
Artículo: Diamond Nanowires: Fabrication, Structure, Properties, and Applications
Revista: Novel Aspects of Diamond Topics in Applied Physics 121, 123 2015
http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-09834-0_5
8. A. Miranda, X. Cartoixa, E. Canadell and R. Rurali
NH3 molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111]
orientations
Nanoscale Research Letters 7, 308 (2012)
ISSN: 1556-276X, Factor de impacto: 2.584 (2016)
http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-308
42) Autores: L.M. Wheeler, N.R. Neale, T. Chen and U.R. Kortshagen
Artículo: Hypervalent surface interactions for colloidal stability and doping of silicon nanocrystals
Revista: Nature Communications 4, 2197 (2013)
Factor de impacto: 11.329
http://dx.doi.org/10.1038/ncomms3197
43) Autores: Sana Kausar and Shirish Joshi
Artículo: Band gap of silicon nanowires along [111] direction doped with Al atoms
Revista: International Journal of Nanoparticles 6 (4), 275-281 (2013)
http://dx.doi.org/10.1504/IJNP.2013.057168
44) Autores: Sana Kausar, Shirish Joshi and Syed Mujahid Husain
Artículo: Effect of Al atom Doping on Band Gap of Rectangular Cross Section Si nanowire
Revista: Advances in Physics Theories and Applications 19, 113-117 (2013)
http://iiste.org/Journals/index.php/APTA/article/view/5973/6141
14
45) Autores: Sana Kausar and Shirish Joshi
Artículo: Size Dependence of H-SiNW on Band Gap along [111] Direction
Revista: African Journal of Basic & Applied Sciences 5 (4), 200-204 (2013)
http://dx.doi.org/10.5829/idosi.ajbas.2013.5.4.11190
46) Autores: M. Lorke; A. Domínguez; A. L. da Rosa; T. Frauenheim
Artículo: Theoretical investigations of the electronic properties of functionalized zinc-oxide nanowires
Revista: SPIE Proceedings 8987, 89870S1-89870S6 (2014)
http://dx.doi.org/10.1117/12.2037560
47) Autores: Sana Kausar and Shirish Joshi
Artículo: Effect of Al doping on band gap of pentagonal cross section SiNWs
Revista: International Journal of Nanoparticles 7 (1): 49-56 (2014)
http://dx.doi.org/10.1504/IJNP.2014.062031
48) Autores: A. Dominguez, M. Lorke, A. L. Schoenhalz, A. L. Rosa, Th. Frauenheim, A. R. Rocha and G. M.
Dalpian
Artículo: First principles investigations on the electronic structure of anchor groups on ZnO nanowires and
surfaces
Revista: Journal of Applied Physics 115, 203720 (2014)
Factor de impacto: 2.101
http://dx.doi.org/10.1063/1.4879676
49) Autores: F.A. Ptashchenko
Artículo: Appearance of Additional Electronic Conductivity Silicon Structures in the Atmosphere of Wet
Ammonia: ab Initio Calculations
Revista: Journal of Nano and Electronics Physics 8, 02409 (2016)
http://dx.doi.org/ 10.21272/jnep.8(2).02049
9. A. Miranda, A. Trejo, E. Canadell, R. Rurali, M. Cruz-Irisson
Interconnection effects on the electronic and optical properties of Ge nanostructures: A
semi-empirical approach
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 1230 (2012)
ISSN: 1386-9477, Factor de impacto: 1.904 (2016)
http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-308
50) Autores: D. Cavalcoli, G. Impellizzeri, L. Romano, M. Miritello, M.G. Grimaldi, and B. Fraboni
Artículo: Optical Properties of Nanoporous Germanium Thin Films
Revista: ACS Applied Mateials Interfaces 7, 16992 (2015)
Factor de impacto: 7.145
http://dx.doi.org/10.1038/ncomms3197
10. A. Miranda, M. Cruz-Irisson and Luis A. Pérez
Controlling stability and electronic properties of small-diameter SiC nanowires by
fluorination
International Journal of Nanotechnology 15, 218-225 (2015)
ISSN: 1475-7435, Factor de impacto: 0.502 (2016) http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2015.067207
15
51) Autores: Z. Shi, A. Kutana, G. Yu, W. Chen, B.I. Yakobson, U. Schwingenschlogl, X. Huang
Artículo: Tailoring the Electronic and Magnetic Properties of Two-Dimensional Silicon Carbide Sheets and
Ribbons by Fluorination
