COLEGIUL TEHNIC DE COMUNICATII N · Web viewAbilitati pe care elevii trebuie sa le dobandeasca la...

COLEGIUL TEHNIC DE COMUNICATII N

COLEGIUL TEHNIC DE COMUNICATII N.V.KARPEN BACAU

PORTOFOLIU M 1

BAZELE ELECTRONICII ANALOGICE

ELEV …………………………..

CLASA ……………………..

PROFESOR FRUNZA ADRIAN

ANUL ………………….

MOTTO

Only two things are infinite, the universe and human stupidity, and I'm not sure about the former. ALBERT EINSTEIN

ABSTRACT

Acest document vine in sprijinul elevului ,pentru a facilita realizarea unui portofoliu ce reprezinta sintetic activitatea desfasurata de elev, in scopul dobandirii competentelor vizate de curricula.

Experienta didactica imi confirma faptul ca elevul este capabil intr-o mica masura sa genereze sau sa realizeze un anumit tip de document , indeplinind niste cerinte impuse .

Pentru a evita neintelegerile,erorile ,am decis sa public un model de portofoliu standard care va oferi elevului un prototip de urmat .

Orice idee a elevilor de a imbunatati acest model,in scopul obtinerii performantei va fi apreciata pozitiv prin nota .

OBSERVATII

1.Portofoliul va fi prezent asupra elevului la fiecare ora de curs sau laborator .

2.Neprezentarea portofoliului la solicitarea profesorului este notata cu nota 2(doi)

3.Nerezolvarea unui item tema in intervalul precizat de documentatie (profesor) se noteaza cu nota 3(trei).

4.In cazul in care portofoliul se distruge va fi refacut INTEGRAL.

5.In cazul situatiei de corigenta ,portofoliul personal al elevului se prezinta profesorului la examenul de corigenta .

6.Este exclusa prezentarea unui portofoliu care nu este personalizat (apartine unui alt elev)

Frauda de pedepseste cu nota 2(doi) sau situatie de corigenta .

7.La solicitarea elevului de a-si imbunatati situatia scolara(media), in timp util(interval de 2 saptamani de la obtinerea precedentei note neperformante), profesorul da curs solicitarii elevului pentru o noua examinare .

8.Este posibil ca elevul sa nu predea la timp un item de evaluare(absenta ,neglijenta )

Itemul va fi atasat la portofoliu pentru o examinare ulterioara.

9. Examinarea de tip final consta in evaluarea portofoliului ;portofoliul trebuie sa cuprinda toate documentele prevazute in prezentul document .

10.Sectiunea ITEMI DE EVALUARE poate fi realizat de catre elev si in format electronic in produsul educational MOODLE EDUKA .

11.Acest portofoliu poate fi realizat integral in format electronic,care sa poata fi accesat ca document public prin internet .

12.Profesorul va da dovada de transparenta in procesul de examinare si evaluare, asigurand sanse egale tuturor elevilor .

CUPRINS

1. FISA PROTECTIA MUNCII ................................................ pag 4

2.FISA EVALUARE INDIVIDUALA ELEV .............................. pag 5

3.EXTRAS CURRICULA ........................................................ pag 6

4.DOCUMENTATIE on-line M 1..............................................pag 6

5.ITEMI EVALUARE DE TIPUL ..............................................pag 14

5.1 TEST INITIAL..................................................................................pag 15

5.2 TEST AUTOEVALUARE ................................................................pag 16

5.3 FISA APRECIERE LIKERT -THURSTONE......................................pag 17

5.4 TESTE ANTRENAMENT

5.5 TEMA INDIVIDUALA tip fisa de lucru............................................pag 79

5.6 ITEM MINIPROIECT

6.STRUCTURA NOTEI (calcularea mediei finale )....................pag 92

7.OBSERVATII PROFESOR/ ELEV ...........................................pag 93

8.LUCRARI DE LABORATOR ....................................................pag

Pentru lucrari de laborator accesati

http://portal.ctcnvk.ro/Members/Adrian-20Frunza/m1-bazele-electronicii-analogice-10f-g/m1-6-lucrari-de-laborator/l2-10-lucrari-laborator-bazele-ea-m1/LABORATOR%20M1%20BAZELE%20ELECTRONICII%20ANALOGICE.zip/view

1. FISA PROTECTIA MUNCII

NORME DE PROTECTIA MUNCII IN LABORATOR

“Inveti azi sa te pazesti o viata !”

Fiecare elev al clasei a ……… a, din anul scolar 2010/2011, la COLEGIUL TEHNIC DE COMUNICATII « N.V.KARPEN » conform tabelului de pe verso, am fost instruit cu privire la normele de tehnica securitatii muncii, pentru buna desfasurare si in conditii de siguranta, a orelor din laborator.

Am luat la cunostinta de urmatoarele norme :

· Elevul este obligat sa respecte programul de laborator stabilit

· Nu se admite prezenta la laborator sub influenta bauturilor alcoolice

· Intrarea in laborator se face numai in prezenta cadrului didactic sau a laborantului

· Nu se admite parasirea laboratorului fara acordul cadrului didactic

· In cazul constatarii unei defectiuni sau nereguli la aparatura pe care o voi utiliza trebuie sa anunt imediat profesorul sau laborantul de informatica fara sa intervin din propria initiativa la remedierea situatiei

· Inceperea lucrarii se va face numai cu acordul cadrului didactic

· Corectitudinea montajului efectuat se face numai de indrumatorul de lucrare

· Se interzice jocul cu instrumentele ascutite sau taioase

· Este interzisa efectuarea de catre elevi a oricaror reparatii sau interventii la aparate si instalatii

· Nu se vor efectua montaje sau se vor repara aparate aflate sub tensiune

· Nu se lucreaza cu conductori neizolati sau de asemenea nu se lucreaza cu mainile ude

· Calculatoarele si echipamentele periferice nu se vor muta si nu vor fi lovite sau expuse unor conditii necorespunzatoare de lucru.

· Este interzisa demontarea aparatelor, detasarea carcaselor, efectuarea reglajelor sau accesul la componentele interne ale calculatoarelor

· Este interzisa intrarea in alta aplicatie decat in cea impusa sau in jocuri in timpul orelor de curs

· Nu se realizeaza niciun fel de activitate in afara celor precizate de cadrul didactic

· Nu se umbla la prize decat la indicatia profesorului; nu se efectueaza lucrari de electricitate cu mainile umede; nu se deconecteaza de la priza nici un aparat decat dupa ce a fost inchis de la intrerupatorul sau.

· In cazul blocarii unui calculator se actioneaza simultan tastele

CTRL ALT DEL si calculatorul se va reseta

· Nu am voie sa instalez software si nici sa introduc dispozitive de memorie externa in calculatoare. Totul se face numai cu acordul profesorului sau laborantului de informatica

· Nu este permisa aglomerarea elevilor in jururl PC-urilor

· Nu este permisa intrarea persoanelor straine in laborator

· Dupa terminarea orei, laboratorul va fi lasat in perfecta ordine; elevii vor fi direct raspunzatori de deficientele semnalate la inceputul urmatoarei activitati didactice care se desfasoara in laborator .

In cazul nerespectarii celor de mai sus, voi suporta consecintele de rigoare care decurg din regulamentul intern al colegiului.

Am luat cunostinta de Normele de protectia muncii in laborator

NR.CRT

NUME PRENUME ELEV ,clasa

SEMNATURA ELEV

2.FISA EVALUARE INDIVIDUALA ELEV

Acest document se completeaza de catre elev, pentru a demonstra ca elevul cunoaste

situatia performantelor scolare proprii la acest modul .

NUME PRENUME ELEV……………………………………..CLASA .......................

DISCIPLINA (MODUL)

ABSENTE

NOTE

TEMA NOTATA

: Modulul 1 : BAZELE ELECTRONICII ANALOGICE

TEORIE 70 ORE

· 35 ore – instruire practică

· 35 ore - laborator

NR.MIN. NOTE :3

OBSERVATII

CONCLUZII FINALE

Abilitati pe care elevii trebuie sa le dobandeasca la terminarea modulelor

Bifati

1.Intelegerea activitatilor

2.Abilitati de cercetare utilizand o varietate de resurse ,inclusiv internetul

3.Identificarea unor solutii alternative pentru probleme

4.Cum sa discute ,sa dezbata si sa ia o decizie .

5.Planificarea ,efectuarea si evaluarea unor activitati ,prin analiza punctelor tari slabe si a aspectelor care urmeaza a fi imbunatatite in viitor

6.Abilitati de prezentare si utilizare a echipamentelor

7.Luarea de notite ,scrierea de rapoarte\ si lucrul in echipa

8.Intelegerea diferitelor roluri pe care le au ceilalti in cadrul grupului si influenta stilurilor de invatare .

3. Curricula vezi http://portal.ctcnvk.ro

4. Documentatie on-line M 1

http://portal.ctcnvk.ro/Members/adrian.frunza/portofoliul-profesorului-frunza-adrian/6-tutoriale

5.ITEMI EVALUARE

TEST INITIAL –are rolul de stabili un nivel initial de performanta al elevului .Continutul testului vizeaza competentele achizitionate de elev in clasa a-9-a la modulele tehnice .

Punctajul obtinut nu se trece in catalog .

