．回転運動nagasawa/Mechanics_4.pdf58 4．回転運動 2章では物体が運動する際の基本原理である「ニュートンが提案した3つの運動の法則」を示した．その第2法則である「運動
世界初の超微細III-V/Ge CMOSトランジスタ...V/Ge...
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14 産総研 TODAY 2011-12 世界初の超微細 III-V/Ge CMOS トランジスタ 高性能異種チャネル CMOS への新たな道筋 前田 辰郎 まえだ たつろう ナノエレクトロニクス研究部門 新材料・機能インテグレーショ ングループ 主任研究員 （つくばセンター） 高性能化と高信頼性が厳しく 求められるシリコンテクノロ ジーの世界に、新材料による 機能高度化と新たな価値を創 造すべく、LSI のブレークス ルー技術の開発を目指してい ます。 研究の経緯 16ナノ世代以降の高性能LSIでは、Siよりも大 きな移動度を持つIII−V族化合物やGeといった 異種材料を組み合わせたCMOS ＊ の実現が期待 されています。一方で、実用化に向けては、こ うした異種材料に対して同一プロセスで、しか も微細化が可能なトランジスタ作製技術が求め られています。今回、東京大学、住友化学と共 同で、異種チャネル材料に適した共通プロセス・ 材料を開発し、ゲート長100 nm 以下の微細III− V/Ge CMOSトランジスタの動作実証に世界で 初めて成功しました。 研究の内容 電子移動度の高いInGaAsとホール移動度の 高いGeは物性が大きく異なるため、プロセスの 複雑化とそれに伴うコストの増大が懸念されて います。一方で、InGaAs の伝導帯端とGeの価 電子帯端が極めて近いところに位置しているこ とから（図1）、n/pMOSFET の閾 しきいち 値制御の点で は、ゲート電極材料の共通化ができます。また、 この共通メタル電極は微細化に適したショット キーバリア ソース/ドレイン（S/D） トランジス タのメタル S/D 材料としても有用です。つま り、異種チャネル材料にもかかわらず、ゲー トおよび S/D 電極を単一の材料で実現するこ とが可能となります。このようなコンセプト のもと、共通メタル材料としてTaNを採用し、 ゲート長100 nm以下の微細化が可能なゲート ラスト法 ＊＊ を用いて、InGaAs nMOSFETとGe pMOSFETを試作しました（図2）。図3は作製し たInGaAs nMOSFETとGe pMOSFETの動作特 性です。InGaAsチャネルとGeチャネルを使っ て、対称的かつ良好なトランジスタ特性を同時 に得ることに成功しました。また、ゲート長 100 nm以下における高いスケーリング耐性も示 され、メタル材料の共通化により、III−V/Ge異 種チャネル CMOSプロセスの集積化と微細化に 成功するだけでなく作製プロセスの大幅な簡略 化も同時に実現しました。 今後の予定 今回開発した技術を用いた次世代高性能 CMOSトランジスタを実用化することにより、 コンピューター、サーバー、デジタル家電など の高性能化や低消費電力化を目指します。 関連情報： ● 参考文献 T.Maeda et al .: 2011 Symposium on VLSI Technology, 62 (2011). ● 共同研究者 卜部 友二、板谷 太郎、石井 裕之、宮田 典幸、安田 哲二（産 総研）、山田 永、秦 雅彦（住 友化学）、 横山 正史、 竹中 充、 高木 信一（東京大学） ● プレス発表 2011 年 6 月 12 日「 世 界 初 の 次 世 代 高 性 能 III-V/Ge CMOS トランジスタの実現」 ● 用語説明 ＊ CMOS：Complementary ( 相補型 ) MOS の略号。n チャ ネル MOSFET と p チャネル MOSFET という、オンオフ 動作が相互に逆転するタイプ のトランジスタを直列につな いだ素子。集積回路での信号 処理を行う上での最も基本的 な回路である。 ＊＊ゲートラスト法：ソース / ドレイン領域を先に形成し た後で、ゲート絶縁膜とゲー ト電極部分を最後に形成する MOSFET の作製方法。 図 1 InGaAs および Ge のバンドラインアップ 写真 3.8×3.4 cm Gate Voltage(V) I s (A/µm) L g = 100 nm V d = 1 V V d = 50 mV InGaAs nMOS Ge pMOS 10 10 10 10 10 10 -2 -1 0 1 2 -6 -7 -8 -9 -10 -11 （Common metal） = ～4.6 eV 4.5 eV 4.0 eV = = Si Ge InGaAs （1.12 eV） （0.75 eV） (0.67 eV) 図 3 ゲート長 100 nm の InGaAs/Ge n/pMOSFET の電流電圧特性 Ti TaN Gate L g = 50 nm TaN S/D 20 nm 6 nm AI 2 O 3 InGaAs TaN Gate 図 2 ゲート長 50 nm の InGaAs nMOSFET の 断面写真