Revista: The Journal of Physical Chemestry C 120, 15407-15414 (2016)
Factor de impacto: 4.509
http://dx.doi.org/ 10.1021/acs.jpcc.6b01706
11. A. Miranda and Luis A. Pérez
Electronic properties of fluorinated silicon carbide nanowires
Computational Materials Science, 111, 294-300 (2016)
ISSN: 0927-0256, Factor de impacto: 2.086 (2016)
http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2015.09.028
52) Autores: M. Rashid, A.K. Tiwari, J.P. Goss, M.J. Rayson, P. R. Briddon, A.B. Horsfall
Artículo: Surface-state dependent optical properties of OH-, F-, and H-terminated 4H-SiC quantum dots
Revista: Physical Chemistry Chemical Physics, (2016)
Factor de impacto: 4.449
http://dx.doi.org/10.1039/C6CP03775E
12. A. Miranda, A.E. Ramos and M. Cruz-Irisson
Electronic Band Structure of Cubic Silicon Carbide Nanowires
Materials Science Forum 600-603 575-578 (2009)
Factor de impacto: 0.399
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.575
53) Autores: F. Fabbria, A. Cavallinia, G. Attolinib, F. Rossib, G. Salviatib, B. Dierrec, N. Fukatad and T.
Sekiguchic
Artículo: Cathodoluminescence characterization of β-SiC nanowires and surface-related silicon dioxide
Revista: Materials Science in Semiconductor Processing 11, 179-181 (2008)
Factor de impacto: 2.264
http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2008.10.004
54) Autores: Fashtami, T.N. and Ziabari, S.A.S.
Artículo: Performance investigation of gate-all-around nanowire FETs for logic applications
Revista: Indian Journal of Science and Technology 8 (3), 231-236 (2015)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2008.10.004
16
Resúmenes presentados y publicados en congresos internacionales
1. U. Corona, M. Cruz, A. Miranda
“Estructura de bandas electrónicas de nanoalambres de germanio”
ELECTRO 2004
Chihuahua, Chihuahua, México, 21-25 octubre 2004
2. P. Alfaro, A. Miranda, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson
“Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increazing Size”
12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics
Sao Paulo, Brasil, 4-8 abril 2005
3. A. Miranda, A.E. Ramos, L. Niño de Rivera, M. Cruz-Irisson
“Quantum confinement effects in Ge nanocrystals”
International Conference “Crystals Materials’ 2005” (ICCM’ 2005)
Kharkov, Ucrania, 30 mayo - 2 junio 2005
4. A. Miranda, P. Alfaro, G. Logvinov, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson
“Tight-binding calculations of the electronic properties of silicon nanocrystals”
12 º CLACSA 2005
Río de Janeiro, Brasil, 5-9 diciembre 2005
5. D. Guzmán, P. Alfaro, A. Miranda, M. Cruz-Irisson
“Densidad de estados electrónicos de nanoestructuras de Germanio”
Mexican Workshop on Nanoestructured Materials 2007
Puebla, Puebla, México, 2-4 mayo 2006
6. A. Miranda, M. Cruz-Irisson
“Density of States of Germanium Quantum Wells”
XV International Materials Research Materials
Cancún, Quintana Roo, México, 20-24 agosto 2006
7. D. Guzmán, A. Miranda, M. Cruz-Irisson
“Semiempirical supercell approach to calculate the electronic and optical properties of Si quantum wires”
XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics 2006
Puebla, Puebla, México, 20-24 noviembre 2006
8. A. Miranda, D. Guzmán, H. P. Meana, M. Cruz-Irisson
“Computational Modeling of Electronic Density of States of SiNW´s”
2nd Internacional Conference on Electronic Design
Veracruz, Veracruz, México, 21-23 noviembre 2006
9. Guzmán, A. Miranda, P. Alfaro, and M. Cruz-Irisson
“One-Dimensional Electronic States on the Silicon Carbide Nanocrystals”
AMN-3 Advanced Materials and Nanotechnology
Wellington, Nueva Zelanda, 11-16 febrero 2007
10. A. Miranda, J. L. Cuevas, and M. Cruz-Irisson
“Effects of morphology on the electronic properties of hydrogenated silicon carbide nanowires”
Second Mexican Workshop on Nanoestructured Materials 2007
Puebla, México, 15-18 mayo 2007
17
11. A. Miranda, J. L. Cuevas, and M. Cruz-Irisson
