8/18/2019 Analise Fet Apoio

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 Prof. Dr. Aparecido Nicolett 

 PUC-SP 

Aula 07

Análise do FET para

Pequenos Sinais

(pág. 320 a 325)

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• Características:

- ótimo ganho de tensão (Av)

- alta impedância de entrada (Zi)

- baixo consumo de potência

- ampla resposta em frequência

• Configurações:

- fonte comum

- dreno comum

- porta comum

Slide 1 Análise do FET para Pequenos Sinais

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Modelo do FET para pequenos sinais

• A tensão de porta-fonte controla a corrente dreno-fonte (canal) de um FET.

2

GSDSSD

Vp

V1II  

 

  

 −=

GSmD V.gI   ∆=∆ [9.1] gm = transcondutância

GS

Dm

V

Ig

∆

∆= [9.2]

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Determinação gráfica de gm

FIGURE 9-1 Definition of  g m using transfer characteristic.

gm é a inclinação da

curva no ponto de

operação.

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Determinação matemática de gm

“A deriva de uma função em um ponto é igual à inclinação da reta tangente desenhadaneste ponto.”

 

  

 −=∆

∆=

2

GSDSSGS ptoQGS

DmVp

V1IdV

d

V

Ig

−=

VpV1

VpI2g GSDSSm

[9.4]

gm (máx.)→ VGS = 0V

−=

VpV1gg GSmom

Vp

I2g DSSmo  = [9.5]

[9.6]{

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Exemplo 9.2

gmo = ?

gm em cada ponto = ?

V/A10.44

10.8.2

Vp

I2g 3

3Dss

mo−

−

===

V/A10.5,3)V5,0V(g 3GSm−=−=

V/A10.5,2)V5,1V(g 3GSm −=−=

V/A10.5,1)V5,2V(g 3GSm−=−=

Obs: Nas folhas de dados,

gm = Yfs

(Fig. 9.2)

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Gráfico de gm x VGS

(Fig. 9.3)

−= Vp

V1gg GSmom

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Impacto de ID sobre gm

2GS

DSSDVp

V1II  

 

  

 −=

Vp

V1

I

I GS

DSS

D −= [9.8]

Substituindo [9.8] em [9.6], tem-se:

DSS

D

mo

GS

mom I

Ig

Vp

V1gg   =

 

  

 −= [9.9]

momDSSDm gg)II(g   =→=

momDSS

Dm g.707,0g)2

II(g   =→=

momDSS

Dm g.5,0g)4

II(g   =→=

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Exemplo 9.4

IDSS = 8 mA

Vp = - 4V

(Fig. 9.5)

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• Impedância de entrada (Zi)

Zi (FET) = ∝ Ω [9.10]

Exemplo:

FET⇒ 1000 MΩ

MOSFET⇒ 10E12 a 10E15 Ω

• Impedãncia de saída (Zo)

Zo = 1/Yos Yos = admitância de saída

Exemplo:

Yos = 10µS⇒ Zo = 20 k ΩZo (FET) = rd = 1/Yos [9.11]

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Definição de rd

(Fig. 9.6)

cteGSVD

DS

I

Vrd

=∆

∆= [9.12]

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Exemplo 9.5

rd = 25 k Ω

rd = 80 k Ω

(Fig. 9.7)

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Circuito Equivalente CA

(Fig. 9.8)

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Exemplo 9.6

Dados:

Yfs = 3,8 mS

Yos = 20 µS

Zo (FET) = rd = 1/Yos

gm = Yfs

(Fig. 9.9)

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