Perioada rezolvare S1-S2

TEST AUTOEVALUARE ELEV – are rolul de a realiza o imagine despre modul in care

elevul interactioneaza cu modulul tehnic .

Perioada rezolvare :inceputul semestrului 2

TESTE ANTRENAMENT – sunt teste de capitol si au drept scop antrenarea elevului pentru a sustine testul on- line in laboratorul AEL.

Antrenamentul se poate face cu testul in format hartie sau in format electronic cu platforma MOODLE –EDUKA .

Perioada rezolvare: pe parcursul parcurgerii capitolului, inainte de a sustine testul

on-line AEL.

5.4.TESTE AEL-sunt teste de capitol ,se desfasoara on –line in laboratorul AEL .

In situatia in care elevul absenteaza la test ,testul va fi refacut in ora urmatoare .

Perioada rezolvare: la finalul fiecarui capitol.

Nota obtinuta se trece in catalog.

5.5 TEMA INDIVIDUALA tip fisa de lucru –sunt itemi de evaluare care se rezolva de catre

elev pe masura parcurgerii capitolului .

Evaluarea itemului se va face prin interviu,pe itemul rezolvat partial sau total; in situatia in care elevul nu raspunde la intrebari ,itemul se considera copiat si se noteaza cu nota 3(trei).Limbajul de specialitate al elevului va fi notat pozitiv.

In cazul in care elevul are portofoliul in format electronic ,acest item poate fi rezolvat in format electronic.


5.6 ITEM tip MINIPROIECT – este un document de tip PPT .


5.1.TEST INITIAL-BAZELE EA

Profesor: FRUNZA ADRIAN NUME ELEV…………………….. CLASA…............

Perioada rezolvare S1-S2 TIMP DE LUCRU 35 MIN

1.Mǎsurarea intensitǎţii curentului electric cu ampermetru este o metodǎ: ………………………………5p

a) indirectǎ;

b) directǎ;

c) de comparaţie.

2. Ampermetrul se utilizeazǎ pentru mǎsurarea :……………………………………………………………....5p

a) numai a intensitǎţii curentului continuu;

b) intensitǎţii în c.c. şi c.a.;

c) numai a intensitǎţii curentului alternativ.

3.Ampermetrul se monteazǎ în circuitul de mǎsurat:……………………………………………...................10p

a) în serie cu consumatorul;

b) în paralel cu consumatorul;

c) în paralel cu o rezistenţǎ adiţionalǎ

4.Completaţi enunţul de mai jos:……………………………………………………………………..............10p

Cu cât………………….ampermetrului este mai micǎ faţǎ de …………….circuitului, cu atât erorile de mǎsurare sunt mai………………

5.Stabileşte o asociere între cele 2 coloane de mai jos:………………………………………………………5p

A

Aparat de

mǎsurǎ

B

Simbol

1

ampemetru

a

mA

2

miliampermetru

b

kA

3

microampermetru

c

A

4

kiloampermetru

d

A

m

6.Alegeţi varianta corectă:………………………………………………………………………………………..5p

· Într-un circuit electric ampermetrul se leagă în serie/ paralel

· Motoraşul unei jucării este alimentat de o baterie de 1,5 V /24 V

· Intensitatea curentului electric este aceeaşi/ nu este aceeaşi în orice punct al unui circiut serie

· Sensul curentului în exteriorul generatorului este de la borna pozitivă la borna negativă/borna negativă la borna pozitivă.

7. Prin exprimarea a 0,45 A în miliamperi, obţinem: a. 45mA; b.4,5mA; c. 450mA; d. 0,45 mA…………5p

8. Un circuit electric conţine un rezistor electric, un ampermetru, un voltmetru şi un alimentator didactic cu posibilitatea de a modifica tensiunea de alimentare a circuitului electric. Datele experimentale au fost înscrise în tabelul următor:

U(V)

0,5

1,0

1,2

1,8

2,3

3,0

I(A)

0,10

0,20

0,24

0,36

0,46

0,60

a) reprezentaţi schema circuitului electric………………………………………………………………......30p

b) trasaţi graficul I=f(U) şi scrieţi concluzia care rezultă din interpretarea lui.

c) aflaţi rezistenţa electrică a rezistorului electric

9. Efectuaţi următoarele transformări:…………………………………………………………………….....15p

2 h 15 min = min = secunde

315 cm = m

256mm = m

72 dm = cm

7200 A = KA

32,3 KV = V

Se acorda 10 p din oficiu PUNCTAJ OBTINUT ………………………

5.2.TEST AUTOEVALUARE ELEV

Profesor: FRUNZA ADRIAN

ELEV ………………………. … CLASA........................................

PERIOADA REZOLVARE :inceputul semestrului 2

Bifati varianta cu care sunteti de accord sau completati dupa caz .

1. Avand in vedere performantele scolare la acest modul ,acordati-va un punctaj de la 0 la 100 .

…………………………….

2. Care modalitate de evaluare credeti ca cuantifica mai correct performanta scolara ,

cea cu notare 1-10 sau cea cu punctaj 1-100p

…………………………………………….

3. Daca aveti un nivel de performanta scolara BUN /SLAB la acest modul cauzele sunt:

a. este un modul interesant

b. aveti o cultura generala solida .

c. doriti sa faceti cariera in acest domeniu de activitate

d. curricula este in acord cu propriile cerinte educationale .

e. informatia este accesibila,transparenta si bine structurata .

f. este un modul plictisitor

g. nu va atrage domeniul tehnic

h. curricula nu este in acord cu cerintele educationale proprii

i. informatia are un grad ridicat de complexitate

4. Indicati care credeti ca sunt cele mai importante calitati ale unui elev ; indicati 4 dintre ele cele mai importante

a.capacitatea de memorizare a informatiei

b.viteza de reactie

c.creativitatea

d.tupeul

c.utilizarea unui limbaj specializat

e.utilizarea unei limbi europene

f.adaptarea rapida la conditii noi invatare .

g.cumintenia

h.disciplina interna si autocunoastere .

5.In cazul in care alti colegi obtin performante scolare mai bune la acest obiect ,cauzele sunt :

a.predau temele la termenele stabilite

b.prezinta portofoliul personal la solicitarea profesorului .

c.sunt interesati de acest tip de informatie si colaboreaza cu profesorul .

d .nu exista nici o regula ,totul e probabilistic determinat .

e.copie de la alti colegi rezolvarea itemilor

5.3.FISA SCALA APRECIERE LIKERT-THURSTONE

Fisa evaluare profesor de catre elev

Se completeaza de catre elev la inceputul semestrului 2

5.3.1 TEST ANTRENAMENT SEMICONDUCTOARE ,JONCTIUNEA P-N


ELEV ………………………. … CLASA........................................

PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte

Pentru informatii accesati

http://portal.ctcnvk.ro/Members/Adrian-20Frunza/m1-bazele-electronicii-analogice-10f-g/m1-2-auxiliar-curricular/Basic_electronics.zip/view Semiconductors

1.Un semiconductor este un material cu structura(bifati raspunsul corect)

a.amorfa

b cristalina

c.matrice geometrica spatiala

2. Atomul de siliciu are ca electroni de valenta a. 3 electroni

b. 4 electroni

c. 5 electroni

3. Siliciul este un element din grupa a. a –V-a

b. a –IV-a

c. a-III-a

4. Imaginea reprezinta (bifati afirmatiile adevarate ).a. o structura cristalina de tip cubic a unui semiconductor (Si)

b. atomii de Si in retea si electronii de valenta gravitand pe orbitele legaturilor covalente

c. un material amorf.

5.Intr-un semiconductor intrinsec (pur) electronii de conductie apar in urmatoarele situatii:

a.semiconductorul este dopat cu elemente pentavalente

b.semiconductorul se afla la temperatura camerei (20 grade Celsius)

c semiconductorul este bombardat cu radiatii luminoase

6.In situatia in care temperatura unui semiconductor creste ,numarul electronilor liberi(de conductie)

a .creste

b. scade

c .ramane constant

7.Intr-un semiconductor intrinsec o pereche electron –gol apare atunci cand:

a.creste temperatura semiconductorului si se rupe o legatura covalenta

b semiconductorul intrinsec este la temperatura 0 K.

c.perechile electron gol pot fi generate prin polarizarea semiconductorului cu o sursa de tensiune .

8.Pentru un semiconductor pur (intrinsec) ,sunt adevarate informatiile :

a.electronii sunt purtatori majoritari

b.golurile sunt purtatori minoritari

c.numarul de electroni este egal cu numarul de goluri

9. Figura de mai sus reprezinta :

a.o joncitune p-n

b.un semiconductor de tip n nepolarizat

c.un semiconductor de tip n polarizat

10. Polarizarea semiconductorului va determina in structura semiconductorului de tip n :

a.deplasarea electronilor in directia zonei de potential (+)

b. deplasarea electronilor in directia zonei de potential (–)

c.deplasarea golurilor in zona de potential( –)

11.Datorita polarizarii semiconductorului de tip n ,in structura va apare un curent de electroni :

a.mai mic decat in cazul unui semiconductor intrinsec

b. mai mare decat in cazul unui semiconductor intrinsec

c.nu exista current prin structura .