“Electronic band structure of silicon carbide nanowires”
Pan-American Advanced Study Institute
Zacatecas, México, 11-22 junio 2007
12. J. L. Cuevas, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson
“-SiC Nanoestrcutures: evolution band gap with incgreazing size”
International Congress “Materia 2007”
Morelia, México, 7-12 octubre 2007
13. A. Miranda and M. Cruz-Irisson
“Theoretical study of optical transition in Ge nanoestructures”
International Congress “Materia 2007”
Morelia, México, 7-12 octubre 2007
14. A. Miranda, J. L. Cuevas, and M. Cruz-Irisson
“Band gap evolution of hydrogenated porous silicon carbide”
XVI International Materials Research Materials
Cancún, México, 28 octubre - 1 noviembre 2007
15. A. Miranda, and M. Cruz-Irisson
“Semi-empirical calculations of the optical matrix elements: An application to Ge nanowires”
XIII CLACSA 2007
Santa Martha, Colombia,3-7 diciembre 2007
16. A. Miranda, M. Cruz-Irisson and C. Wang
“Electronic and optical properties of Ge nanostructures: An ab-initio study”
XVII International Materials Research Materials
Cancún, México, 17-21 agosto 2008
17. L.A. Boisson, P. Alfaro, A. Miranda and M. Cruz-Irisson
“Quantum confinement effects on the electronic and phonon states in diamond nanowires” 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
Sitges, España, 7-11 septiembre 2008
18. A.J. García, A. Miranda, I. Loboda, and M. Cruz-Irisson
“A comparative study of ab-initio and semiempirical methods of electronic states of nanodiamond”
XXVIII Annual Meeting International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum
Veracruz, México, 29 septiembre - 3 octubre 2008
19. A. Miranda, X. Cartoixà, M. Cruz-Irisson, and R. Rurali
“Molecular doping in Silicon Nanowires: an ab-initio study”
Trends and Nanotechnology 2009
Barcelona, España, 7-11 septiembre de 2009
20. A. Trejo, F.A. Serrano, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson
“Interconnection effects on the dielectric function of Ge nanostructures: A tight-binding approach”
Sixth International Topical Meeting on Nanostructured Materials and Nanotechbology 2009
Nuevo Guaymas, México, septiembre de 2009
21. M. Cruz-Irisson, F.A. Serrano and A. Miranda
“Hydrogen surface passivation of Si and Ge Nanowires: A semi-empirical approach”
XXXV Congreso de Químicos Teóricos de Expresión Latina
San Andrés, Colombia, septiembre de 2009
18
22. F. A. Serrano, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson
“Theoretical study of the vibrational and electronic properties in diamond nanostructures”
International Topical Meeting on Nanostructured Materials and Nanotechnology
León, Guanajuato, 16-19 mayo de 2010
23. A. Miranda, X. Cartoixà, M. Cruz-Irisson, and R. Rurali “Effects of the Molecular Doping and Quantum Confinement on the Electronic Properties of Silicon Nanowires”
XV International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters
Oaxaca, Oaxaca, 19-24 septiembre de 2010
24. A. Miranda, A. Trejo, and M. Cruz-Irisson “Interconntection effects on the electronic and optical properties of Ge nanostructures: A semi-empirical
approach”
5th International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials
Reims, Francia, 18-21 octubre de 2010
25. A. Trejo, A. Miranda, A. Díaz-Mendez, and M. Cruz-Irisson
“Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires”
4th International Conference Micro&Nano 2010
Atenas, Grecia, 12-15 diciembre de 2010
26. A. Miranda, X. Cartoixà, E. Canadell, and R. Rurali
“NH3 Molecular doping in Silicon Nanowires in the [112], [110], [100] and [111] directions”
Trends and Nanotechnology 20011
Tenérife, Islas Canarias, España, 21-25 Noviembre de 2011
27. A. Miranda, X. Cartoixà, E. Canadell, and R. Rurali
“Quantum Confinement Effect in the NH3 Molecular Doping of Silicon Nanowires”
Workshop on "Computational Condensed Matter Physics, Materials Science and Nanoscience from First