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14 産 総 研 TODAY 2011-12
世界初の超微細III-V/Ge CMOSトランジスタ高性能異種チャネルCMOSへの新たな道筋
前田 辰郎まえだ たつろう
ナノエレクトロニクス研究部門新材料・機能インテグレーショングループ主任研究員
（つくばセンター）
高性能化と高信頼性が厳しく求められるシリコンテクノロジーの世界に、新材料による機能高度化と新たな価値を創造すべく、LSI のブレークスルー技術の開発を目指しています。
研究の経緯16ナノ世代以降の高性能LSIでは、Siよりも大
きな移動度を持つIII−V族化合物やGeといった異種材料を組み合わせたCMOS＊の実現が期待されています。一方で、実用化に向けては、こうした異種材料に対して同一プロセスで、しかも微細化が可能なトランジスタ作製技術が求められています。今回、東京大学、住友化学と共同で、異種チャネル材料に適した共通プロセス・材料を開発し、ゲート長100 nm 以下の微細III−V/Ge CMOSトランジスタの動作実証に世界で初めて成功しました。
研究の内容電子移動度の高いInGaAsとホール移動度の
高いGeは物性が大きく異なるため、プロセスの複雑化とそれに伴うコストの増大が懸念されています。一方で、InGaAs の伝導帯端とGeの価電子帯端が極めて近いところに位置していることから（図1）、n/pMOSFET の閾
しきいち
値制御の点では、ゲート電極材料の共通化ができます。また、この共通メタル電極は微細化に適したショットキーバリア ソース/ドレイン（S/D） トランジス
タのメタル S/D 材料としても有用です。つまり、異種チャネル材料にもかかわらず、ゲートおよび S/D 電極を単一の材料で実現することが可能となります。このようなコンセプトのもと、共通メタル材料としてTaNを採用し、ゲート長100 nm以下の微細化が可能なゲートラスト法＊＊を用いて、InGaAs nMOSFETとGe pMOSFETを試作しました（図2）。図3は作製したInGaAs nMOSFETとGe pMOSFETの動作特性です。InGaAsチャネルとGeチャネルを使って、対称的かつ良好なトランジスタ特性を同時に得ることに成功しました。また、ゲート長100 nm以下における高いスケーリング耐性も示され、メタル材料の共通化により、III−V/Ge異種チャネル CMOSプロセスの集積化と微細化に成功するだけでなく作製プロセスの大幅な簡略化も同時に実現しました。
今後の予定今回開発した技術を用いた次世代高性能
CMOSトランジスタを実用化することにより、コンピューター、サーバー、デジタル家電などの高性能化や低消費電力化を目指します。
関連情報：● 参考文献
T.Maeda et al.: 2011 Symposium on VLSI Technology, 62 (2011).
● 共同研究者
卜部 友二、板谷 太郎、石井 裕之、宮田 典幸、安田 哲二（産総研）、山田 永、秦 雅彦（住友化学）、 横山 正史、 竹中 充、高木 信一（東京大学）
● プレス発表
2011 年 6 月 12 日「世界初の次世代高性能 III-V/Ge CMOS トランジスタの実現」
● 用語説明
＊ CMOS：Complementary (相補型) MOSの略号。nチャネル MOSFET と p チャネルMOSFET という、オンオフ動作が相互に逆転するタイプのトランジスタを直列につないだ素子。集積回路での信号処理を行う上での最も基本的な回路である。
＊＊ゲートラスト法：ソース/ ドレイン領域を先に形成した後で、ゲート絶縁膜とゲート電極部分を最後に形成するMOSFET の作製方法。
図 1 InGaAs および Ge のバンドラインアップ
写真 3.8×3.4 cm
10-11
10-10
10-9
10-8
10-7
10-6
-2 -1 0 1 2
I s (A/μ
m)
Gate Voltage (V)
Gate Voltage(V)
I s (A/µm)
Lg = 100 nmVd = 1 V
Vd = 50 mV
InGaAs nMOSGe pMOS
10
10
10
10
10
10
-2 -1 0 1 2
-6
-7
-8
-9
-10
-11
（Common metal）= ～4.6 eV
4.5 eV 4.0 eV= =
Si
Ge
InGaAs（1.12 eV）
（0.75 eV）
(0.67 eV)
図 3 ゲート長 100 nm の InGaAs/Ge n/pMOSFETの電流電圧特性
Ti
TaN Gate
Lg= 50 nm
TaN S/D
20 nm
6 nm AI2O3
InGaAs
TaNGate
図 2 ゲート長 50 nm の InGaAs nMOSFET の断面写真