12.Electronii sunt purtatori majoritari intr-un

a. semiconductor de tip p

b. semiconductor de tip n

c. semiconductor intrinsec

semiconductor de tip n

13.Electronii sunt purtatori minoritari intr-un:




14.Golurile sunt purtatori majoritari intr-un




15.OKGolurile sunt purtatori minoritari intr-un




16.Figura reprezinta ;bifati afirmatiile adevarate

a.un semiconductor intrinsec

b.o jonctiune p-n cu zona de sarcina spatiala

c.o jonctiune p-n polarizata direct

17.Zona de sarcina spatiala din zona jonctiunii p-n se formeaza datorita :

a. fenomenului de difuzie a electronilor din zona p in zona n

b. fenomenului de difuzie a electronilor din zona n in zona p si difuziei golurilor din zona p in zona

c . fenomenului de difuzie a golurilor din zona p in zona n

18 In zona jonctiunii p-n ,apare o zona de potential electric pozitiv datorita :

a.difuziei electronilor din zona n spre zona p

b. difuziei golurilor din zona n spre zona p

c difuziei golurilor din zona p spre zona n

19. In zona jonctiunii p-n ,apare o zona de potential negativ datorita :

a.difuziei electronilor din zona n spre zona p

b. difuziei golurilor din zona n spre zona p

c difuziei golurilor din zona p spre zona n

20.Zona de sarcina spatiala care apare la jonctiunea n-p nepolarizata are o latime de ordinul

a.

mai mica decat 1μm

b.mai mare decat 1mm

c mai mica decat 1nm

21.In cazul jonctiunii p-n, zona de sarcina spatiala are urmatoarele proprietati :

a.favorizeaza difuzia toala a purtatorilor in cele 2 zone p si n

b.opreste difuzia purtatorilor in cele 2 zone p si n .

c. prezinta un un potential electric de semn (+) in zona n si de semn (-) in zona p

22.Tensiunea specifica unei jonctiuni p-n pe Si are valoarea aproximativ

a. 7 V

b. 0,7 V

c. 700mV

23. . Tensiunea specifica unei jonctiuni p-n la Ge are valoarea aproximativ

a. 3 V

b. 0,3 V

c. 0,7V

24.In cazul figurii sunt adevarate afirmatiile

a.este o jonctiune n-p polarizata direct

b. a.este o jonctiune n-p polarizata invers

c. zona de sarcina spatiala are rezistenta de valoare mare

25In cazul figurii sunt false afirmatiile




26 .In cazul unei jonctiuni p-n polarizate direct sunt adevarate afirmatiile

a. se comporta ca un comutator deschis

b. se comporta ca un comutator inchis

c. are rezistenta mica de ordinul zeci de Ω

27 In cazul unei jonctiuni p-n polarizate invers sunt false afirmatiile :

a. se comporta ca un comutator deschis

b.inchis

c.are rezistenta mare de ordinul MΩ

28.Un material semiconductor dopat are rezistivitatea de valoare mica atunci cand :

a.numarul de electroni liberi (de conductie ) este mic

b. numarul de electroni liberi(de conductie ) este mare

c.nu are importanta numarul de electroni liberi

29. Proprietatile fizice si chimice ale unui element chimic sunt determinate de :

a.numarul electronilor de valenta

b.orbitalul electronilor

c. rezistivitatea elementului chimic

30.In cazul unui semiconductor, la procesul de conductie participa :

a.nucleul atomic .

b.electronii de valenta .

c.electronii liberi .

31. In cazul figurii sunt false afirmatiile




5.3.2 TEST ANTRENAMENT. DIODA


ELEV ………………………. … CLASA........................................




http://portal.ctcnvk.ro/Members/Adrian-20Frunza/m1-bazele-electronicii-analogice-10f-g/m1-2-auxiliar-curricular/Basic_electronics.zip/view The DIODE

1.Anodul unei diode este un:

a. semiconductor de tip n

b.semiconductor de tip p

c. jonctiunea p-n

2. O dioda semiconductoare obisnuita se poate realiza prin:

a.lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor intrinsec si a unui semiconductor extrinsec .

b. lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor Si si a unui semiconductor Ge

c.lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor de tip p si a unuia de tip n

3.

4 In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile:

a.dioda este polarizata direct

b.curentul prin circuit este zero Amperi

c.rezistenta R are rolul de a limita curentul prin dioda .

.

4. In cazul circuitului sunt false afirmatiile :

a.dioda este polarizata invers

b.curentul prin circuit este zero A

c.comutatorul inchis are rezistenta infinita

.

5.O dioda ideala se comporta ca un comutator deschis atunci cand :a. este polarizata direct dar tensiunea directa este mai mica de 0,7 V (jonctiune Si)

b.are rezistenta de valoare mare(sute kΩ-MΩ)

c. este polarizata invers

6. O dioda ideala se comporta ca un comutator inchis atunci cand

a. este polarizata direct

b.are rezistenta de valoare mica (30-40 Ω)

c. este polarizata invers

7.In cazul diodei ideale ,sunt adevarate afirmatiile (interpretati figura de mai sus )

a.in momentul deschiderii diodei curentul are o crestere lenta

b..in momentul deschiderii diodei curentul are o crestere foarte rapida

c tensiunea la bornele diodei ramane constanta in zona de deschidere a diodei

.

8.Valoarea aproximativa a tensiunii la bornele diodei la un curent de 10 mA, conform graficului este de :

a. 70 mV

b 20 mA

c. 700mV

9.In cazul circuitului din figura sunt adevarate afirmatiile :

a.dioda este polarizata direct

b. dioda este polarizata invers

c.curentul prin circuit are valoare de ordinul nA

10.In cazul graficului de mai sus ,in circuit dioda este polarizata

a.direct

b.invers

c.nu este polarizata .

11.In cazul graficului observam ca in jurul valorii de -50V ,curentul invers (IR) prin dioda

a.scade brusc

b.creste brusc

c ramane constant

12.In cazul graficului, observam ca la o variatie a curentului invers (IR) intre valorile -200-800μA,

tensiunea la bornele diodei

a.variaza puternic

b.ramane relativ constanta

c.are valoare negativa

13.Efectul de AVALANSA in diode are drept cauza a.o valoare mare a curentului(mA) la polarizare directa

b.o valoare mare a curentului(mA) la polarizare inversa

c.cresterea tensiunii inverse, determina cresterea numarului de ciocniri a electronilor de conductie cu electronii de valenta ,ruperea legaturilor covalente ce implica cresterea numarului de purtatori deci a curentului prin dioda .

14.Tensiunea de strapungere a unei diode depinde de

a.valoarea curentului prin dispozitiv

b.gradul de dopare a jonctiunii p-n

c.valoarea tensiunii inverse la bornele diodei

15.La o dioda ZENER valoare tensiunii inverse la care apare efectul ZENER , are valoare

a.mai mare decat la o dioda obisnuita

b.mai mica decat o dioda obisnuita

c egala cu valoarea tensiunii inverse la o dioda obisnuita .

16.Conditiile tehnologice pentru a obtine o dioda ZENER sunt

a. o dopare obisnuita a semiconductorilor

b. o dopare puternica a semiconductorilor

c. zona de sarcina spatiala este foarte ingusta

17. Efectul ZENER apare intr-o jonctiune de tip ZENER atunci cand :

a.intensitatea campului electric depaseste 100mV /cm

b. intensitatea campului electric depaseste 300mV /cm

c.nu are importanta intensitatea campului electric

18.Rolul rezistentei din schema este de a:

a.stabiliza curentul in circuit

b.limiteaza curentul si implicit emisia de caldura pe dioda .

c este o rezistenta de sarcina pentru dioda .

19.Dioda ZENER din circuit are VZ=2,4V.Valoarea curentului in circuit va fi :

a .I= 0,010A

b. I= 10mA

c. I= 100mA

20.Puterea disipata pe ZENER in cazul in care VZ=2,4V si I= 10mA va avea valoarea

a.P= 24 W

b. P= 24 mW

c. P= 24 *10-3W

21.Dioda ZENER din circuit are VZ=2,4V.Valoarea curentului in circuit va fi :

a .I= 0,031A

b. I= 31mA

c. I= 310mA

22 In cazul unei diode LED sunt adevarate afirmatiile :

a. lumina emisa are drept cauza efectul JOULE ,la fel ca la un bec cu filament

b. Lumina emisa are drept cauza fenomenul de recombinare electron gol in semiconductor, eliberandu-se energie sub forma de fotoni (electroluminiscenta )

c. dioda LED are consum mic de putere .

23. In cazul unei diode LED sunt false afirmatiile :

a. dioda LED emite lumina in polarizare inversa

b. tensiunea inversa a diodei are valoare mica in comparatie cu o dioda obisnuita .

c. daca jonctiunea nu este subtire si aproape de suprafata ,lumina emisa de LED nu poate fi observata .

24. In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile

a.dioda LED este polarizata invers

b.rezistenta diodei aprinse are valoarea Rd= 110 Ω

c .daca R=390 Ω este scurtcircuitata ,curentul in circuit scade mult .

25 In cazul circuitului sunt false afirmatiile

a.dioda LED este polarizata direct

b.rezistenta diodei aprinse are valoarea Rd= 11 Ω

c .daca R=390 Ω este scurtcircuitata ,curentul in circuit creste mult .

26.In cazul caracteristicii I(U) pentru o dioda LED sunt adevarate afirmatiile :

a.tensiunea de deschidere este mai mica decat la o dioda obisnuita

b. tensiunea de deschidere este mai mare decat la o dioda obisnuita

c in cazul in care curentul prin dioda creste ,luminozitatea dispozitivului creste .