Principles
Barcelona, España, 12-14 enero de 2012
28. A. Miranda, A. Trejo, M. Cruz-Irisson, E. Canadell, and R. Rurali
“Tuning Electronic and Energetic Properties of β-silicon Carbide Nanowires by Chemical Control”
4th Mexican Workshop on Nanostructured Materials
Puebla, México, 19-22 marzo de 2013
29. A. Miranda, A. Trejo, E. Canadell, R. Rurali and X. Cartoixà
“First-principles Calculations of the Structural and Energetic Properties of Hydrogen, Methyl and Ethyl-
terminated Silicon Nanowires”
4th Mexican Workshop on Nanostructured Materials
Puebla, México, 19-22 marzo de 2013
30. R. Rurali, G. Amato, A. Cultrera, L. Boarino, C. Lamberti, S. Bordiga, F. Mercuri, A. Miranda, X.
Cartoixà
“Molecular Doping and Sensing in Silicon Nanowires”
Porous Semiconductors - Science and Technology (PSST) and related Conferences, PSST 2014
Alicante, España, 9-14 marzo 2014
31. A. Miranda, Luis A. Pérez
“Tuning the Electronic Band-Gap of 3C-Silicon Carbide Nanowires by Passivating with Different
Chemical Species”
Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy
From Materials to Devices to System Architecture
Phoenix, Arizona, USA 10-14 marzo 2014
19
32. A. Trejo, A. Miranda, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“First principles simulation of phonon confinement effects in Ge [111] nanowires”
8th International conference on energy, materials and nanotechnology
Orlando, Florida, USA, 22-25 noviembre 2014
33. A. Miranda, A. Trejo, M. Cruz-Irisson, Luis A. Pérez
“DFT study of Surface Passivation of Silicon Carbide Nanowires by Halogens”
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2014)
Koala Coast, Hawaii, USA, 7 -11 diciembre 2014
34. A. Miranda, F. de Santiago, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson,
“Electronic properties of silicon nanowires for sensing of toxic gases”
22nd Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES 2015)
Puerto Varas, Chile, 30 noviembre - 4 diciembre 2015
35. A. Miranda, M. Ojeda, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Surface Passivation of Silicon Carbide Nanowires by Halogens: an Ab-initio Study”
22nd Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES 2015)
Puerto Varas, Chile, 30 noviembre - 4 diciembre 2015
36. F. de Santiago, A. Miranda, J.L. Cuevas, A. Trejo, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Chemisorption of adenine-alkili doped Si nanowires: ab initio study”
IX International Conference in Surfaces, Materials and Vacuum
Mazatlán, Sinaloa, México, 26-30 septiembre 2016
37. F. de Santiago, A. Miranda, A. Trejo, M. Cruz-Irisson
“Efectos de los enlances sueltos y el boro en la mediometalicidad de nanoalambres de Si y Ge”
LIX Congreso Nacional de Física
León, Guanajuato, México, 2-7 octubre 2016
38. A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Dopaje molecular en nanoalambres de Si: efectos de los halogénos en la superficie”
LIX Congreso Nacional de Física
León, Guanajuato, México, 2-7 octubre 2016
39. J. Pilo, A. Torres, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
“Sistemas multicapa derivados del compuesto Sr2FeMoO6”
LIX Congreso Nacional de Física
León, Guanajuato, México, 2-7 octubre 2016
40. F. De Santiago, A. Trejo, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson
“Electronic properties of Ga and As doped silicon nanowires with surface dangling bonds”
6th Mexican Workshop on Nanostructured Materials
Puebla, Puebla, México, 12-14 octubre 2016
41. A.N. Sosa, I. González, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal and M. Cruz-Irisson
“Band gap engineering of porous Ge for applications to lithium batteries”
6th Mexican Workshop on Nanostructured Materials
Puebla, Puebla, México, 12-14 octubre 2016
42. F. de Santiago, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Silicon nanowires for energy storage: a DFT energetics comparison for Li, Na and K”