27.In cazul caracteristicii I(U) pentru o dioda LED sunt false afirmatiile :

a.tensiunea de deschidere este mai mare decat la o dioda obisnuita

b. tensiunea de deschidere este egala cu tensiunea de deschidere a unei diode obisnuite.

c .pentru a emite lumina LED trebuie polarizat invers .

28.Banda de pe corpul unei diode indica

a.anodul

b.catodul.

c jonctiunea p-n

29.In cazul graficului unei diode reale sunt false afirmatiile :

a.dioda reala are rezistenta mai mica decat dioda ideala ,in regim de polarizare directa

b .dioda ideala are rezistenta mai mica decat dioda reala in polarizare directa

c.dioda reala se poate strapunge termic (efect Joule) la curenti mari

5.3.3 TEST ANTRENAMENT REDRESOARE. SURSE DE PUTERE


ELEV ………………………. … CLASA........................................




http://portal.ctcnvk.ro/Members/Adrian-20Frunza/m1-bazele-electronicii-analogice-10f-g/m1-2-auxiliar-curricular/Basic_electronics.zip/view POWER SUPPLIES

1. Un redresor este un dispozitiv care converteste

a. semnalul continuu in semnal alternativ

b semnalul alternativ in semnal de tip continuu

c.semnalul de impulsuri in semnal alternativ .

2.In care din figurile de mai sus .formele de unda sunt in concordanta cu schema electrica ?

a. a

b.b.

c.c

3.In cazul redresorului monoalternanta sunt adevarate afirmatiile :

a. intr-o perioada tot curentul se regaseste transferat in sarcina

b.se “pierde” jumatate din curent

c. se “pierde” jumatate din putere.

4 . In care din figurile de mai sus formele de unda sunt in concordanta cu schema electrica ?

a. a

b. b.

c. c

5.Indicati schemele electrice care realizeaza redresare monoalternanta a curentului

a. a

b. b.

c. c

6. Indicati schemele electrice care realizeaza redresarea bialternanta a curentului

a. a

b. b.

c. c

7.In cazul redresarii bialternanta ,pe alternanta pozitiva a semnalului ,curentul urmeaza traseul :

a. A-B-C

b. A-B-D-A

c. A-B-D-C

8. In cazul redresarii bialternanta ,pe alternanta negativa a semnalului ,curentul urmeaza traseul :

a. A-B-C

b. C-B-A

c. C-B-D-A

9.In cazul redresarii bialternanta potentialul pozitiv al puntii se afla in punctul

a. A

b. D

c. B

d.C

10.In cazul redresarii bialternanta potentialul negativ al puntii se afla in punctul

a. A

b. D

c. B

11 La bornele condensatorului vom avea forma de unda de tipul :

a. a

b. b.

c. c

12.Armatura A a condensatorului va fi legata la potential

a.negativ

b.pozitiv

c la masa montajului

12.Armatura B a condensatorului va fi legata la potential

a.negativ

b.pozitiv

c la masa montajului

13.In infasurarile primar –secundar ale unui tranformator coborator de tensiune vizualizam formele de unda :

a. a si b

b. b si c

c. b si a

14.Un condensator de netezire are valoare uzuala :

a. 50µF - 100µF

b. 5µF - 10µF

c. 500µF - 1000µF

15.Care este succesiunea corecta a formelor de unda vizualizate de la intrare spre sarcina , pentru schema electrica ?

a. a-b-c-d-e

b. b-d-c-a-e

c. b-d-a-c-e

16.In cazul schemei sunt adevarate afirmatiile a.este un stabilizator parametric

b.este un stabilizator derivatie

c.tensiunea la iesire Us=Uz tensiunea pe dioda Zener

17.In circuitul stabilizator sunt adevarate afirmatiile :

a. io = iR + iZ

b. iZ = iR + io

c. iR= io + iZ

18 . In circuitul stabilizator sunt adevarate afirmatiile :

a. UZ = UI + US

b. UI = UZ + US

c. UI = R iR + U

19.Diodele Zener conectate in serie permit obtinerea :

a. unui factor de stabilizare mai mare .

b. unui factor de stabilizare mai mic.

c. unei tensiuni de stabilizare mai mari

20.Relatia de dimensionare a rezistentei R este :

a.

EMBED Equation.3

O

Z

I

i

i

Us

U

R

+

+

=

b.

EMBED Equation.3

O

Z

I

i

i

Us

U

R

-

-

=

c.

EMBED Equation.3

O

Z

I

i

i

Us

U

R

+

-

=

21. Conectarea in cascada a 2 celule de redresare are ca efect obtinerea

a.unui factor de stabilizare mai mare .

b. unui factor de stabilizare mai mic.

c. unei tensiuni de stabilizare mai mari

22.In cazul unui transformator sunt adevarate relatiile :

a .

S

P

P

S

P

S

N

N

I

I

V

V

=

=

b.

S

P

S

P

S

P

N

N

I

I

V

V

=

=

c.

S

P

P

S

S

P

N

N

I

I

V

V

=

=

23.Daca valoarea tensiunii primar VP =220 V, NP= 100 spire si VS= 22 V;numarul spirelor din secundar are valoarea :

a. NS= 100 spire

b. NS= 1000 spire

c. NS= 10 spire

24.Daca valoarea VP =220 V, IP= 1A si VS= 22 V; IS curentul in secundar are valoarea :

a. IS= 1A

b. IS= 100A

c. IS= 10A

25.Un tranformator are rolul :

a.transforma curentul alternativ in curent continuu

b.transforma curentul continuu in curent alternativ

c.transforma o marime alternativa tot in marime alternativa ,modificand valoarea tensiunii si curentului din secundar fata de primar.

26. http://en.wikipedia.org/wiki/RLC_circuit

26.In figura avem un :

a.filtru trece sus FTS

b.filtru trece jos FTJ

c. filtru trece banda FTB

d filtru opreste banda FOB

27. In figura avem un :

























În ce domeniu poate lua valori rezistenţa R pentru ca stabilizatorul parametric cu DZ din

Fig. 11.7. să furnizeze la ieşire tensiunea VO=5,1V, dacă vI şi RL iau valori în

intervalele: vI ∈[8, 12] [V] , RL ∈[50, 100] [ Ω ]

Pentru DZ se cunosc:

VZnom=5,1V; IZmax=200mA; IZnom=100mA; IZmin=50mA;

Indicatie: R se alege asfel încât indiferent de valorile pe care le iau VI şi RL in domeniile

specificate, să fie indeplinită condiţia:

Izmin < IZ < IZmax.

http://staff.etc.tuiasi.ro/patachen/DE/DE%20lab%2002/Trasarea%20caracteristicii%20I(U)%20pentru%20diodele%20semiconductoare%20.pdf

5.3.4 TEST ANTRENAMENT TRANZISTORUL BIPOLAR


ELEV ………………………. … CLASA........................................




http://portal.ctcnvk.ro/Members/Adrian-20Frunza/m1-bazele-electronicii-analogice-10f-g/m1-2-auxiliar-curricular/Basic_electronics.zip/view BIPOLAR TRANSISTORS

1.Tranzistorul poate fi utilizat ca :a.amplificator de putere

b.amplificator de curent

c.comutator electronic

2.In cazul tranzistorului bipolar sunt adevarate afirmatiile

a. lucreaza cu 2 tipuri de purtatori :electroni si goluri

b.are 2 poli .

c.curentul de iesire depinde de curentul de intrare

3. In cazul tranzistorului unipolar sunt adevarate afirmatiile :

a. lucreaza cu un tip de purtatori :electroni sau goluri

b. poate fi folosit ca un comutator electronic

c.curentul prin dispozitiv este controlat de tensiunea de pe poarta

4.

Imaginea reprezinta :

a. o structura de tranzistor unipolar

b o structura de tranzistor bipolar

c. un tranzistor npn

5. Selectati 3 imagini ce corespund unui transistor PNP;indicati varianta corecta .

a. a-e-g

b. a-f-d

c. b-f-d

6. Selectati 3 imagini ce corespund unui transistor NPN

a. b-e-g

b. b-f-d

c. a-e-g

7.Tranzistoarele realizate pe Si sunt preferate celor pe Ge deoarece :

a. lucreza la frecvente mai mari

b. lucreza la temperaturi mai mici

c lucreza la tensiuni mai mari

8.In circuitul de polarizare a jonctiunii B-E curentul de baza va avea valoarea :

a. I B =1,6 mA

b. I B =16 mA

c. I B =0,016 A

9.Rezistenta din circuitul de baza (2,7 kΩ) are rolul de a :

a.limiteaza curentul I B

pentru a nu se distruge jonctiunea baza emitor

b.este rezistenta de sarcina pentru sursa de tensiune de 5 V

c.stabileste valoarea tensiunii la 0,7 V pe dioda jonctiunii emitorului .

10. In circuit vom avea un curent care circula dinspre baza spre emitor daca :

a. exista o rezistenta in circuitul bazei (2,7 kΩ)

b. tensiunea VBB este mai mica decat tensiunea de deschidere a unei jonctiuni (0,7V)

c. tensiunea VBB este mai mare decat tensiunea de deschidere a unei jonctiuni (0,7V)

11.In circuit observam urmatoarele fenomene :(bifati afirmatiile adevarate )

a. exista current de collector I C

b. nu exista curent de collector I C,deorece jonctiunea colectorului este invers polarizata

c. nu exista curent de collector I C,deorece circuitul este interupt in baza

12. In circuit observam urmatoarele fenomene :(bifati afirmatiile adevarate )

a. exista curent de collector I C ,deoarece jonctiunea emitorului e polarizata direct .

b. nu exista curent de collector I C,deorece jonctiunea colectorului este invers polarizata

c. exista curent de collector I C,deorece potentialul electric pozitiv al colectorului este mai mare decat al bazei tranzistorului

13.In circuit sunt adevarate afirmatiile

a.I C = I E+I B

b. I E = I C+ I B

c. I B<< I E, I B<< I C

14.In privinta castigului in curent al tranzistorului bipolar (BJT) sunt adevarate afirmatiile :

a. βdc= I C/ I B

b. βdc= I B/ I C

c. .βdc=100-300 valori tipice

15.I n circuit sunt adevarate afirmatiile :

a. este un circuit collector comun

b. este un circuit emitor comun

c. VBB trebuie sa aiba valoare mai mare decat VBE =0,7 V ,pentru a deschide jonctiunea baza emitor .

16.I n circuit sunt false afirmatiile:

a.curentul IB poate fi controlat modificand valoarea RB si VBE

b.in colector, VCE trebuie sa fie mai mica de 0,7 V pentru a avea curent de colector

c. in colector, VCE trebuie sa fie mai mare de 0,7 V pentru a avea curent de colector

17.In circuit avem urmatoarele valori ale marimilor electrice :

a. I B = 1 mA I C = 50mA

b. I B = 0,001 A I C = 0,050A

c. I B = 0,086 mA I C = 4,3mA

18. In circuit avem urmatoarele valori ale marimilor electrice : 3 min

a. V L= 0.215V V C= 0.285V

b. V L= 0V V C= 0.285V

c. V L= 2,15V V C= 2.85V

19. In circuit avem urmatoarele valori ale marimilor electrice

a. I B = 1 mA I C = 50mA V L= 0.25V V C= 0.25V

b I B = 0 mA I C = 0mA V L= 2,5V V C= 2,5V

c. I B = 0 mA I C = 0mA V L= 0V V C= 5V

20.Alegerea unei rezistente de colector RL de valoare 1kΩ va determina in circuit urmatoarele marimi electrice :

a. I B = 1 mA I C = 50mA V L= 0.25V V C= 0.25V

b. I B = 0,1 mA I C = 5mA V L= 0.25V V C= 0.25V

c. I B = 0,086 mA I C = 4,3mA V L= 4,3V V C= 0,7V

21.In circuit tranzistorul se comporta ca un :

a. amplificator

b comutator.deschis

c. comutator inchis

.

22.Circuitul reprezinta un :

a. amplificator cu 2 tranzistoare

b. un comutator cu 2 tranzistoare care lucreza in faza

c un comutator cu 2 tranzistoare care lucreza in contratimp (antifaza )

23.Cand comutatorul este in pozitia 1, tranzistoarele T1si T2 sunt in starile :

a. T1 = BLOCAT (OFF) T2 = BLOCAT (OFF)

b.. T1 = DESCHIS(ON) T2 = DESCHIS(ON)

a. T1 = DESCHIS(ON) T2 = BLOCAT (OFF)

24.In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile :

a. prin tranzistorul T1 nu circula curent , potentialul colectorului T1 este in 0V, prin T2 nu circula curent

b. prin tranzistorul T1 nu circula curent , potentialul colectorului T1 este in 0V, prin T2 circula curent

c. tranzistorul T1 DESCHIS , potentialul colectorului T1 este in 0V, T2 BLOCAT

25. .Cand comutatorul este in pozitia 2, tranzistoarele T1si T2 sunt in starile :

a. T1 = BLOCAT (OFF) T2 = BLOCAT (OFF)

b.. T1 = DESCHIS(ON) T2 = BLOCAT(OFF)

a. T1 = DESCHIS(ON) T2 = DESCHIS (ON)

26. In care din figuri, tranzistorul bipolar este polarizat pentru a lucra in R.A.N ?

a. A

b . B

c. A& B

.27.In circuit, sunt adevarate urmatoarele ecuatii in cazul in care tranzistorul functioneaza in R.A.N.

a.VS = IB RB + VBE

b. VS = IB RB

c VS = IC RL + VCE

.28. In circuitul de mai sus sunt adevarate afirmatiile

a. IC → MAX , Rtranzistor →∞

b. IC → 0 , Rtranzistor →∞

c. IC → MAX , Rtranzistor →0

29. In circuitul de mai sus sunt adevarate afirmatiile

a. IC → MAX , Rtranzistor →∞ ,VC = 5V

b. IC → 0 , Rtranzistor →∞ ,VC = 5V

c. IC → MAX , Rtranzistor →0 , VC = 0V

30.Circuitul reprezinta un circuit de tip:

a. amplificator

b. comutator cu iesirea in “0” logic

c. comutator cu iesirea in “1” logic

5.3.5 TEST ANTRENAMENT .AMPLIFICATOARE CU BJT


ELEV ………………………. … CLASA........................................




http://portal.ctcnvk.ro/Members/Adrian-20Frunza/m1-bazele-electronicii-analogice-10f-g/m1-2-auxiliar-curricular/Basic_electronics.zip/view BJT BASICS

1.In schema de mai sus IB=100μA, β=100. IC curentul de collector va avea valoarea

a. IC= 10 mA

b. IC= 10000 μA

c. IC =0,01 A

2. In schema de mai sus Vs=10V, VcE=5V, RL =1KΩ. IC curentul de colector va avea valoarea:

a. IC =5 A

b. IC =5 mA

c. IC =0,005 A

3. In schema de mai sus Vs=10V, VcE=5V, RL =1KΩ, β=100.In circuit IB va avea valoarea :

a. IB = 5 mA

b. IB =0,05 mA

c. IB =50μ mA

4. In schema de mai sus Vs=10V, VcE =5V, RL =1KΩ, β=100, VBE=0,7V.Polarizarea in zona liniara de amplificare a tranzistorului impune pentru RB valoarea :

a RB = 150 kΩ

b. RB = 18,6kΩ

c.RB = 186 kΩ

5. Q(QUIESCIENT POINT) Punctul static de functionare are coordonatele

a. Q( VcE, IC)

b. Q( VBE, IB)

c. Q(5V,5mA)

6.In cazul in care temperatura unui transistor creste ,parametrii tranzistorului variaza (bifati varianta corecta )

a. IC creste

b. IB scade.

c. β scade

d. VBE scade

7.In cazul in care temperatura unui transistor scade ,parametrii tranzistorului variaza (bifati varianta corecta )

a. IC creste

b. IB scade.

c. β scade

d. VBE creste

8.Defazajul existent intre semnalul de intrare si iesire din etaj are valoarea :

a. φ=180ْ

b. φ=360ْ

c. φ=π rad

9. Defazajul existent intre cele 2 semnale are valoarea :

a. φ=180ْ

b. φ=0ْ

d. φ=π rad

10. . Defazajul existent intre cele 2 semnale are valoarea :

a. φ=180ْ

b. φ=0ْ

c. φ=π rad

11.Amplitudinea Umax, a celor 2 semnale sinusoidale are valorile

a. U1max = 0,5V, U2max =0.5V

b. U1max = 1V, U2max =1V

c U1max = 1V, U2max =0.5V

12.Frecventa f si perioada T a celor 2 semnale sinusoidale are valorile :

a. T =0,001s f= 1000 Hz

b T =1s f= 1000 Hz

c. T =10-3 s

f= 1k Hz

13.In cazul figurii putem afirma :

a. PSF (Q) are coordonatele Q( VcE, IC) 4V;4mA

b. PSF (Q) are coordonatele Q( VcE, IC) 5V;5mA

c semnalele de iesire (tensiune ,current ) sunt nedistorsionate

d.tranzistorul lucreaza in zona liniara a caracteristicii

14. In cazul figurii sunt false afirmatiile :



c semnalele de iesire (tensiune ,current ) sunt distorsionate

d.tranzistorul lucreaza in zona de saturatie

15. In cazul figurii putem afirma :

a. tranzistorul e blocat

b tranzistorul e saturat

c. tranzistorul lucreza in zona liniara a caracteristicii

d. IB are valoarea aproximativ 50mA pentru un β=100

16. . In cazul figurii putem afirma :

a. tranzistorul e blocat



d.semnalul de intrare are amplitudine prea mare

17. . In cazul figurii putem afirma :

a. tranzistorul are tendinta de blocare



d.semnalele de iesire sunt distorsionate

18 In cazul figurii putem afirma :

a. tranzistorul are tendinta de blocare

b tranzistorul are tendinta de saturare



19. In cazul figurii sunt false afirmatiile :



c semnalele de iesire (tensiune ,current ) sunt distorsionate

d.tranzistorul lucreaza in zona de saturatie

20. In cazul figurii putem afirma :

a. tranzistorul este polarizat in zona de blocare

b tranzistorul este polarizat in zona de saturare

c. tranzistorul este polarizat in zona liniara a caracteristicii


21.In cazul figurii sunt false afirmatiile

a.tranzistorul este polarizat in zona liniara a caracteristicilor

b. tranzistorul este polarizat in zona de saturare

c. tranzistorul este polarizat in zona de blocare

d. semnalele de iesire sunt distorsionate

21.In cazul figurii sunt false afirmatiile

a.tranzistorul este polarizat in zona liniara a caracteristicilor

b. tranzistorul este polarizat in zona de saturare

c. tranzistorul este polarizat in zona de blocare

d. semnalele de iesire sunt distorsionate

22.Strapungerea termica a tranzistorului are drept cauza :a. efectul JOULE la intrarea in blocare a tranzistorului

b.efectul JOULE la intrarea in saturatie a tranzistorului

c.efectul JOULE la jonctiunea CB in regim RAN si acumularea caldurii in jonctiune .