MicroEchem 2016 / Energy Storage Discussions
Amealco, Queretaro, México, 6-9 noviembre 2016
20
43. A. Miranda, F. de Santiago, A. Trejo, E. Carvajal, L.A. Pérez
“Chemical sensing in silicon nanowires: quantum confinement effects”
QUITEL 2016, 42nd International Congress of Theoretical Chemists of Latin Expression
Montevideo, Uruguay, 20-25 noviembre 2016
44. A. Miranda, I. González, A. Trejo, F.A. Perdomo-Hurtado, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Chemical band-gap engineering in fluorinated silicon nanowires”
QUITEL 2016, 42nd International Congress of Theoretical Chemists of Latin Expression
Montevideo, Uruguay, 20-25 noviembre 2016
45. J. Pilo, M.C. Crisóstomo, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
“Bi-dimensional perovskite systems for spintronics applications”
QUITEL 2016, 42nd International Congress of Theoretical Chemists of Latin Expression
Montevideo, Uruguay, 20-25 noviembre 2016
46. J. Ramírez, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez
“Electronic properties of Diamond nanowires with X-vacancy (X=N,B) defects: a theoretical approach”
QUITEL 2016, 42nd International Congress of Theoretical Chemists of Latin Expression
Montevideo, Uruguay, 20-25 noviembre 2016
47. F. de Santiago, J.E. Santana, A. Trejo. A. Miranda, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Toxic gases sensing based on silicon nanostructures: an ab-initio study”
European Materials Research Society, Spring Meeting 2017
Estrasburgo, Francia, 22-26 mayo 2017
48. J. Pilo, A. Torres, A. Miranda, E. Carvajal
“Phisycal properties of perovskite nanolayared systmes: a comparative study by varying the Hubbard
parameter”
ISMANAM 2017, 24th International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructured
Materials
San Sebastian, España, 18-23 junio 2017
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Formación de Recursos Humanos
Tesis dirigidas de Licenciatura
1. “Espintrónica en nanoalambres, un nuevo paradigma en las comunicaciones y electrónica”
Francisco de Santiago Varela,
ESIME-Culhuacan, IPN
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha examen: 28 de septiembre de 2015
Tesis dirigidas de Maestría
2. “Medio-metalicidad en nanoalambres semiconductores no polares”
Ing. Francisco de Santiago Varela,
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica
Fecha examen: 23 de junio de 2016
Tesis en Proceso
Tesis de maestría en proceso
3. Ing. José Antonio Santiago Galicia
Tema tentativo: Almacenamiento de hidrógeno en siligene
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Registro: B160491
4. Ing. Lucia Guadalupe Arellano Sartorius
Tema tentativo: Monocapas de SiC para almacenamiento de hidrógeno
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Registro: A170448
5. Fisico Lorenzo Antonio López Hernández
Tema tentativo: Monocapas de germanio para almacenamiento de hidrógeno
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Registro: B17
6. Ing. Ángel Daniel de la Merced Puga
Tema tentativo: Propiedades energéticas y ópticas en la detección de ADN con
nanoalambres de silicio
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Registro: B17
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Proyectos de investigación
Proyectos con Financiamiento Institucional
Director de Proyectos de Investigación
1. Título: Nanoalambres de silicio como sensores de gases moléculares
Área: Ciencias Físico Matemáticas y de las Ingenierías
Modalidad: Proyecto Individual
Duración: 1 año (septiembre 2015 - agosto 2016)
Participación en Proyectos de Investigación
1. Título: Dopaje y detección molecular en nanoestructuras semiconductoras
Área: Ciencias Físico Matemáticas y de las Ingenierías
Modalidad: Programa de “Apoyos Complementarios para la Consolidación Institucional de
Grupos de Investigación, Convocatoria para Retenciones 2015