23.Rezistenta RE are rolul:

a.asigura polarizarea tranzistorului

b.este rezistenta de sarcina pentru transistor

c.stabilizeaza deriva punctului static de functionare Q.

24.Rezistentele R1 si R2 au rolul :

a.asigura polarizarea tranzistorului

b.este rezistenta de sarcina pentru transistor

c.stabilizeaza deriva punctului static de functionare Q.

d .asigura in baza tranzistorului un potential electric constant V2.

25.Condensatorul din emitor are rolul :

a.scurtcircuiteaza la masa semnalul continuu.

b. scurtcircuiteaza la masa semnalul alternativ VCE

c. scurtcircuiteaza la masa semnalul alternativ VE

26.In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile :

a.este un etaj colector comun CC

b.este un etaj emitor comun EC

c.este un etaj amplificator de curent

d.este un etaj amplificator de tensiune

27.In cazul schemeim, UIN, semnalul de intrare se aplica :

a. in colectorul tranzistorului

b.in baza tranzistorului

c. intre terminalul condensatorului C1 si masa montajului .

28.In cazul schemei, UOUT, semnalul de iesire se culege :

a. in colectorul tranzistorului

b.in baza tranzistorului

c. intre terminalul condensatorului C2 si masa montajului .

29 UIN=10 mV, UOUT=10 V; valoarea amplificarii etajului este

a.A= 1

b.A= 100

c.A=1000

d.A(dB)= 40 dB

e.A(dB)= 60 Db

30.Amplificarea unui etaj amplificator in regim de current continuu(dc) este definita de relatia :

a. A(dc)= UIN / UOUT

b. A(dc)= Δ UOUT/ UIN

c. A(dc)= UOUT/ UIN

d. A(dc)(dB)= 20lg UOUT/ UIN

31.Amplificarea unui etaj amplificator in regim de current alternativ(ac) este definita de relatia :

a.A(ac)= UIN / UOUT

b.A(ac)= Δ UOUT/ UIN

c.A(ac)= UOUT/ UIN

d.A(ac)(dB)= 20lg ΔUOUT/Δ UIN

32. Stiind ca :IE = (β+1)IB, IC = β IB ,exprimati valoarea lui β in functie de IE , IC, IB

a. β = IC / IB - 1

b. β = IB / IE - 1

c. β = IE / IB - 1

33.In circuitul de mai sus RB dispare din circuit .Cum se modifica curentii IE, IB, IC in noul circuit ?

Bifati raspunsurile corecte .

a. IE, IB, IC cresc.

b. IE, IB, IC scad

c. IE, IB, IC se anuleaza. IE, IB, IC =0

34. In circuitul de mai sus RC dispare din circuit .Cum se modifica curentii IE, IB, IC in noul circuit ?

Bifati raspunsurile corecte .

a. IE, IB, IC cresc.

b .IE, IB, IC scad

c. IE, IB, IC se anuleaza. IE, IB, IC =0

d. IB ramane neschimbat , IC =0 se anuleaza , IE = IB , IE coboara la valoarea lui IB

35.In figura tranzistorul este in urmatoarele configuratii

a. A=EC(EMITOR COMUN ) B=BC(BAZA COMUNA ) C=CC(COLECTOR COMUN )

b. A= BC(BAZA COMUNA) B= EC(EMITOR COMUN) C=CC(COLECTOR COMUN)

c. A=EC(EMITOR COMUN ) B=CC(COLECTOR COMUN ) C=BC(BAZA COMUNA )

36.In circuitul de mai sus ,potentialul electric VB in baza tranzistorului se calculeaza cu formula

VB= +V R2/(R1+R2),in consecinta VB va avea valoarea :

a. VB=20V

b. VB=15V

c. VB=10V

:

37.In circuitul de mai sus ,curentul in emitor IE se calculeaza din formula VB=VBE +IERE

(VBE=0,7V;VB=10V) ,in consecinta IE va avea valoarea :

a. IE = 5mA

b. IE = 4,65mA

c. IE = 0,00465A

5.3.6 TEST ANTRENAMENT TRANZISTOR JFET&MOS


ELEV ………………………. … CLASA........................................




http://portal.ctcnvk.ro/Members/Adrian-20Frunza/m1-bazele-electronicii-analogice-10f-g/m1-2-auxiliar-curricular/Basic_electronics.zip/view FIELD EFFECT TRANSISTORS

1.Un dispozitiv de tip FET poate functiona ca :

a.rezistenta controlabila in current

b.tranzistor

c.rezistenta controlabila in tensiune

2.Avantajele tehnologice ale tranzistoarelor FET sunt :

a.rezistenta de intrare mica (zeci de Ω)

b. rezistenta de intrare foarte mare (MΩ)

c.comanda in tensiune a tranzistoarelor FET

d.comanda in curent a tranzistoarelor FET

3.Dezavantajele tehnologice ale tranzistoarelor FET sunt:

a. ”absorb” curenti IG de valoare mare

b .”absorb” curenti IG de valoare mica

c .lucreaza la frecvente relativ mici fata de tranzistoarele bipolare

4.Tranzistoarele FET absorb curenti IG de valoare mica ;acest aspect implica :

a. consum de putere mare

b. consum de putere mic

c. densitate mare de tranzistoare pe cipul de Si.

5. In regim de lucru ca R controlabila in tensiune,tranzistoarele FET :a. au canalul inchis

b.au canalul deschis jonctiunea poarta –canal (G-S) polarizata invers .

c.au canalul deschis

6.Cresterea rezistentei dispozitivului FET in regim de functionare ohmic ,se face prin :

a.cresterea sectiunii canalului

b.micsorarea sectiunii canalului

c.inchiderea sectiunii canalului .

7.Functionarea FET ca tranzistor se face in cazul in care :

a.canalul este deschis

b.canalul este inchis

c.VDS a depasit tensiunea pinch-off (VP)

9.La un dispozitiv de tip MOS ,succesiunea metal –oxid-semiconductor ,se gaseste in zona :

a.sursa (S)

b.drena .(D)

c.porta (G)

10.Stratul de SiO2 al tranzistorului MOS,este sensibil la :a.temperatura

b.caldura

c.tensiune electrostatica

11.Indicati tipul de dispozitiv si tipul canalului pentru figurile A,B.

a. A = MOS, canal p ;B= MOS, canal n

b. A =FET, canal n ;B= FET, canal p

c. A = FET, canal p ;B= FET, canal n

12.Indicati la tranzistorul FET ,terminalele dispozitivului :

a. A = drena D, ;B=sursa S; C = poarta G

b. A = drena D, ;B=sursa S; C = poarta G

c. A = poarta G, ;B=sursa S; C = drena D

13.In cazul dispozitivului sunt adevarate afirmatiile :

a.este un dispozitiv FET

b.functioneza ca un rezistor

c.purtatorii sunt electroni

d.rezistenta canalului = sute de Ω

14 In cazul dispozitivului sunt false afirmatiile :

a.este un dispozitiv MOS

b.functioneaza ca tranzistor

c.purtatorii sunt goluri

d . .rezistenta canalului = M Ω

15. In situatia in care comutatorul se inchide :

a. sectiunea canalului scade(canalul se inchide)

b. sectiunea canalului creste.

c. sectiunea canalului ramane constanta

16.Dispozitivul lucreaza ca un :

a.comutator inchis(SWITCH-ON)

b. comutator deschis(SWITCH-OFF)

c. transistor amplificator

17.Dispozitivul lucreaza ca un :

a.comutator inchis(SWITCH-ON)

b. comutator deschis(SWITCH-OFF)

c. transistor amplificator

18. Indicati tipul de dispozitiv si tipul canalului pentru figurile A,B.

a.A =FET, canal n ;B= FET, canal p

b.A = FET, canal p ;B= FET, canal n

c.A = MOS, canal p ;B= MOS, canal n

.

19. In situatia prezentata ,sunt adevarate afirmatiile:

a. curentul ID are valoare maxima

b. curentul ID= 0A

c. dispozitivul are comportament de comutator deschis (SWITCH-OFF)

d.in structura exista un curent de goluri

.

20. In situatia prezentata ,sunt false afirmatiile:

a. curentul ID are valoare maxima

b. curentul ID= 0A



21.. In situatia prezentata ,sunt adevarate afirmatiile:

a. in structura exista canal de tip n

b. curentul ID= 0A



22.. In situatia prezentata ,sunt false afirmatiile:

a. in structura exista canal de tip n

b. curentul ID= 0A



23. .. In situatia prezentata ,sunt adevarate afirmatiile:

a. structura se comporta ca un comutator deschis(SWITCH-OFF)

b. structura se comporta ca un comutator inchis(SWITCH-ON)

c. dispozitivul are comportament de transistor.