Duración: 1 año (septiembre 2015 - agosto 2016)
Director: Dr. Miguel Cruz Irisson, SEPI-ESIME Culhuacan-IPN
2. Título: Modelado y simulación computacional de las propiedades físicas y químicas de
nanoestructuras con aplicaciones a espintrónica y a energías alternativas
Área: Ciencias Físico Matemáticas y de las Ingenierías
Modalidad: Convocatoria de Apoyo al Fortalecimiento y Desarrollo de la Infraestructura
Científica y Tecnológica 2015 del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología
Duración: 1 año (2015)
Director: Dr. Miguel Cruz Irisson, SEPI-ESIME Culhuacan-IPN
3. Título: Estudio de las propiedades ópticas de nanoestructuras semiconductoras porosas aplicadas
a celdas solares y baterías de Litio
Área: Ingeniería y Tecnología
Modalidad: Proyecto Multidisciplinario, de los Proyectos Multidisciplinarios y Transdicisciplinarios de
Investigación Científica y Desarrollo Tecnológico 2016 del Instituto Politécnico Nacional
Duración: 2 años (2016-2017)
Director de módulo: Dr. Miguel Cruz Irisson, SEPI-ESIME Culhuacan
Registro Módulo SIP: 20160184, Registro Multidisciplinario SIP: 1770
4. Título: Propiedades vibracionales y transporte térmico en nanoalambres semiconductores
Área: Ingeniería y Tecnología
Modalidad: Proyecto Multidisciplinario, de los Proyectos Multidisciplinarios y Transdicisciplinarios de
Investigación Científica y Desarrollo Tecnológico 2016 del Instituto Politécnico Nacional
Duración: 2 años (2016-2017)
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Director de módulo: Dr. Fernando Salazar Posadas, SEPI-ESIME Culhuacan
Registro Módulo SIP: 20160186, Registro Multidisciplinario SIP: 1771
5. Título: Modelado y simulación computacional de las espectroscopías Raman e infrarroja en
nanoestructuras semiconductoras
Área: Ingeniería y Tecnología
Modalidad: Proyecto Multidisciplinario, de los Proyectos Multidisciplinarios y Transdicisciplinarios
de Investigación Científica y Desarrollo Tecnológico 2016 del Instituto Politécnico Nacional
Duración: 2 años (2016-2017)
Director de módulo: Dr. Alejandro Trejo Baños, SEPI-ESIME Culhuacan
Registro Módulo SIP: 20160214, Registro Multidisciplinario SIP: 1771
Proyectos con Financiamiento Externo
Participación en Proyectos de Investigación
1. Título: Propiedades de sistemas de baja dimensionalidad
Área: Ciencias Físico Matemáticas y de las Ingenierías
Modalidad: Proyectos de Investigación del Programa del Apoyo a Proyectos de Investigación e
Innovación Tecnológica 2017 de la Universidad Nacional Autónoma de México
Duración: 3 años (2017-2019)
Director: Dr. Luis Antonio Pérez López, Instituto de Física, UNAM
2. Título: Propiedades estructurales y electrónicas de sistemas de baja dimensionalidad
Área: Ciencias Físico Matemáticas y de las Ingenierías
Modalidad: Proyectos de investigación del Programa del Apoyo a Proyectos de Investigación e
Innovación Tecnológica 2014 de la Universidad Nacional Autónoma de México
Duración: 3 años (2014-2016)
Director: Dr. Luis Antonio Pérez López, Instituto de Física, UNAM
Actividades de Vinculación e Innovación
Programas de Computo
“Simulación computacional de la estructura de bandas electrónicas, densidad de estados y absorción óptica
de semiconductores tipo zinc blenda”,
Autores: Miguel Cruz Irisson, Álvaro Miranda Durán, Alejandro Trejo Baños, Instituto Politécnico
Nacional,
Registro de software ante el Registro Público del Derecho de Autor. No. 03-2014-082910483200-01.
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Conocimientos Informáticos
Lenguajes de programación: Fortran90. Sistemas operativos: Linux, MS-DOS, Windows a nivel de
usuario.
Experiencia en cálculos basados pseudopotenciales empíricos tight-binding y teoría de funcionales de
la densidad (usando los códigos CASTEP, SIESTA, QUANTUM ESPRESSO).
Idiomas
Español: Lengua materna
Inglés: Hablar 85 %, Escuchar 85 %, Escribir 90%, Leer 85 %