24. Schema electrica reprezinta un :

a. inversor CMOS sursa comuna

b. inversor p-MOS sursa comuna

c. inversor n-MOS sursa comuna

25. 25. Schema electrica reprezinta un :




26. Schema electrica reprezinta un :




27.Pentru a proteja un dispozitiv MOS-FET , asiguram urmatoarele masuri :

a.stocare cu terminalele in surt circuit (in folie metalica )

b.operatorul poarta imbracaminte antistatica .

c. operatorul poarta o bratara conductiva legata la pamant

28.In cazul figurii sunt adevarate afirmatiile :

a. este prezentata functionarea unui dispozitiv JFET

b. este prezentata functionarea unui dispozitiv MOS

c. este prezentata functionarea unui dispozitiv p-MOS

d. este prezentata functionarea unui dispozitiv n-MOS

29.Dispozitivul functioneaza ca resistor controlabil in tensiune in fig:

a. A

b. B

c. C

d. D

30.Dispozitivul functioneaza ca TRANZISTOR in fig:

a. A

b. B

c. C

d. D

5.5.1.TEMA INDIVIDUALA . JONCTIUNEA PN. DIODA SEMICONDUCTOARE


ELEV ………………………. … CLASA........................................


COMPETENTE VIZATE

• Analizează funcţionarea componentelor electronice discrete

• Planifică o activitate şi culege date numerice în legătură cu aceasta

Obiective:

• Să precizeze tipurile de materiale semiconductoare

• Să precizeze comportarea joncţiunii pn polarizată şi nepolarizată

• Să precizeze parametrii caracteristici fiecărui tip de componentă discretă

• Să precizeze funcţionarea tipurilor de componente discrete studiate

Tipul activităţii:

Conţinutul: Joncţiunea pn şi dioda semiconductoare

Scopul activităţii: Această activitate vă va ajuta să precizaţi comportarea joncţiunii pn şi să caracterizaţi pe scurt tipurile de diode studiate.

Bifati raspunsul corect

Enunţ:

1. Materialele semiconductoare de tip p se obţin prin doparea semiconductorului pur cu elemente:

a. trivalente;

b. pentavalente;

c. trivalente şi pentavalente.

2. La o joncţiune pn polarizată direct sensul curentului este :

a. de la n la p;

b. de la p la n;

c. dependent de materialul semiconductor.

3. La un semiconductor de tip n purtătorii majoritari sunt:

a. electronii;

b. golurile;

c. nu există purtători majoritari.

4. La o joncţiune pn curentul direct creşte cu:

a. tensiunea de polarizare directă;

b. tensiunea de polarizare inversă;

c. are o valoare constantă cu variaţia tensiunii.

5. Diodele cu contact punctiform sunt utilizate ca:

a. diode redresoare la frecvenţe joase;

b. diode stabilizatoare de tensiune;

c. diode redresoare la frecvenţe înalte.

6. Pe corpul unei diode Zener se marchează electrodul:

a. pe care trebuie să se aplice plusul tensiunii de polarizare;

b. pe care trebuie să se aplice minusul tensiunii de polarizare;

c. nu se aplică nici un marcaj.

7. Din lista de termeni de mai jos selectaţi pe cei adecvaţi pentru a realiza o scurtă prezentare a diodei Zener.

Polarizare directă, curent de iluminare, catod, colector, emitor, anod, stabilizare, redresare, marcarea electrodului, compensare termică, tensiune constantă, curent constant, tensiune variabilă, variaţie a curentului, tranzistor, varactor.

1p – pentru fiecare item cu alegere multiplă

2p – pentru selectarea termenilor adecvaţi

2p – pentru prezentarea diodei Zener

ELEVUL VA CENTRALIZA IN TABEL RASPUNSURILE LA ITEMII PROPUSI

ELEVUL SE VA AUTOEVALUA PRIN NOTA .

NR .ITEM

RASPUNS

ELEV

RASPUNS CORECT

PUNCTAJ

STANDARD

PUNCTAJ

OBTINUT

DE ELEV

1

1P

2

1P

3

1P

4

1P

5

1P

6

1P

7

2P

ESEU SCURT

2P

TOTAL PUNCTAJ

NOTA PROFESOR

NOTA AUTOEVALUARE ELEV

5.5.2.TEMA INDIVIDUALA .CIRCUITE CU DIODE .

SURSE DE PUTERE.REDRESOARE.STABILIZATOARE


ELEV ………………………. … CLASA........................................


COMPETENTE VIZATE

Analizeaza functionarea circuitelor analogice din echipamentele electronice

Planifica o activitate si culege date numerice in legatura cu aceasta

Obiective

Sa identifice scheme de circuite electronice analogice

Sa selecteze componente electronice pentru realizarea unor circuite

Sa precizeze parametrii caracteristici fiecarui tip de circuit

Sa precizeze functionarea tipurilor de circuite studiate

CONTINUTUL :REDRESORUL

SCOPUL ACTIVITATII:Aceasta activitate va ajuta sa intelegeti functionarea redresoarelor

Enunt:

1.Folosind surse diferite (auxiliar curricular,internet ,catalog

http://www.datasheetcatalog.com/), obtineti informatii despre :

a.redresorul monoalternanta

b.redresorul dubla alternanta cu punte de diode

c.redresorul dubla alternanta cu transformator cu priza mediana

Reprezentati schemele de principiu ale acestor 3 redresoare,formele de unda la iesire.Calculati frecventa semnalului obtinut .

Punctaj: 3p............... pentru schema,

3p................pentru formele de unda ,

3p................pentru randament ,factor de ondulatie,frecventa semnalului obtinut ,

1p............... pentru limbajul de specialitate folosit si aspect document .

Copierea unui document de la un coleg se pedepseste cu nota 1(unu).

NOTA :Tema se va prezenta sub forma unui document WORD ,schemele electrice+ formele de unda, pot fi descarcate de pe internet,dar vor fi insotite de textele explicative (compilatie de documente ).

Tema va fi sustinuta prin interviu .

REZOLVARE ITEM 5.5.1

NOTA PROFESOR ..............

NOTA AUTOEVALUARE ELEV .......................

5.5.3 TEMA INDIVIDUALA.TRANZISTORUL BIPOLAR. BASICS


ELEV ………………………. … CLASA........................................


Competente Analizeaza functionarea componentelor electronice discrete

Planifică o activitate şi culege date numerice în legătură cu aceasta

Obiective:

Sa identifice tipuri de componebte electronice discrete

Să recunoască terminalele tranzistorului bipolar

Sa precizeze ecuaţiile fundamentale ale tranzistorului

Sa precizeze conexiunile tranzistorului şi regimurile de funcţionare

Continut:TRANZISTORUL BIPOLAR

Scopul activităţii: Această activitate va va ajuta sa aprofundati cunostintele despre

performanţele şi particularităţile constructive, de polarizare şi de utilizare, ale tranzistorului bipolar.

BIFATI( TRUE/FALSE ) RASPUNSUL CORECT sau COMPLETATI DUPA CAZ

1.Pentru a avea loc efectul transistor este necesar ca :……………………………………..1P

a. baza să aibă o lăţime cât mai mică;

b. baza să fie puternic dopată cu impuritati

c. emitorul să aibă o lăţime mai mică decât baza

2.In figura de mai jos sunt reprezentate simbolurile a doua elemente active de circuit …..4P

a. indicati denumirea componentelor prezentate

R:

b. indicaţi denumirea terminalelor notate cu 1,2,3; ;

R:

c. indicaţi materialele utilizate la confecţionarea lor

R:

d. precizaţi modul de polarizare a dispozitivului pentru afunctiona in RAN .R:

3.Prima ecuatie fundamentala a unui tranzistor este: …………………………………..1P

a. IE = I B– IC

b. IE = I B+ IC

c. IE + I B+ IC =

4.Functionarea unui transistor in regim activ invers presupune:………………………….1P

a.polarizare directa a jonctiunii BE, polarizarea inversa a jonctiunii CB.

b. polarizare directa a jonctiunii BE, polarizarea directa a jonctiunii CB.

c. polarizare inversa a jonctiunii BE, polarizarea directa a jonctiunii CB.

5.La un transistor bipolar in conexiunea EC,marimile de intrare sunt:…………………….1P

a.IE, IB

b.IC, UBE

c.IB, UBE

6. n transistor bipolar este utilizat ca un comutator electronic in regim :………………….1Pa.RAN

b.RAI

c.blocat ,saturat

7.Un transistor bipolar se distruge termic atunci cand :………………………………………..1Pa. IC creste foarte mult

b. IC scade foarte mult

c. jonctiunea CB nu disipa eficient caldura in RAN .

EVALUARE SI NOTARE TEMA


NOTA :EVALUAREA FINALA SE VA FACE PRIN INTERVIU PE TEMA REZOLVATA DE ELEV

NR ITEM

RASPUNS ELEV

AUTOEVALUARE ELEV

(NOTA )

RASPUNS CORECT

NOTA PROFESOR

1

2

3

4

5

6

7

TOTAL

PUNCTAJ

AUTOEVALUARE ELEV

(NOTA )=

NOTA

PROFESOR=

Observatii PROFESOR /ELEV :

5.5.4 TEMA INDIVIDUALA. TRANZISTORUL BIPOLAR. APLICATII.AMPLIFICATOARE


ELEV ………………………. … CLASA........................................


Competente Analizeaza functionarea componentelor electronice discrete

Planifică o activitate şi culege date numerice în legătură cu aceasta

Obiective:

Sa identifice tipuri de componebte electronice discrete

Să recunoască terminalele tranzistorului bipolar

Sa precizeze ecuaţiile fundamentale ale tranzistorului

Sa precizeze conexiunile tranzistorului şi regimurile de funcţionare

Sa calculeze curenti tensiuni si marimi specifice in circuit .

Scopul activitatii:studierea comportamentului unui transistor bipolar ca amplificator

1.Care este rolul rezistentelor R1,R1………………………………………………..0.5P

R=

2.Care este rolul rezistentei R5……………………………………………………. 0.5P

R=

3.Care este rolul C1 ,C2……………………………………………………………...0.5P

R=

4 .Care este rolul C4………………………………………………………………….0.5P

R=

5.Care este rolul V2………………………………………………………………….0.5P

R=

6.

Ce marime electrica masoara V (Q1:C)…………………………………………. 0.5P

R=

7. Ce marime electrica masoara V (V2+)…………………………………………. 0.5P

R=

8. 7. Ce marime electrica masoara I (Q1:B)…………………………………………0.5P

R=8. Ce marime electrica masoara I (R7:1)…………………………………………0.5P

R=

9.Calculati potentialul electricVB in baza tranzistorului …………………………………….0.5P

R=

10. Calculati curentul de emitor IE ……………………………………………………………0.5P

R=

11. Calculati VCE si estimati regimul de lucru a tranzistorului ………………………………..0.5P

R=

12. Figurati PSF si DREAPTA DE SARCINA in sistemul de coordonate …………………1P

13.Punctele de intersectie ale dreptei cu axele sunt ………………………………………………1P

IC= 0mA, VCE=……………

IC=……mA, VCE=0V

14.

14.Calculati amplitudinea celor 2 semnale sinusoidale :

V1=……………………………………………………………………………….0.5P

V2=……………………………………………………………………………….0.5P

15.Calculati perioada T1 si T2 pentru cele 2 semnale

T1=……………………………………………………………………………….0.5P

T2=………………………………………………………………………………0.5P

16.Calculati frecventa si defazajul pentru cele 2 semnale

f1=……………………………………………………………………………..0.5P

f2=……………………………………………………………………………..0.5P

φ1,2 =………………………………………………………………………… 0.5P

PUNCTAJ TOTAL 11P



NR ITEM

RASPUNS ELEV

AUTOEVALUARE ELEV

(NOTA )

RASPUNS CORECT

NOTA PROFESOR

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

TOTAL

PUNCTAJ

AUTOEVALUARE ELEV

(NOTA )=

NOTA

PROFESOR=


5.5.5 TEMA INDIVIDUALA .Tranzistoare cu efect de câmp


ELEV ………………………. … CLASA........................................


Competenţe: Identifică componentele electronice analogice

Verifică funcţionalitatea componentelor electronice analogice

Obiectivele evaluării:

- să recunoască tranzistoarele cu efect de câmp;

- să precizeze parametrii tranzistoarelor cu efect de câmp;

- să să specifice principiul de funcţionare tranzistoarelor cu efect de câmp.

Tipul testului: probă scrisă ;se rezolva ca tema individuala .

Notarea se face prin interviu.

Subiectul I.

2 puncte

Pentru fiecare item stabiliţi răspunsului corect:

1) La conducţia curentului electric în tranzistoarele cu efect de câmp participă:

a) numai electronii;

b) numai golurile;

c) un singur tip de purtători ceri majoritari;

d) un singur tip de purtători cei minoritari.

2) Tranzistorul cu efect de câmp este un dispozitiv electronic cu trei electrozi:

a) sursă, drenă şi poartă;

b) emitor, colector şi bază;

c) anod, catod şi poartă;

d) emitor, colector şi poartă.

3) TEC-J este comandat în:

a) curent;

b) tensiune;

c) putere;

d) rezistenţă.

4) În cazul funcţionării tranzistorului TEC-J cu poartă liberă (nepolarizată), prin modificarea tensiunii continue aplicată între sursă şi drenă curentul:

a) variază invers proporţional cu tensiunea aplicată;

b) rămâne constant;

c) este blocat;

d) variază direct proporţional cu tensiunea aplicată.

Subiectul II.

2 puncte

Specificaţi prin A (adevărat) sau F (fals) valoarea de adevăr a următoarelor propoziţii:

1) Zona preferată de lucru a TEC –J– ului este cea la curenţi mari.

2) Tranzistoarele MOS prezintă fenomenul de străpungere secundară şi ambalare termică;

3) Tranzistoarele cu efect de câmp cu grilă se prescurtează TEC -J;

4) Tranzistoarele cu efect de câmp fac parte din familia tranzistoarelor unipolare.

Subiectul III

3 puncte

Completaţi cu informaţia corectă spaţiile libere:

1) În cazul unui TEC-J nu se pune problema ambalării...............................;

2) În regiunea de ........................... a unui TEC – MOS curentul de drenă rămâne aproape constant;

3) TEC-J este ca un rezistor a cărui secţiune este controlată de ...................... regiunii sarcinii spaţiale a unei joncţiuni pn.

Subiectul IV

2 puncte

Pentru simbolul de mai jos:

1) identificaţi tipul de tranzistor cu efect de câmp simbolizat;

2) denumiţi şi notaţi bornele.

Instrucţiuni pentru elevi

Pentru rezolvarea Subiectului I veţi încercui litera corespunzătoare răspunsului corect.

Pentru rezolvarea Subiectului II veţi scrie în dreptul propoziţiei A (dacă consideraţi propoziţia adevărată) şi F ( dacă consideraţi propoziţia falsă).

Pentru rezolvarea Subiectului III veţi completa spaţiile libere cu informaţia corectă.

Pentru rezolvarea Subiectului IV veţi răspunde în scris cerinţelor.

5.5.5 TEMA INDIVIDUALA .DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE


ELEV ………………………. … CLASA........................................


Competenţe: Identifică componentele electronice analogice

Explica funcţionalitatea componentelor electronice analogice

Interpreteaza caracteristicele I(U) pentru dispozitive optoelectronice .

1. Identificati dispozitivele din fig.11.1a,b………………………………...2p

Interpretati graficele din fig.11.1c……………………………………….0.5p

2. Identificati dispozitivele din fig.11.2.………………………………...2p

Interpretati graficele din fig.11.2……………………………………….0.5p





Elevul va rezolva tema in format scris pe caiet sau in format electronic si o va atasa la portofoliu .



NR ITEM

RASPUNS ELEV

AUTOEVALUARE ELEV

(NOTA )

RASPUNS CORECT

NOTA PROFESOR

1

2

3

4

TOTAL

PUNCTAJ

AUTOEVALUARE ELEV

(NOTA )=

NOTA

PROFESOR=


6.STRUCTURA NOTEI (calcularea mediei finale )

CALCULAREA MEDIEI FINALE LA M1

Media finala este MEDIA ARITMETICA a notelor(4-6 NOTE), obtinute la fiecare item de evaluare ce intra in structura portofoliului

NR. NOTA

TIP ITEM

TIMP REZOLVARE ITEM

DATA

NOTARE

1

INTERVIU (proba orala )

S2-36

2

REZOLVARE TEMA INDIVIDUALA

(interviu)

1 SAPTAMANA

S2-36

3

TESTE CU ITEMI COMBINATI

laborator AEL

S2-36

4

MINIPROIECT

1-2 SAPTAMANI

5

NOTA LABORATOR

S2-36

6

EVALUARE FINALA PORTOFOLIU .

S15-17

S30 -34

NOTA

1.IN CAZUL IN CARE UNUL DIN ITEMII NR.2 NU ESTE PREDAT LA TERMENUL INDICAT,ELEVUL VA FI PENALIZAT LA NOTARE .

2.LIPSA UNUI ITEM NR 2 SE NOTEAZA CU NOTA 2(DOI)

3.INITIATIVELE PERSONALE ALE ELEVILOR DE TIPUL:

a. INREGISTRARI VIDEO CU SUBIECT STIINTIFIC –TEHNOLOGIC ,REALIZARE PPT ,etc............. vor fi evaluate ca MINIPROIECT .

b .PARTICIPARI LA SESIUNI STIINTIFICE ,OLIMPIADE INTERDISCIPLINARE VOR FI NOTATE CU NOTE 8-10 IN FUNCTIE DE PERFORMANTELE ELEVULUI .

7.OBSERVATII PROFESOR/ ELEV

PAGE

72

_1351413823.unknown

_1351414803.unknown

_1352022350.unknown

_1354436705.unknown

_1360400879.unknown

_1352022406.unknown

_1352022218.unknown

_1351414775.unknown

_1351414796.unknown

_1351414093.unknown

_1348634184.unknown

_1332533317.unknown

COLEGIUL TEHNIC DE COMUNICATII N · Web viewAbilitati pe care elevii trebuie sa le dobandeasca la...

Documents

Transcript of COLEGIUL TEHNIC DE COMUNICATII N · Web viewAbilitati pe care elevii trebuie sa le dobandeasca la...